前表面掺杂非晶硅的特性对异质结背接触...-包建辉

包建辉、贾锐 、 陶科、姜帅、周颖、姬濯宇 Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China 中国科学院微电子研究所 2018-11-8 前表面掺杂非晶硅的特性对异质结 -背 接触 (HBC)电池性能的影响 The influence of the front doped a-Si’s properties to the HJ-IBC or HBC solar cell peformance 2018 西安 14th CSPV，建国饭店 1、中科院微电子研究所太阳电池研究简介 2、 HJ-IBC (或 HBC)的模拟及硬掩膜实验结果 3、结论 提 纲 背面是叉指异质结结构  正面结构不详！！ 25.6 % 26.7 % +1.7% ～ 3年 （ 2014.4） （ 2017.3） 1、中科院微电子研究所太阳电池研究简介 2、 HJ-IBC (或 HBC)的模拟及硬掩膜实验结果 3、结论 提 纲 结 论  前表面 n型非晶硅的厚度对电池性能有影响；  前表面掺杂非晶硅的禁带宽度影响到输运；当 n型非晶硅厚 度为 5nm，能带宽度大于 1.92eV时，模拟得到电池的效率大 于 25%。  在前表面结构优化的情况下，我们利用硬掩膜技术进行了 SHJ-IBC电池的制备，最终得到了 19.8%的电池转换效率。 Thank you for your attention! 欢迎各单位开展合作开发和研究 提供关键工艺、专业模拟和测试分 析服务 联系方式： jiarui@ime.ac.cn 185 1519 8780