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  • 简介:CSIQ NASDAQ Guidelines for I-V measurement and sorting of bifacial photovoltaic cells in production line 2018.10.25 2Canadian Solar Inc. Contents Background Draft Proposal of Standard Appendix Deviation Analysis of Bifacial Fitting Method 3Canadian Solar Inc. Background The market share of bifac
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  • 简介:Photovoltaic Crystalline Wafers - Part2 Specifications for Geometric Characteristics 光伏晶体硅片 第 2部分 几何特性要求 GCL,2018.10 01 Wafer Standard system 硅片 标 准体系 02 Geometric Characteristics standard 硅片尺寸 标 准 03 Progress on the project 标 准 进 展 04 Work Plan for the Next Step 下一步工作 计 划 Outline 目录 1、 Wafer S
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  • 简介: 2018年8月23日2018太阳电池中国最高效结果发布中国可再生能源学会光伏专业委员会(CPVS)北京九华山庄 2 发言提纲1 2018年 ( 第 二 版 ) CPVS电 池 效 率 表 发 布 进 一 步 工 作 的 考 虑2 3 分 隔 页 标 题 文 字 Presentation Title一、2018年(第二版)CPVS电池效率表发布 4 单位 提交报告份数 电池结构天合光能 3 N-IBC,PERC,n-PERT晶科能源 1 N-Si,PERC汉能薄膜 4 GaAS单结、双结),CIGS中山大学 4 N-IBC,CrOx/p-Si,In2S
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  • 简介:Measurement of light and elevated temperature induced degradation LeTID of crystalline Si photovoltaic solar cells 2018.10.25 Participants NO. Company/Institute Participants 1 GCL System IntegrationTechnology Co., LTD Sheng Jian, Wang Wei, Wu Yanrong 2 Canadian Solar Inc. Jiang Fangdan, Zhang Daq
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  • 简介:Discussion of the backsheet function for PV module and How to design a innovated backsheet in DSM Jack Li 15th May 2018 Confidential Outlines Backsheet evolution What we talk about when we talk about backsheet New backsheet designed by DSM The technical trend of PV backsheet About Cells P
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  • 简介:| Company | Presentation Title I Date www.jinkosolar.com IEC63202-1 PHOTOVOLTAIC CELLS – Part 1 Measurements of light-induced degradation of crystalline silicon solar cells 2 OUTLINE Progress updates Revision presentation Collection of comments 3 IEC63202-1 key facts ◆ 2017 August-Sep
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  • 简介:JinkoSolar Co., Ltd. 双面组件功率标定及户外发电量研究 IV charaterization and Field energy output of Bifacial modules 2018/10 组件研发 Module RD 目录/Contents  双面组件I-V测试现状 I-V measurement of bifacial modules I-V测试方法现状 current I-V test method 铭牌要求现状 nameplate request 双面产品I-V标定建议 I-V calibration suggestion on bif
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  • 简介:电站侧对光伏电池组件新技术的考量北控清洁能源集团有限公司/技术及研发部陈雄飞 光伏行业的技术进步推动着光伏发电平价上网进程电站侧作为终端应用环节,需要新技术的支持,提高站的投资收益。 考量一新技术对投资 收益的影响 考量二新技术的可行 性 考量三新技术与现有 系统方案设计的兼容性 新技术的应用评估 考量一新技术对投资收益的影响 相对更低的度电成本(LCOE)高可靠性,长寿命保障稳定投资收益IR影响光伏电站因素利用小时数、上网电价投资成本、融等,相对而言上网电价和融资成本是相固定的,并受政策较大,新技术应主要体现在提高光伏站可利用小时数降投。 来源新能投融资圈 光伏电池组件新技术如
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  • 简介:AZO-ITO 双层透明导电膜性能研究 申绪男 ﹡ ,杨明,张超,乔在祥 单位中国电子科技集团公司第十八研究所 (申绪男硕士,工程师,从事薄膜太阳电池研发工作,Emailxnshennklps.org) 摘要透明导电膜(TCO)是 CIGS 薄膜太阳电池的重要组成部分。磁控溅射法是制备 TCO 膜 最为常用的方法。然而,为了实现 TCO 膜性能的提升,一般采用制备过程中衬底加热或者后退 火工艺。然而,较高的温度会对 CIGS 太阳电池中 CdS 层造成不利的影响。本文设计并制备了 掺铝氧化锌(AZO)和氧化铟锡(ITO)双层膜系作为 CIGS 太阳电池窗口层。通过改变 AZO 和
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  • 简介:- 0 - 2018-9-6沈 辉 - 1 - 2018-9-6 光 伏 技 术 溯 源 太 阳 电 池 发 展 评 估 新 型 硅 基 异 质 结 太 阳 电 池 古 代 太 阳 文 化 与 技 术 快 闪 结 束 语( SiliconPV 2018, EPFL, Lausanne, Switzerland) - 2 - 2018-9-6 意 大 利 ( 1786, 1800) 伽 瓦 尼 、 伏 打 A.Volta- 电 化 学 、 直 流 电 法 国 ( 1839) 埃 德 蒙 ˙ 贝 克 勒 尔 - 光 电 流 现 象 德 国 ( 1887) 海 因 里
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  • 简介:未封装的太阳电池片紫外老化衰减率研究 吕首首,陈鹏,吴兆* 无锡市产品质量监督检验院,国家太阳能光伏产品质量监督检验中心 通讯作者吴兆,博士,国家太阳能光伏产品质量监督检验中心检研工程师,研究方向为薄膜太阳电池、薄膜材料、光伏组件衰减机理、 有限元分析等;通讯邮箱wz_cpvt163.com。 一、研究背景 紫外辐照是影响光伏组件户外稳定运行的一大因素,目前已知紫外对光伏组件的封装材料及背板 [13]等 有较为显著的影响。然而紫外辐照作为一类可以直接作用于太阳电池片的环境条件,其对于太阳电池片的影响 还不十分明确 [4,5]。IEC 标准中关于紫外预处理的部分对与紫外辐照的影响考虑的
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  • 简介: ,*-   -    “   2018.08.21--23 .1L XH DT 6 Ø“-BH l 4YE 5F .RZ l“B “-E
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  • 简介:AMROCK Copyright AMROCK Pty Ltd © 2018 Prospect of New Technologies for a Multi-TeraWatt PV Market Pierre Verlinden and Chen Yifeng* CREAC Conference, Beijing Aug. 21-23, 2018 2 AMROCK Copyright AMROCK Pty Ltd © 2018 Status of PV Deployment in the World ✓ 0.5 TW cumulative Capacity by t
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  • 简介:能源改变生活,标准锻造品质 光伏电池、硅片及相关辅材 ◼ 题目 晶体硅工作标准电池制作规范 汇报单位 英利绿色能源控股有限公司 汇报人 李学健 光伏技术实验室 主任 时间 2018-10-25 晶体硅工作标准电池制作规范 目 录 一、制作背景及目的 四、 现阶段标准研究成果 三、 国内外相关标准现状 二、 研究基础 晶体硅工作标准电池制作规范 2012年 -2017年全国太阳能电池产量稳步增长, 2017年全国太阳能电池产量为 94G瓦,同比增长 30.62。 2018年 1-7月全国太阳能电池产量为 53G瓦,同比增长 7.53。 近几年晶硅电池产业随各种工艺技术的
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  • 简介:无机钙钛矿光电探测器研究 谢华珣 1,2,许佳 2,姚建曦 2,戴松元 1 1(华北电力大学,新型薄膜太阳电池北京市重点实验室,北京,102206) 2(华北电力大学,能源的安全与清洁利用北京市重点实验室,北京,102206) 摘要本文采用一步溶液法,通过在前驱体溶液中引入 CsBr 有效降低了 α-CsPbI3 的合成温度, 在 120℃下制备了室温、空气中稳定的立方无机 α-CsPbI3-xBrx(x 0.5)薄膜,在此基础上通过 改变铯源、铅源种类和比例制备了 CsPbI2Br、CsPbIBr 2、CsPbBr 3 薄膜。将其用于不同结构的光 电探测器,研究了探测器的光电性能。 关键
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