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简介：如何提高太阳能电池的转化效率学院理学院班级物理 081 姓名汤志强学号 22 摘 要太阳能电池原理如图 其结构就是一个较大的 PN 结，其工作原理核心是广生伏特效应，即光照射到半导体表面，由于内建电厂的作用半导体内部产生电动势，若在其外部构成适当回路就可产生电流，即光生电流。随 着 化 石 能 源 的 日 益 枯 竭 、 人 们 对 环 境 保 护 问 题 的 重 视 程 度 不 断 提 高 ,寻 找 洁 净的 替 代 能 源 问 题 变 得 越 来 越 迫 切 。 太 阳 能 作 为 一 种 可 再 生 清 洁 能 源 ,并 可 持 续 利用 ,因 此 有 着 广 阔 的 应 用

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简介：去 PSG工艺作业指导书公司生产车间名称 光伏 1号文件名称 去PSG工艺作业指导书版本 A 文件编号 修订文件类型 撰写人目的 1.去除磷硅玻璃（ PSG） ；2.制作合格的太阳能硅片，保证人生安全。适用范围去除硅片表面的 PSG 职责工艺工程师 1.设定标准参数2.设定标准操作规程主要原材料及半成品刻蚀后的标准硅片， HF，分析纯 /电子级主要仪器设备及工具 去磷硅玻璃清洗设备， 电阻率测试仪，花篮承载框，清洗小花篮，量杯。工艺技术要求操作规程 （ 1） 配液 按处理液配方配制去磷硅玻璃处理液，处理液配方

简介：切片线痕分析与对策线痕分类 杂质线痕 、 划伤线痕 、 密布线痕 、 错位线痕 、 边缘线痕 。各种线痕产生原因如下① 杂质线痕 由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片产生相关线痕。表现形式⑴线痕上有可见黑点，即杂质点。⑵无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对出现即一片凹入，一片凸出，并处相同位置。⑶以上两种情况都有。⑷一般情况下杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法㈠改善原料或铸锭工艺，改善 IPQC 检测手段。㈡改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速，提高线速。② 密布线痕 由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密布线痕。表现形式

简介：实验 20 太阳能电池特性的测量太阳能是一种新能源， 对太阳能的充分利用可以解决人类日趋增长的能源需求问题。 目前， 太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。 利用太阳能发电目前有两种方法， 一是利用热能产生蒸汽驱动发电机发电， 二是太阳能电池。 太阳能的利用和太阳能电池的特性研究是 21 世纪的热门课题。太阳能电池也称光伏电池， 是将太阳辐射能直接转换为电能的器件。 由这种器件与相配套的装置组成的太阳能电池发电系统具有不消耗常规能源、 无转动部件、 寿命长、 维护简单、使用方便、 功率大小可任意组合、无噪声、无污染等优点。世界上第一块实验用半导体太阳能电池是美国贝尔实验室于 1954 年研

简介：抛光片生产流程生产工艺流程简要介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。9 m- T8 E8 u. ] S3 8 Q C O5 g6 t切片 将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。 此过程中产生的硅粉采用水淋， 产生废水和硅渣。 g2 I; r* \ Y8 e/ |4 v0 [; b. r4 o g } z退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角 将退火的硅片进行修整成圆弧形， 防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水

简介：PV 制程真空或工艺真空 的作用是机台内部机械手吸附硅片或真空吸笔（或叫真空小镊子） 吸硅片来挑片用。 半导 体 芯片 设计 版 图 芯片 制造 工 艺 制程 封装 测 试 ,wafer,chip,ic,process,layout,pa ckage,FA,QA-GW bs5J3P5n一般机台对 PV 的真空度要求是 － 500mmHg ，所以真空吸笔一般负压也要 － 500mmHg 。PV 的单位表示为毫米汞柱 或 Torr 、 bar 、 PSI 等 . 半导体 芯 片 设计 版图 晶 圆 制造 工艺 制 程 封装 测试 ,wafer,chip,

简介：瑞能科技技术设计说明瑞能科技技术设计说明1 全自动太阳能硅片去磷硅玻璃清洗机说明无锡市瑞能科技有限公司一． 总述全自动去磷硅玻璃清洗机用于太阳能硅晶片在扩散后的处理。机器共分机架、工作槽、上下料部件、机械手、喷淋系统、电气系统、气动系统、风道及管道等八大主要部分，整机动作由 PLC 控制。整机为全封闭结构，避免污染环境。二． 机器单槽处理量单槽可处理 300 片 156x156 硅片或 400 片 125x125 硅片。三． 动作及工艺流程该设备为全自动运行，操作者将装有工件的清洗篮放在上料台上后，进料输送装置将清洗篮运送到虚拟进料槽，机械手在 PLC 的指令下，将清洗篮运送到相关槽位，进行

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简介：实验部分第一步清洗硅片将硅片分别用丙酮和乙醇超声清洗不少于 10 分钟， 除去表面有机物。再将经上述处理的硅片放入体积比为 31 的 H 2SO4、 H2O2 溶液中加热煮沸 10 分钟，进一步去除有机物，最后用 HF 酸洗去除硅片表面氧化层。第二部将硅片取出并迅速放入的 4.6mol/LHF 和 0.002mol/LAgNO 3 的水溶液中，浸没时间在 5min，然后迅速取出，此时硅片表面均匀地沉积了一层银纳米颗粒。将沉积好的好的银纳米颗粒的硅片用去离子水清洗， 再浸入刻烛溶液中 HF-AgNO3-KMnO 4， 其中 HF 的浓度固定为 4.6mol/LHF 而 AgNO3的浓