简介：Faculty ofEngieringShPhtvoltac d Renwable Enrgy nieringNew Isi iHyro IducDradto Astudyon p-dn-tp Silc Oth pstUNSW 氢致衰减的新发现 对于型/型硅片的进一步研究 USW的其他进展Daniel ChnotributrsPilpG.Hamer,MonygKim,ShaoyngLiu,AlisonCiesla,hE.,RChFiacreRouxZZh,BrdWrigt,arloVrgsArfSdi,UtkrsVrse,VicriStefniCdnyS,ZivrXy,HJiMlm

简介：ZnO,S/CZTSe及In 2S3/ZnO,S/CZTSe薄膜太阳电池的数值仿真 姜振武，高守帅，王思宇，王东潇，孙亚莉，曾玉，李秀玲，潘国兴, 张毅 * 天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室 南开大学电子信息与光学工程学院 天津 300350 摘要 利用wxAMPS软件ZnO,S/CZTSe太阳电池进行了模拟仿真，研究了ZnO,S缓冲层中不同的 S/SO比值和ZnO,S层的厚度对ZnO,S/CZTSe 太阳电池的性能的影响。并在传统的 ZnO,S /CZTSe太阳电池的结构中引入了 In2S3缓冲层，通过退火处理的方法使In 2S3扩散到ZnO,S层

简介：电沉积 Cu/In/Ga 金属预制层后硒化过程中 Cu 对 Ga 扩散的影响 高青 敖建平* 毕金莲 张照景 郭佳佳 孙云 孙国忠 张毅 刘玮 周志强 刘芳芳 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,光电 信息技术科学教育部重点实验室，天津 300071 摘要后硒化法制备 CIGSe 薄膜过程中，由于 In 与 Se 反应优先于 Ga 与 Se 反应，导致 Ga 在 薄膜背部聚集，影响 CIGSe 薄膜表面带隙优化和器件 VOC 的提高。本文采用电沉积三步后硒化 法研究了硒化过程中薄膜内 Cu 含量对 Ga 扩散的影响。当薄膜中 Cu/InGa0

简介：Page 1of 2 我们非常荣幸您能接受邀请出席本届大会并做“晶体硅材料及太阳电池”分会场特邀报告，为了更好的宣传大会， 请您填写下面的表格并与 5 月 5 日之前发回大会组委会 cpvcmail.iee.ac.cn，谢谢 姓名 Name 杨旭东 职位 Position 教授/研究员 单位 Company 上海交通大学 联系电话 Mobile for On- site Contact 15221669867 邮件 E-mail Yang.xudongsjtu.edu.cn 个人简介 Personal Brief Introduction 主要从事半导体物理、半导体材料和光电器件尤其是

简介：应用 DMF 溶剂精确调节元素成分配比制备高效 CZTSSe 薄膜太阳电池 栾红梅 1,2，姚斌 1,2,*，李永峰 1,2,*，丁战辉 2 1. 吉林大学新型电池物理与技术教育部重点实验室，长春 130012；2. 吉林大学物 理学院，长春 130012 * binyaojlu.edu.cn ；liyongfengjlu.edu.cn 摘 要本论文分别以二甲基亚砜DMSO和二甲基甲酰胺DMF作为溶剂，采用低成本、制备工艺简 单的溶胶凝胶法，经过热硒化处理，制备以 CZTSSe 薄膜为吸收层的薄膜太阳电池并给出其 J-V 特性 曲线如图 2（a） 。通过比较两种电池的电池性能，

简介：P h o t o v o l t a i c a n d A d v a n c e d M a t e r i a l s Oct 24th, 2018 双面 ≠双玻 透 明 Tedlar®薄膜基背 板 是双面组件最可靠选择 胡红杰 博士 杜 邦 光 伏与 先 进 材 料 事业部 D u P o n t P h o t o v o l t a i c difference of means -4.7 ▪ 五 月到八月（夏季） 普 通组件平均功率明显 高于 双玻组件 p0.000 91） 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 290

简介：N 型高效抗 PID 太阳电池工艺研究 张伟 郎芳 王子谦 李锋 史金超 光伏材料与技术国家重点实验室 英利能源（中国）有限公司 摘要电势诱导衰减（potential induced degradation, PID）效应是导致光伏组件输出功率下降的 主要原因之一。本文通过优化 N 型电池工艺，包括增加 PN 结的深度，提高减反射膜的介电常 数，采用叠层减反射膜等方式，可以阻挡钠离子破坏电池的 PN 结，将电池的 PID 衰减控制在 1.5以内。同时结合离子注入技术，电池的量产效率可以达到 21以上，形成了一套高效率高 稳定性的太阳电池制备工艺。 关键词电势诱导衰减；PN 结；减反射

简介：浅析 MPPT 控制方式对复杂地形山地光伏电站 发电量的提升影响研究 邹敏 （中国大唐集团新能源科学技术研究院有限公司，北京，100040） 摘要山地光伏的主要特点是地形复杂、起伏不平、子阵分散、朝向各异等，由此造成设计难度大， 建设成本高、发电效率减少。为改善山地光伏电站的不利条件，有效提升发电量，降低投资及后期运 维成本，本文探讨了针对光伏组件工作状态而确定的 MPPT 控制方式对光伏电站发电量提升的影响。 关键字光伏发电系统、数学模型、最大功率点跟踪当前，我国山地光伏电站的规模逐渐扩大，山地 光伏的主要特点就是子阵分散、以及山高坡陡、地形起伏地形不连续以及大小不一等。 ，为了改善山

简介：溶液法制备 CuSbS2 多晶薄膜及其在太阳电池中的应用研究 徐亚峰 1 朱俊 1, 2* 戴松元 3 （1. 中国科学院合肥物质科学研究院，光伏与节能材料重点实验室，合肥 230031；2. 合 肥工业大学，合肥 230009；3. 华北电力大学，北京 102206） *E-mail zhujzhugmail.com 主要研究方向新型薄膜太阳电池与发光二极管 摘要本文介绍了一种沉积 CuSbS2 多晶薄膜的溶液加工方法。采用丁基二硫代氨基甲酸与 Cu2O，Sb 2O3 反应制备金属有机分子前驱体溶液，将该溶液旋涂到基底上并在惰性气体环境下 热解即可制备出致密平整纯相的 CuSbS2

简介：1 基于四元靶的铜铟镓硒薄膜一步溅射方法及其退火处理 曾龙龙，张林泉，蒋金春，曾淳泓，周建，洪瑞江 * （中山大学太阳能系统研究所，广东省光伏技术重点实验室，广东 广州 510006） 摘要通过四元靶一步 RF 溅射及退火处理，在加热衬底上得到了非分层、结晶性良好 的 CIGS 薄膜。薄膜呈柱状结构的各向异性生长模式 。退火处理使柱状晶重结晶形成非分层致 密膜层，并且 550℃退火还会在 Mo／CIGS 界面上引入一层较薄的 MoSe2 层。此外，退火之后， 膜层中由于 Se 挥发导致的 Se 缺失得到了有效补偿，In 和 Ga 的含量基本不变。研究结果表明， 四元靶一步溅射及退火处理是制

简介：通过溶剂分子交换制备大颗粒钙钛矿薄膜 任英科 1，丁勇 1，戴松元 1 （1 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室， 北京 102206） 摘要一般情况下，晶界之间容易导致载流子的复合，钙钛矿晶粒数量和晶界数目成反比。制 备大晶粒的钙钛矿薄膜，可以提高电池性能。前驱体溶液中认为 PbI42-会成为早期的钙钛矿晶核， 并且成为薄膜的复合中心。在这里，我们提出了一个简单的溶剂交换策略（SES）制备大晶粒 钙钛矿薄膜。在采用化学计量比的 PbI2MAIDMSO（322）前驱体溶液，通过减少了胶体 （PbI 42-）的数量，制备钙钛矿晶粒尺寸到 2μm。SES 制备的钙钛矿电池器件效率

简介：能源改变生活，标准锻造品质 光伏电池、硅片及相关辅材  题目晶 硅电池铝膜水煮测试方法 预研 汇报 人 沈国平 时间 2018-10 目录 铝膜结构及水煮测试1 影响因素分析及验证2 水煮测试 方法（ 预）3 常规及 PERC电池背面 SEM 硅 基体、 L-BSF层、合金层、 铝膜层 1.1 铝膜结构  铝膜水煮测试是在一种高温高湿条件下进行的加速老化 测试；  若铝膜存在隐患，电池片在运输、存储时易发生铝粉脱落 的情况，可能导致外观不良与 可靠性隐患； 1.2 铝膜水煮测试  业内 各 企业均有做铝膜水煮测试，但测试 条件和判定 标准 各不相同 。 1.3 铝膜

简介：简易机械手段调控透明导电聚合物薄膜的光电特性 赵永刚 吕明智 苏浩 刘奇明 贺德衍 （兰州大学物理科学与技术学院，兰州，730000） 摘要PEDOTPSS 是一种广泛应用的透明导电聚合物，因其具有良好的的透过率和柔性，众 多科学研究者认为它很有可能发展成为有机太阳能电池等有机光电子器件理想的柔性透明电极 材料。然而，作为电极材料，必须具有高的电导率，没有经过处理的 PEDOTPSS 的电导率较 低，还不能很好的满足电极材料的要求。本文的主要内容是在柔性 PET 衬底上面旋涂一层 PEDOTPSS 薄膜，对该样品进行高压强机械处理，最后测试 PEDOTPSS 薄膜的光电特性，发 现

简介：并联机构式太阳追踪装置设计及工作区间分析 李党伟 杜小强 （浙江理工大学 机械与自动控制学院，杭州 310018） 摘要本文通过修正后的太阳方位角公式，求解出全年跟踪太阳时的理想追踪区域，基于传 统的串联式太阳追踪装置不足之处，对具有 2 旋转自由度的并联机构进行机构综合和分析，得 出一类能够满足太阳追踪用的并联机构，并以其中一个 U-PRU-PUS 并联机构为例进行运动学 分析及追踪区间求解，得出此并联机构在结构上能够有效跟踪太阳。 关键词太阳追踪；并联机构；工作空间；方位角修正 1. 研究背景与内容 根据研究表明，在利用太阳能 PV 板发电中，如果控制太阳能 PV 板的朝向，能使其入

简介：磁控溅射沉积温度对铜锌锡硫薄膜影响的研究 曾淳泓 1，3 ，蒋金春 2，3 ，张林泉 1，3 ，曾龙龙 1，3 ，周建 1，3 ，洪瑞江 1，3 1. 中山大学 物理学院 2. 中山大学 材料科学与工程学院 3. 中山大学 太阳能系统研究所 摘要通过磁控溅射，以固定比例的铜锌锡硫CZTS四元靶作为靶材，在不同温度下沉积 得到 CZTS 薄膜，之后将薄膜在硫氛围下进行退火处理，得到硫化退火后的 CZTS 薄膜。通过 对硫化退火前后不同温度下沉积的 CZTS 薄膜进行表征，发现随着沉积温度的提高，硫化退火 前的薄膜结晶性逐渐增加，形成的晶粒在硫化退火的过程中生长能够在一定程度下抑制二次