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简介：太阳能级硅片生产工艺中悬浮液粘度研究作者 李彦林 ， 羊建坤 ， 任丙彦 ， 王会贤 ， 范玉红 ， 张立科 ， 王文江作者单位 李彦林 ,羊建坤 ,任丙彦 河北工业大学 ,材料学院 ,天津 ,300130 ， 王会贤 ,范玉红 ,张立科,王文江 河北晶龙集团 ,河北宁晋 ,055550相似文献 10条1.会议论文 李泽梁 . 李俊明 . 王补宣 分散剂对纳米颗粒悬浮液粘度及热导率的影响 2004分散剂的加入能够增强纳米悬浮液的稳定性 . 对氧化铜纳米悬浮液的粘度进行的实验研究发现 , 分散剂质量分数的变化对粘度的影响远超过纳米颗粒质量分数变化的影响 . 本文结合实验数据 ,

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简介：晶体硅太阳能电池生产工艺流程图电池片工艺流程说明1 清洗、制绒首先用化学碱（或酸）腐蚀硅片，以去除硅片表面机械损伤层， 并进行硅片表面织构化， 形成金字塔结构的绒面从而减少光反射。 现在常用的硅片的厚度在 180 μ m 左右。 去除硅片表面损伤层是太阳能电池制造的第一道常规工序。2 甩干清洗后的硅片使用离心甩干机进行甩干。3 扩散、刻蚀多数厂家都选用 P型硅片来制作太阳能电池，一般用 POCl3液态源作为扩散源。扩散设备可用横向石英管或链式扩散炉 , 进行磷扩散形成 P-N结。扩散的最高温度可达到 850- 900℃。这种方法制出的 PN结均匀性好， 方块电阻的不均匀

简介：晶硅太阳能电池板的制作过程1、 表面制绒 单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀， 在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。由于入射光在表面的多次反射和折射， 增加了光的吸收， 提高了电池的短路电流和转换效率。 硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液，可用的碱有氢氧化钠，氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。大多使用廉价的浓度约为 1的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅，腐蚀温度为70-85 ℃。为了获得均匀的绒面，还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂，以加快硅的腐蚀。制备绒面前，硅片须先进行初步表面腐蚀，用碱性或酸性腐蚀液蚀去约 20～ 25μm ，在腐蚀绒面后，进行一般的化

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简介：太阳能硅片的化学清洗工艺标签 硅片 化学清洗 污染 太阳能 离子太阳能硅片经过线切割机的切割加工后，其表面已受到严重沾污，要达到太阳能发电的工业应用标准， 就必须经过严格的清洗工序。 由于切割带来的严重污染，其表面的清洗工序也必然需要比较复杂和精细的工艺流程。一、硅片污染分类具体来说太阳能硅片表面沾污大致可分为三类1、 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用， 结合兆声波清洗技术来去除。2、颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或兆声波清洗技术来去除粒径≥ 0.4 μm 颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μm 颗粒。3、金属离子沾污该污染必须采用化学的方法才能将其清洗掉。硅片表面

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简介：48 所扩散过程中问题解决方案问题 原因 解决方法扩散不到1.炉门没关紧，有源被抽风抽走。2.携带气体大氮量太少， 不能将源带到管前。3.管口抽风太大。1.由设备人员将炉门重新定位， 确保石英门和石英管口很好贴合。2.增大携带气体大氮的流量。3.将石英门旁边管口抽风减小。方阻偏高 /偏低偏高 1.扩散温度偏低。2.源量不够，不能足够掺杂。3.源温较低于设置 20 度。4.石英管饱和不够。1.升高扩散温度，加大源量 . 2.延长扩散时间。3.增加淀积温度。偏低 1.扩散温度偏高。2.源温较高于 20 度。1.减小扩散温度。2.减少扩散时间。3.减少淀积温度。片间方阻不均匀 扩散温度不均匀

简介：第 12 届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（晶体硅材料及电池）晶体硅太阳能电池的缺陷检测及分析李召彬李召彬 王祺王祺 丁娈丁娈 季亦菲（中电电气（南京）光伏有限公司 211100）摘要 针对晶体硅太阳电池缺陷的检测问题，利用多种测试设备（ EL、 PL、 Corescan等） ，在电池制作的主要工序段（扩散、镀膜、印刷、烧结）对硅片和电池片进行检测，归纳和总结了电池的各种典型缺陷的成因，利用这些检测手段和分析结果，能够及时有效地反馈生产过程中产生的缺陷类型，有利于生产工艺的改进和质量的控制 。关键词 晶体硅太阳电池 缺陷 检测 分析1、 引言在大规模应用和工业生产中 ,晶硅太阳能电池占

简介：太阳能电池的发展趋势紧紧围绕提高光电转换效率和降低生产成本两大目标的各种新型太阳能电池的研究工作，一直在各发达国家及一些发展中国家积极进行。所谓新型太阳能电池， 是指用新材料、新结构和新工艺制造的太阳能电池。 目前晶体硅高效太阳能电池和各类薄膜太阳能电池是全球新型太阳能电池研究开发的两大热点和重点。 高效单晶硅太阳能电池的光电转换效率已接近２５％， 高效多晶硅太阳能电池的光电转换效率已超过２０％。 薄膜太阳能电池的研究工作主要集中在非晶硅薄膜电池、 ＣｄＴｅ系薄膜电池、 ＣＩＳ系薄膜电池和多晶硅薄膜电池上。非晶硅薄膜电池的研发， 重点是研究解决电池的光致衰降和提高效率问题。 经过努力， 已有