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简介：晶体硅太阳能电池专业班级 机械设计制造及其自动化 13 秋姓 名 张正红学 号 1334001250324 报告时间 2015 年 12 月晶体硅太阳能电池摘 要 人类面临着有限常规能源和环境破坏严重的双重压力， 能源己经成为越来越值得关注的社会与环境问题。 人们开始急切地寻找其他的能源物质， 而光能、风能、 海洋能以及生物质能这些可再生能源无疑越来越受到人们的关注。 光伏技术也便随之形成并快速地发展了起来， 因此近年来， 光伏市场也得到了快速发展并取得可喜的成就。本文主要就晶体硅太阳能电池发电原理及关键材料进行介绍，并对晶体硅太阳能电池及其关键

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简介：晶体硅太阳能电池生产的生产污水处理工艺熊 宇 , 王伯铎 , 蒋立荣西北 大学 环境 工程 系 , 陕 西 西 安 710127[ 摘 要 ] 太阳 电池 是一 种对 光有 响 应并 能 将 光 能转 换 成 电 力的 器 件 , 其中 晶 体 硅 太阳 能 电 池 为最 常 见 。 就对 晶体 硅太 阳能 电池 生产 环节 进行 分析 , 得 出 其生 产 污 水 的特 征 , 随 之 对其 污 水 的 处理 工 艺 进 行讨 论 , 通 过 类比 法得 出 , 可 使之 达标 排放 污水 处理 工艺 。[ 关键 词 ] 晶体 硅太 阳能 电池 ; 污水 处理 工艺 ; 含氟 污水[

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简介：一、 硅棒 / 硅锭生产设备总目录（ 1）切割 /研磨设备生产厂家名录公 司 名 称 地 区 销售额 员工数 设 备 类 型江苏华盛天龙光电设备股份有限公司 中国大陆 180 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备石家庄威锋机械制造有限公司 中国大陆 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备无锡开源太阳能设备科技有限公司 中国大陆 300 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备无锡上机磨床有限公司 中国大陆 硅棒研磨设备辛格瑪機械股份有限公司 台湾 硅棒研磨设备HCT 瑞士 85 硅棒切割设备Herbert Arnold 德国 100 硅棒切割设备 , 硅棒研磨设备JCM Co.,Ltd. 日本 150 硅棒切割设备

简介：1. 内圆切割和多线切割晶体切割就是利用内圆切片机或者线切割机等专用设备将硅单晶或多晶切割成符合使用要求的薄片过程。硅晶体的切割主要要有内圆切割和多线切割两种形式。内圆切割利用内圆刀片为切割刀具，以其内圆作为刀口，其镶上金刚石颗粒， 一片一片进行磨销切割。 内圆切割品种变换简单方便，灵活，风险低，但是效率低，原料损耗大，硅片体形变大，加工参数一致性差。多线切割利用钢丝切割线携带金刚砂浆液进行磨销，整锭同时切割。其效率高，原料损耗小，硅片体形变小，加工参数一致性好，但是投资大，风险高。2. 硅片的化学减薄所谓化学减薄就是通过酸或碱与硅片表面在一定条件下产生化学反应，对硅片表面进行一层剥离，为抛

简介：盘点提高光伏电池转换效率的若干方法OFweek 太阳能光伏网讯我们这几天打开网站，搜索光伏行业相关新闻，铺天盖地的都是关于美对华的 “双反” 初裁， 各位是不是有种视觉疲劳的感觉呢下面， 咱就换换口味，随小编一起来了解下提高光伏发电效率的几种方法吧。在这之前， 我们先了解下光伏发电系统的基础知识。 光伏发电是太阳能发电的一个主要方式， 它利用太阳光照射在光伏发电系统中的光伏电池上产生光生伏特效应， 将光能直接转换成电能。 典型的光伏发电系统主要由光伏阵列组件、 充放电控制器、 储能装置和负载等组成。经过光伏组件得到的电能受外界环境因素的影响很不稳定，需要经过 DC-DC 转换器将不稳定的

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简介：广东工业大学实验报告学院 专业 班 成绩评定学号 姓名 （ 号） 教师签名预习情况 操作情况 考勤情况 数据处理情况半导体器件实验 题目 硼扩散工艺 第 周 星期一、 实验目的1. 了解基区扩散；2. 熟悉硼扩散工艺；3. 了解热扩散炉的结构及操作。二、 实验原理扩散是微观粒子的一种极为普遍的热运动形式， 各种分离器件和集成电路制造中的固态扩散工艺简称扩散， 硼扩散工艺是将一定数量的硼杂质掺入到硅片晶体中， 以改变硅片原来的电学性质。硼扩散是属于替位式扩散， 采用预扩散和再扩散两个扩散完成。（ 1） 预扩散硼杂质浓度分布方程为Nx,tNserfc ｛ x/2D1t ｝表示恒定表

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简介：实验题目硅片的扩散技术一、 实验目的1. 了解扩散设备的工作原理和操作方法，明确扩散技术在半导体器件制造工艺中的作用。2. 掌握扩散技术的原理和工艺方法。二、 实验设备、材料和用具扩散源、石英器皿、恒温扩散炉图 1 恒温扩散炉扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和 PN结。 在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。 但随着离子注入的出现， 扩散工艺在制备浅结、 低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。三、扩散机构1. 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与 Si 原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，

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简介：扩散工艺常见质量问题及分析一、硅片表面不良1、表面合金点。形成表面合金点的主要原因是表面浓度过高。（ 1） 预淀积时携带源的气体流量过大。如 CVD 预淀积时源的浓度过高，液态源预淀积时通源的气体流量过大或在通气时发生气体流量过冲；（ 2） 源温过高，使扩散源的蒸气压过大；（ 3） 源的纯度不高，含有杂质或水份；（ 4） 预淀积时扩散温度过高，时间太长；为了改善高浓度扩散的表面，常在浓度较高的预淀积气氛中加一点氯气，防止合金点产生。2、表面黑点或白雾。这是扩散工艺中经常出现的表面问题。一般在显微镜下观察是密布的小黑点，在聚光灯下看是或浓或淡的白雾。产生的原因主要有（ 1） 硅片表面清洗不良

简介：第 27 卷 第 7 期2006 年 7 月半 导 体 学 报CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 27 No. 7J uly ,20063 国家高技术研究发展计划资助项目 批准号 2002AA3Z1110 通信作者 . Email cookiefile 126. com2005208227 收到 ,2005211210 定稿 Ζ 2006 中国电子学会降低硅片表面微粗糙度的预氧化清洗工艺 3库黎明 1 , 王 敬 2 周旗钢 11 北京有色金属研究总院 , 北京 100088 2 清华大学微电子