多晶硅片成品标准

文件编号： Q03-SIP-01 版本号：A/6 页码：第 1 页 共 4 页 多晶硅片成品标准 生效日期：20 年 5 月 8 日 一、目的 为加强公司多晶硅片的质量管控，指导使公司生产的产品，特制订本标准。 二、适用范围 适用于公司生产的太阳能级多晶硅片的品质检测和判定。 三、标准内容 1、 检测环境要求：温度 18~28℃，湿度不大于 60%。 2、 检验项目及要求： 项 目 内 容 外观 线痕、崩边、污片、凹坑、缺角、缺口、隐裂、穿孔、色差、微晶、雪花 晶、分布晶、废片 尺寸 边长、对角线、垂直度、倒角、翘曲、厚度 性能 氧含量、碳含量少子寿命、极性、电阻率 3、判定标准（见下表）： 批 准 审 核 编 制 修改履历 页 码 内 容 状 态 备 注 文件编号：Q03-SIP-01 版本号：A/6 页码：第 2 页 共 4 页多晶硅片成品标准 生效日期：20 年 5 月 8 日 检测标准 内容 项目 A 级片 B1 级片 B2 级片 备注 线痕 线痕 ≤ 15 μ m 15-25 μm 25-35 μm 线痕是双面线痕深度相加的值 面积比例 ＜1/2 ＞1/4 ＞1/4 最大双面线痕深 度（μm） ≤10 10-15 15-20密集 线痕 手感 摸起来无手感 摸起来有手感 密集线痕的定义：垂直线痕方向每厘米存在 5 条线痕以上 崩边 长 ≤ 1 mm， 深 ≤0.5 mm， 数量 ≤ 2 个， 不得有 V 型口 长 ≤1.5 mm， 深 ≤0.5 mm， 数量 ≤ 2 个， 不得有 V 型口 长 ≤1.5mm ， 深 ≤0.5 mm， 数量 ≤ 3 个， 不得有 V 型口 每 100 片崩边总片数不超过该批总量的 3%，如超过 3 片拿出来作 B1 级片;不够 3 片也不可插进去。磨过的边缘片必须检测隐裂。 污片 无 明显沾污,表面脏 污≤10%. 污片 凹坑 无凹坑 无凹坑 无凹坑 缺角、穿孔 无 无 无 色差 无 有明显色差 有明显色差 微晶、雪花晶 分布 晶 无 无 无 外观 隐裂 无 无 无 设备检查隐性裂纹宽度大于 0.1mm 文件编号：Q03-SIP-01 版本号：A/6 页码：第 3 页 共 4 页 多晶硅片成品标准 生效日期：20 年 5 月 8 日 检测标准 内容 项目 A 级片 B1 级片 B2 级片 备注 边长 125×125±0.5mm156×156±0.3mm 125×125±0.5mm156×156±0.5mm 125×125±0.5mm156×156±0.5mm 对角线 175.5±0.5mm 219.2±0.5mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 垂直度 90°±0.2° 90°±（0.2~0.5°） 90°±（0.2~0.5°） 倒角 1~1.8mm 0.5~2mm 0.5~2mm 弯曲度 翘曲度 弯曲度、翘曲度≤50μm 边缘翘曲≤80μm 50μm≤弯曲度 翘曲度≤75μm 边缘翘曲≤80μm 尺寸 厚度 180±18 μm 200±20μm TTV≤30μ m 180±25 μm 200±25μm TTV≤30μm 180±25 μm 200±25μm TTV≤40μm 其中厚度 D 取五点法平均，五点同时满足标准，厚度测量 5 点的位置，中心点和离四角 15mm 处的点；TTV 为同一张硅 片上厚度最大值减厚度最小值。其中，超厚，超薄片同一箱 中各硅片的厚度 D、TTV 的变化不超过 30μm。以上条件优 先级最高为不合格片，依次为 C 级片、 B 级片，即满足任意 一条不合格片的标准，则为不合格片。当同类异常出现 1000 片以上时，将由品管召集技术、销售、生产等，进行处理。 文件编号：Q03-SIP-01 版本号：A/6 页码：第 4 页 共 4 页 多晶硅片成品标准 生效日期：20 年 5 月 8 日 检测标准 内容 项目 A 级片 B1 级片 B2 级片 备注 氧含量 [0]≤14ppma 或 7×1017atom/cm3 碳含量 [C]≤16ppma 或 8×1017atom/cm3 少子寿命 τ≥2μs 导电类型 P 物理性能 电阻率 ρ=[1~3]Ω ． cm 1、正常电阻率超过标准,判 定为电阻率异常废片. 2、特殊情况可按客户要求调 整参数。