B406+Li2S掺杂CZTSe薄膜及太阳电池探究+刘越 （1页）

Li2S掺杂 CZTSe薄膜及太阳电池探究 刘越 申展 王思宇 张毅 * 南开大学光电子薄膜技术研究所 天津， 300350 摘要 Li2S掺杂后元素分布 器件性能对比 采用在硒化金属预制层的过程中添加 Li2S的方式制备了碱金属掺杂 的 CZTSe化合物薄膜太阳电池 ， 并研究了 Li2S对 CZ

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B309+银掺杂的铜铟镓硒薄膜和器件性能研究+王晨 （1页）

Fig.4 a PL spectra of the absorbers with different AAC of A0–A6, respectively. b The PL spectrum of sample C6, in which the Ag in A6 is replaced with

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N型单晶硼掺杂技术研究 （20页）

N型单晶硼掺杂技术研究 王子谦 光伏材料与技术国家重点实验室 英利能源（中国）有限公司 PROPRIETARY AND CONFIDENTIAL 2 内容提要 1 N型单晶硅离子注入电池简介 硼发射极理论介绍 2 3 硼发射极工艺研究 3 总 结 PROPRIETARY AND CONFIDENTI

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掺杂非晶硅沉积过程对SHJ太阳电池界面钝化影响研究-吴卓鹏 （10页）

掺杂 非晶硅 沉积过程对 SHJ太阳电池界面 钝化影响研究 西安 2018-11-10 中科院上海微系统与信息技术研究所 吴卓鹏 1 主要内容 1. 背景介绍 2. 掺杂非晶硅沉积对钝化性能影响 3. 掺杂非晶硅沉积对本征非晶硅结构影响 4. SHJ电池性能 5. 总结 2 3 背景介绍 n a-S

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激光掺杂及相关损伤研究-杨宁 （12页）

2018第十四届中国太阳能级硅及光伏发电研讨会 激光掺杂及相关损伤研究 华东理工大学 新能源材料与器件课题组 杨宁 2018-11-09 目录 1.激光与选择性发射极 2.激光磷掺杂 3.激光硼掺杂 4.总结 激光与选择性发射极 掩膜激光技术 电镀技术 对准技术 激光 /SE 刻槽埋栅 电...

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过渡金属掺杂氧化铟透明导电薄膜初步研究-王光红 （12页）

过渡金属 Hf掺杂 氧化铟透明导电薄膜初步 研究 王光红 1,2, 赵雷 1,2, 刁宏伟 1, 王文静 1,2 1中国科学院太阳能热利用及光伏系统重点实验室 , 中国科学院电工研究所 , 北京 100190 2 中国科学院大学 , 北京 100049 研究背景及意义 Hf掺杂 In2O3的电

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前表面掺杂非晶硅的特性对异质结背接触...-包建辉 （6页）

包建辉、贾锐 、 陶科、姜帅、周颖、姬濯宇 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China 中国科学院微电子研究所 2018-11-8 前表面掺杂非晶硅的特性对异质结 -背 接触 HBC电池性能的

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非掺杂异质结IBC太阳能电池的研究-林豪 （12页）

1896 1920 1987 2006 非掺杂异质结全背太阳能电池的研究 林豪 1,3，高平奇 2,3，王佳佳 3，张龙飞 3，沈 文忠 1,* 1上海交通大学太阳能研究所 ,物理与天文系 2中山大学，材料学 院 3中国科学院宁波材料技术与工程研究所 1.Backgroud Eff. 26.6 HJ

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隆基吕俊博士《P型Ga掺杂单晶电池光衰研究及技术进展》 （24页）

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PECVD沉积参数对磷掺杂钝化接触结构的影响研究 （17页）

p技术总结 一、PECVD沉积温度对钝化接触结构影响最为显著 温度提高会轻微提高沉积速率； 温度提高会提高本征非晶硅及后续的掺杂多晶硅结晶度； 薄膜在较高沉积温度下可获得较好的致密度； 较高的结晶度及致密度会降低磷的掺杂速率； 钝化效果随温度提高先上升后下降...

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10001015_基于硼掺杂电子传输层的高效钙钛矿太阳电池 （4页）

1 基于硼掺杂电子传输层的高效钙钛矿太阳电池 时小强 1，丁 勇 1，胡林华 2，戴松元 1，2 （ 1 华北电力大学可再生能源学院 新型薄膜太阳电池北京市重点实验室，北京 102206； 2 中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所 光伏与节能材料重点实验室，合肥 230031...

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基于掺杂PECVD硅膜的钝化接触的N型高效硅太阳膜电池 （5页）

Contents lists available at ScienceDirect Solar Energy Materials and Solar Cells journal homepage www.elsevier.com/locate/solmat High efficiency n-type

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N型单晶硼掺杂技术研究-英利王子谦 （19页）

p技术总结 在保证正面硼扩散方阻不变的情况下，采用低表面浓度深结工艺，仿真模拟结果显示，能够实现开路电压的有效提升，电池转换效率也能够实现明显提升。 以仿真模拟为基础进行实验设计，并进行N型双面电池的实验验证。优化后的低表面浓度的深结扩散工艺可增加短...

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双层梯度掺杂发射极HIT 太阳电池的模拟研究-高江-南昌大学.pdf （5页）

第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会论文（先进太阳电池新概念、新材料和新结构（纳 米太阳电池、有机太阳电池、染料敏化太阳电池等）） 双层梯度掺杂发射极双层梯度掺杂发射极双层梯度掺杂发射极双层梯度掺杂发射极HIT太阳电池的模拟研究太阳电池的模拟研究太阳电池...

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np型掺杂非晶硅薄膜工艺优化研究-何玉平-南昌工程学院.pdf （3页）

第 ３ ６ 卷 第 ４ 期 ２ ０ １ ７ 年 ８ 月 南 昌 工 程 学 院 学 报 Ｊ ｏ ｕ ｒ ｎ ａ ｌ ｏ ｆ Ｎ ａ ｎ ｃ ｈ ａ ｎ ｇ Ｉ ｎ ｓ ｔ ｉ ｔ ｕ ｔ ｅ ｏ ｆ Ｔ ｅ ｃ ｈ ｎ ｏ ｌ ｏ ｇ ｙ Ｖ ｏ ｌ ． ３ ６ Ｎ ｏ ． ４ Ａ ｕ ｇ ． ２

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n型掺杂钙钛矿太阳电池的模拟和实验研究-约瑟夫-华北电力大学.pdf （74页）

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基于第一性原理计算的掺杂柔性黑硅吸收光谱特性分析 （5页）

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掺杂稀土元素对锂离子电池正极材料LiMn2O4的影响 （1页）

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【发明】(晶硅生长)一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法 （7页）

10 申请公布号 CN 102560646 A43 申请公布日 2012.07.11CN102560646A*CN102560646A*21 申请号 201210073988.522 申请日 2012.03.20C30B 29/06 2006.01C30B 11/00 2006.0171 申请人 浙

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GBT13389-2014掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 （29页）

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