氧化铝镀膜工艺路线介绍

Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute 理想晶延 IDEAL DEPOSITION 2019年 08月 02日 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute  Perc Al2O3镀膜设备各工艺路线现状分析  理想板式 ALD设备优势介绍 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute 主流分类方法： 板式 PECVD：背面 AL2O3和背面 SINx二合一。 代表厂商： 梅耶博格；四十八所；微导等 （可拓展背面 AL2O3 、背面 SINx、正面 SINx三合一） 板式 ALD：仅镀膜背面 AL2O3 ，搭配管 P或板 P完成整个镀膜工序。 代表厂商：理想； Solaytec等 管式 ALD： 仅镀膜背面 AL2O3 ，搭配管 P或板 P完成整个镀膜工序。 代表厂商： NCD；微导；松煜等 管式 PECVD：背面 AL2O3和背面 SINx二合一。 代表厂商： 商先创（ CT）；捷佳伟创；红太阳等 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute  Perc Al2O3镀膜设备各工艺路线现状分析  理想板式 ALD设备优势介绍 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute 业内首创平板式 ALD设备：  兼具 ALD方式高成膜质量、低 TMA耗量和平板 In-line方式  电池效率高  绕 镀最少 ，开机率高， 最适合规模化量产  设备打破德国等进口设备垄断，已经为国内多家一线厂商采用 ，电池效率成为行业技术代表 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute 截止 2019年 6月底累计机台出货 量 超过 100台，累计出货产 能超过 25GW。 设备 完全兼容高效 N-Topcon电池，钝化效果优于市面同类设备，获得多 家客户选贩，幵已实现大规模稳定量产 主要客户 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute  模块化设计，适合产能扩展，当前最大产能 7500Pcs/h 设备只需更换载板就可 完全兼容 Si片尺寸 156mm-170mm  独特工艺窗口设计，保证产能不受镀膜厚度影响 在加快单位面积内沉积速度的同时保证了成膜质量 5mm-12mm区间内产能丌随镀膜厚度增加而降低  单面镀膜，绕度最少 独特的非镂空托盘设计保证 单面镀膜 ，绕度小于 0.5mm，  工艺窗口宽，钝化效果好，完美兼容 N型及 P型双面电池 N型片源少子寿命稳定大于 3000us；单面 J0小于 10FA/cm2 10nmAl2O3更加适配 P型双面电池上，叠加 SE技术提效明显 进料 上料 Pre-Heat ALD ALD LLO LLI 回料 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute 13  ALD反应特征是主要在基板上沉积，气相反应少，粉尘少  成膜致密性好，钝化效果好  采用托盘方式，回镀很少 TMA H2O 隔离气体 N2 隔离气体 N2 隔离气体 N2 substrate Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute N型客户量产钝化效果监控数据 : 1) lifetime平均在 5000us以上 2) 单面 J0平均小于 6fA/cm2 测试路径： N型片源 +双面抛光 +双面 Al2O3+退火 /烧结 +测试 N-sub Al2O3 Al2O3 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute P-type下， Al2O3厚度对少子和开压的影响， 在绒面不抛光面会有丌同的结论： （ Ptype+双面 Al2O3 +双面 SIN+烧结 +测试）  P型双面绒面条件下， Al2O3厚度 从 6nm增加 12nm过程中，少子寿命和开压均有提升，开 压提升在 6mV左右  P型双面酸抛条件下， Al2O3厚度从 6nm增加 到 12nm过程中，少子寿命和开压变化均丌明 显，且在 12nm厚度下少子寿命和开压有略微 的降低  以上数据可以得出结论，当做 P-type双面电 池时，由于背面抛光无法像单面电池那样， 会留有细微的绒面结构，所以增加 Al2O3的厚 度对钝化效果是有帮助的 P-sub Al2O3 Al2O3 SiNx SiNx Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute  N型片源上在绒面和抛光面的结论相对一致， Al2O3从 8nm增加到 12nm时 ，少子寿命会有 明显的提升；  而在 N型抛光片上实验， Al2O3从 8nm增加到 12nm时 ， J0会明显的下降； 不文献报告上的 J0测试 资料 是完全相同的 N-sub Al2O3 Al2O3 Ntype+双面 Al2O3 +烧 结 +测试 Copyright © 2018 Ideal Deposition Equipment and Applications(Shanghai) Ltd, All Rights Reserved Confidential Document; Do Not Distribute  单面 ALD镀膜，工艺窗口宽，无 PID、 LID、 LETID问题 没有多余的氧化铝介质层，丌使用特殊烧穿银浆；烧结工艺温度更低，更易优化。 PID ±1500V测试没有任何问题  更加适配双面电池，无背面 PID问题 双面 PERC电池背面 SiNx厚度需降低至 70-80nm 双面 PERC电池上增加氧化铝的厚度可以稳定 /提升电池效率 理想设备产能可以在 5mm-12mm区间内产能丌随镀膜厚度增加而降低  钝化效果优，设备完全兼容高效 N型电池 空间型 ALD成膜质量高，钝化效果优于市场同类设备 N型片源少子寿命稳定大于 3000us；单面 J0小于 10FA/cm2 天合、晶科等 N型客户的选择，已投入稳定量产  自主开发镀膜设备，没有设备相关的专利隐患  可搭配管 P（低功率 N2 Plasma、渐进膜）进一步优化工艺，提升效率和产能 感谢聆听