PECVD沉积参数对磷掺杂钝化接触结构的影响研究

技术总结： 一、PECVD沉积温度对钝化接触结构影响最为显著： 温度提高会轻微提高沉积速率； 温度提高会提高本征非晶硅及后续的掺杂多晶硅结晶度； 薄膜在较高沉积温度下可获得较好的致密度； 较高的结晶度及致密度会降低磷的掺杂速率； 钝化效果随温度提高先上升后下降； 更高的温度可获得更低的接触电阻率。 二、PECVD沉积功率对钝化效果具有影响： 沉积功率不会显著改变沉积速率和结晶度，对接触电阻影响不大； 较高沉积功率会导致较大的氢含量，从而引起起泡现象，破坏钝化效果。 三、PECVD沉积压强对钝化效果影响不大： 较低的沉积压强会导致较差致密度和结晶度，提高掺杂浓度； 较低的结晶度导致了相对较高的接触电阻率。