微量铜-铁对硅片表面污染的初步分析	2018-08-21
	第 26 卷 第 5 期2005 年 5 月 半 导 体 学 报CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 26 No. 5May ,20053 国家自然科学基金资助项目 批准号 20073036 郑 宣 男 ,1980 年出生 ,硕士研究生 ,研究方向为电化学 ,主要从事半导体硅片的金属微观污染机理研究 .通信联系人
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	太阳能硅片的线切割	2018-08-21
	太阳能硅片的线切割太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线，从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区， 在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中， 对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、 碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。一、切割液（ PEG）的粘度由于在整个切
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	太阳能硅片硅锭行业投资报告2018-2024年发展趋势市场调研目录	2018-08-21
	太阳能硅片硅锭行业投资报告 2018-2024 年发展趋势市场调研目录 专业 细致 全面 深入2 「 太阳能硅片硅锭 」市场分析 , 价格 , 份额 , 现状 , 发展趋势 , 行情 , 容量 , 规模 ,需求 , 前景 , 规划 , 品牌 , 占有率 , 渠道 , 行业报告 , 销售额 , 排名 , 厂商 , 数据 , 政策 ,历史 , 消费量 , 地区 , 产值 , 格局 , 竞争 ,
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	太阳能光伏电池硅片切割技术(20180720145720)	2018-08-21
	太阳能光伏电池硅片切割技术 .txt3 努力奋斗，天空依旧美丽，梦想仍然纯真，放飞自我，勇敢地飞翔于梦想的天空，相信自己一定做得更好。 4 苦忆旧伤泪自落，欣望梦愿笑开颜。 5懦弱的人害怕孤独，理智的人懂得享受孤独 本文由哈哈 5790902 贡献doc 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。太阳能光伏电池硅片切割技术硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中
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	厚硅片的高速激光切片研究(红外激光)	2018-08-21
	第 14 卷 第 5 期2006 年 10 月 光学 精密工程 Optics and Precision Engineering Vol. 14 No. 5 Oct. 2006收稿日期 2006202215 ;修订日期 2006 207220.基金项目 国家 863 计划重大项目 No. 2004AA31 G120 ,北京市科委重大项目 No
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	硅片质量特性	2018-08-21
	硅片质量特性1.1 厚度 T 在给定点处垂直于表面方向穿过晶片的距离称为晶片的厚度。 标称厚度指硅片中心点的厚度。 1.2 总厚度变化（ TTV ） 在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，最大厚度与最小厚度之间的绝对差值为该晶片的总厚度变化，即 TTV 值。 TTVTmax-Tmin 1.3 弯曲度（ BOW ） 弯曲度是硅片中线面凹凸形变的量度。它是硅片的一种体性质，与可能
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	某硅片废水处理项目总结	2018-08-21
	XXX 有限公司XX 硅材料科技发展有限公司硅片废水处理项目总结编制部门编制人编制时间审核人 审核时间XXX 有限公司I 目 录第一章 江苏协鑫硅片废水工程概况 . 11.1 工程名称、地点及单位 11.2 主要工程处理工艺特点和工程实物量特点 11.2.1 处理工艺特点 11.2.2 工程实物量特点 1第二章 施工使用规范图集 . 22.1 主要规程规范 . 22.2 工程
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	环评报告书-集成电路制造用300毫米硅片技术研发	2018-08-21
	上海环境热线 www.envir.gov.cn上海市环境科学研究院 环评机构 受上海新昇半导体科技有限公司 建设单位 委托开展对“集成电路制造用 300 毫米硅片技术研发与产业化项目”的环境影响评价工作。现根据国家及本市法律法规及规定，并经上海新昇半导体科技有限公司同意向公众进行第二次信息发布，公开环评内容。 本文本内容为现阶段环评结果。下一阶段，将在听取公众、专家等各方面意见的
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	硅中的缺陷和硅片热处理	2018-08-21
	文章编号 1005 - 2046 2000 04 - 0171 - 06收到日期 2000204207作者简介 闵 靖 1941～ , 男 , 教授级高级工程师 1硅中的缺陷和硅片热处理闵 靖 , 邹子英上海市计量测试技术研究院 , 上海 200233摘 要 本文评述了近年来着重研究的 COP、 LSTD 、 FPD和 BMD 等硅中的微缺陷。介绍了硅片
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	硅片制造中的沾污控制(20180720145139)	2018-08-21
	第十一章 硅片制造中的沾污控制为使芯片上的器件功能正常，避免硅片制造中的沾污是绝对必要的。随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。将学习硅片制造中各种类型的重要沾污、它们的来源以及怎样有效控制沾污以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能集成电路。11.1 引言一个硅片表面具有多个微芯片，每个芯片又差不多有数以百万计的器件和互连线路，它们对沾污都非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和
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