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简介：晶硅太阳能电池生产线工艺及设备调研第一章 背景及原理第二章 主要生产工艺过程第三章 主要设备介绍第四章 深圳相关公司介绍第五章 我国晶硅太阳能电池设备存在三大问题（引用网络文章）第一章 背景及原理1.1 背景略（光伏意义，政府政策等）1.2 硅太阳能电池的结构及其工作原理其主要是利用硅半导体 p-n 结的光生伏打效应。 即当太阳光照射 p-n 结时， 便产生了电子 -空穴对， 并在内建电场的作用下， 电子驱向 n 型区， 空穴驱向 p 型区， 从而使 n 区有过剩的电子， p 区有过剩的空穴，于是在 p-n 结的附近形成了与内建电场方向相反的光生电场。在 n 区与 p 区间产生了电动势。当接

简介：晶体硅扩散工艺研究摘要 本文主要介绍利用 POCl3 液态源法对单晶体硅片进行扩散， 扩散后测其方块电阻以及结深。 假设硅片的结深已经确定的情况下， 研究扩散温度和扩散时间之间的关系， 以便找到扩散工艺中最合适的扩散温度、 时间， 在不影响硅片质量的前提下，缩短扩散时间。关键词 热扩散系数；恒量源扩散；结深；饱和值1 引言随着全球经济的迅速发展和人口的不断增加， 以石油、 天然气和煤炭等为主的化石能源正逐步消耗， 能源危机成为世界各国共同面临的课题。 与此同时， 化石能源造成的环境污染和生态失衡等一系列问题也成为制约社会经济发展甚至威胁人类生存的严重障碍。 新能源应用正成为全球的热点。

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简介：思考题1、 将硅单晶棒制作成硅片包括哪些工序切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验 。2、 切片可决定晶片的哪四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶片研磨后为何要清洗硅片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成 pn 结软击穿，漏电流增加，严重影响器件性能与成品率4、 硅片表面吸附杂质的存在形态有哪些对这些形态按何种顺序进行清洗被吸附杂质的存

简介：编 号碱洗作业指导书 版 本 A/1 受控状态批 准 审 核 编 制日 期 日 期 日 期目的 规范硅片碱洗操作程序 , 指导作业方法 , 提高作业效率 , 保证硅片清洗质量 . 2. 适用范围 本作业指导书适用于生产计划部原材料准备车间碱洗工序 . 3. 工作职责 3.1 对 IC 级硅片、太阳能级单晶硅片、太阳能级多晶硅片进行化学腐蚀清洗 , 去除其表面杂质脏污 , 以满足后续单晶车间、多晶车间的生产需求 . 3.2 严格执行操作工艺流程 , 不断优化作业方法 , 在保障质量和提高产量的基础上 , 逐步降低硅原料的损耗及碱的用量 , 控制生产成本 , 提升营运绩效 .

简介：第二次作业1． （ 1）随着 MOS 器件尺寸不断缩小，栅氧化层的厚度也必须同时减薄。在此情况下，请问 MOS 器件对 Na＋的玷污的敏感度是增加了还是降低了，为什么（ 2） 在栅氧化层厚度不断减薄的情况下， 对于硅片衬底的掺杂 （或者器件沟道区的阈值电压的调整注入） ，必须采用什么样的措施才能保证器件的阈值电压不变，为什么答 （ 1）根据阈值电压2 2 2 s A f MTH FB fox oxqN qQV VC Cε φφ 当 tox 减小时， Cox会增加， 所以此时同样的载流子数量 QM对 V TH有更小的影响， 即 MOS器件对 Na＋的玷污敏感度会降低。（

简介：【项目计划】验证钻石线的薄片加工能力，确保产出薄片各项参数能够满足要求。钻石线切割硅片出刀位置存在细小边崩， 上阶段在对切割工艺进行多方面改善后仍未解决崩边问题，本次试验计划通过试用小颗粒钻石线（ 10-20um ）解决崩边。实验过程鉴于晶片在太阳能正常硅片加工上的经验， 本次薄片切割工艺使用相对成熟的正常片加工工艺。 该工艺能够有效的保证硅片厚度、 TTV 、 翘曲度等各项参数。 部门共进行 5 次切割实验，测试数据如下观察以上数据可以发现，硅片各项参数已基本能够满足 sunpower 要求，但每片硅片出刀口部位均存在崩边，下图为在 olympus 下拍摄的崩边照片。崩边宽度大于 20

简介：1、将硅单晶棒制成硅片的过程中包括哪些工序切片工艺流程切断、滚磨、定晶向、切片、倒角、研磨、腐蚀、抛光、清洗、检验。（滚圆－ X 射线定位－切片－倒角－硅片研磨－清洗－化学腐蚀－热处理 2、切片可决定晶片的哪些四个参数晶向、厚度、斜度、翘度和平行度。3、 硅单晶研磨片清洗的重要性硅片表面层原子因垂直切片方向的化学键被破坏成为悬挂键，形成表面附近的自由力场，极易吸附各种杂质，如颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子等，造成磨片后的硅片易发生变花发蓝发黑等现象，导致低击穿、管道击穿、光刻产生针孔，金属离子和原子易造成pn 结软击穿， 漏电流增加， 严重影响器件性能与成品率。4、 硅片表面

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简介：基础知识 HOW TO MAKE A CHIP52 www.sichinamag.com→集成电路的制造过程中，刻蚀就是利用化学或物理方法有选择性地从硅片表面去除不需要的材料的过程。从工艺上区分，刻蚀可以分为湿法刻蚀和干法刻蚀。前者的主要特点是各向同性刻蚀； 后者是利用等离子体来进行各向异性刻蚀， 可以严格控制纵向和横向刻蚀。干法的各向异性刻蚀， 可以用表面损伤和侧壁钝化两种机制来解释。表面损伤机制是指， 与硅片平行的待刻蚀物质的图形底部， 表面的原子键被破坏， 扩散至此的自由基很容易与其发生反应，使得这个方向的刻蚀得以持续进行。 与硅片垂直的图形侧壁则因为表面原子键完整， 从而形态得到

简介：几种高效率晶体硅太阳能电池性能分析 *付 明 1, 苑 鹏 1 , 范 琳 2 1 华中科技大学电子科学与技术系 , 武汉 430074; 2 武汉优乐光电科技有限公司 , 武汉 430074摘要 综述了晶体硅太阳能电池的发展和研究现状 , 分析了几种高效率晶体硅太阳能电池 的结构 、 制备流程 、优越性以及性能等 , 这些 高 效率 电池 包 括 激光 刻 槽埋 栅 电池 、 PESC、 PERC 和 PERL 电 池 , 以 及 最新 型 太阳 能 电池 金属贯穿孔电池 , 最后讨论了高效率太阳能电池存在的问题 , 展望了 今后太阳能电池的发展趋势 。关键词 晶体硅太阳能电

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简介：I 基于 51 单片机实现的太阳能电池板转向系统设计摘 要太阳能跟踪转向系统是针对太阳能空调、太阳能制氢、太阳辐照度测量、材料老化实验、高效太阳能光伏发电、高效太阳能热水器等需要对太阳进行实时跟踪的应用领域而设计的。太阳能跟踪系统的设计是综合运用地理学、物理学、光学，运动学、 控制理论等学科体现，是当前国内外研究的热点问题之一。太阳能既是一次能源，又是可再生能源。它资源丰富，既可免费使用，又无需运输，对环境无任何污染。为人类创造了一种新的生活形态， 使社会及人类进入一个节约能源减少污染的时代。 所以实现对太阳全天候跟踪，是提高对太阳能运用，利用率有重大意义。该太阳能跟踪系统可以对太阳全方位跟