简介：PECVD 工艺腔加热功率调整方法说明 张小亮 2013-08-08 工艺腔加热模块组成简述 调整方法说明 加热功率对工艺腔温度分布的影响 工艺腔加热模块组成简述（ 1） 加热板内部加热电阻结构如下 加热电阻 1----1A 加热电阻 2----2A 加热电阻 3----3A 工艺腔加热板分布如下 工艺腔加热模块组成简述（ 2） 工艺腔的 6个加热板为 “对头 ”交叉放置（如上图）。两个侧边都分别有 3 个 “1A”、 3个 “3A”组成，而中间 6个均为 “2A”，所以两侧的加热功率只 能由 1A、 3A来同时控制 ----同时加大或减小，中间的加热功率可以由 2A 来单独控制

简介：SiNxH减反射膜 和 PECVD技术 目录 v SiNxH简介 v SiNxH在太阳电池中的应用 v PECVD原理 v光学特性和钝化技术 v系统结构及安全事项 2 SiNxH简介 v正常的 SiNx的 Si/N之比为 0.75，即 Si3N4。 但是 PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随 工艺不同而变化， Si/N变化的范围在 0.75-2 左右。除了 Si和 N， PECVD的氮化硅一般 还包含一定比例的氢原子，即 SixNyHz或 SiNxH。 3 SiNxH简介 4 v物理性质和化学性质 Ø结构致密，硬度大 Ø能抵御碱金属离子的侵蚀 Ø介

简介：PECVD等离子增强化学气相淀积 Plasma Enhance Chemical Vapour Deposition 一、镀膜原理 二、管式 PECVD 镀膜的各工艺参数具体控制范围 三、PECVD 膜的作用、简述膜的特性。 四、常见的异常情况 一、镀膜原理 所谓等离子体，是指气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外 层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种 形态就称为等离子态。 等离子体在化学气相沉积中有如下作用 1.将反应物中的气体分子激活成活性离子，降低反应所需的温度； 2.加速反应物在基片表面的扩散作用（表面迁移作用） ，提高成膜速度；

简介：点击查看更多PECVD氮化硅薄膜制备与微结构研究精彩内容。

简介：点击查看更多PECVD工艺工程师手册精彩内容。

简介： Safety Manual CYCLONE TM PLUS JUSUNG Engineering Co., Ltd. Page Revision 1.0 1-1 User’s ManualPreliminary World’s Best People, World’s Best Products, World’s Best Company Solar Cell System User’s Manual In d ex S OU L T E RA JUSUNG ENGINEERING Co., Ltd. Page Revision 1.0 - 1

简介： XIAMEN UNIVERSITY PECVD 法 制备石墨 烯纳米片及其在太 阳能电池中应用 PECVD produced graphene nanoflakes and relevant application in solar cells Guanhua lin（林冠华）, Yazhou Qu, Bin Guo, and Qijin Cheng 程其进） College of Energy, Xiamen University, Xiamen City, Fujian Province, 361005, P . R. China. 2016.11.26, 12th CSPV

简介： PECVD原理基础 摘抄整理 工艺部 李文 2011-3 真空真空真空真空 定义定义定义定义 泛指低于一个大气压的气体状态。与普通大气状态相比，分子密度较为稀薄，从而气体分子 与气体分子，气体分子与器壁之间碰撞几率要低些。 单位单位单位单位 Pa Bar mbar Torr Pa 1 10-5 10-2 7.5*10-3 Bar 105 1 103 7.5*102 mbar 102 10-3 1 7.5*10-1 Torr 1.33*102 1.33*10-3 1.33 1 压力分类压力分类压力分类压力分类 低真空中真空高真空超高真空极高真空 压力范围/Pa 105102 10210

简介：拟制 审核 批准 日期 部门单位东磁太阳能 第 1 页 共 8 页 版本A1.1 编号Q/DM18 技 8.01-2010 PECVD 工艺文件 1. 原理 4.1 PECVD 技术原理 PECVD 等离子体增强化学气相沉积，是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离 子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 等离子体气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中 性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态。 PECVD 方法区别于其它 CVD 方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子

简介：SINGULUS TECHNOLOGIES November 2016 12th CSPV, Jiaxing/China 推动中国高效异质结电池产业化崛起 先进臭氧清洗，ICP-PECVD 及PVD关键设备 Zhenhao Zhang PhD. 张振昊 博士 Technical Director Greater China 大中华区技术总监 SINGULUS TECHNOLOGIES AG 11-2016 - 2 - Outline 1 SINGULUS TECHNOLOGIES AG 2 HJT Solar Cell Process Flow 4 SINGULAR-HET 3 SILE

简介：点击查看更多pecvd精彩内容。

简介：第 15卷第 1期 材 料 科 学 与 工 程 总第 5 7期 V o 1115N o 11 M aterials Science 在 M O S 电路中 , Si3N 4和 SiO 2组成复合栅绝缘层 \[ 2 \], 对于提高电路的击穿电压起了很大作用 , 是 M O S 电路中最重要的工艺之一。它和 SiO 2一起 , 成为半导体工艺不可缺少的介质膜。 氮化硅薄膜还具有很好的机械性能 , 利用它的高硬度和优良的化学稳定性 , 用作耐磨抗蚀涂层 , 有 非常广阔的应用前景。它的主要性能列于表 1 和表 2。 制备氮化硅薄膜 , 通常采用低压化学气相淀积 L PCVD 法、等 离 子

简介：点击查看更多【精品】影响PECVD的工艺参量(1)精彩内容。

简介：点击查看更多背接触硅太阳电池研究进展的副本精彩内容。

简介：维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com