HIT太阳能电池专利技术分析

摘 要：本文通过中国专利检索系统，检索了 hit 太阳能电池相关的专利申请，重点分析了hit 太阳能电池专利申请的分布情况，从技术演进、专利申请年度发表趋势进行了分析，在上述统计分析的基础上，总结出 hit 太阳能电池专利技术的一些规律，为进一步研究 hit 太阳能电池提供参考资料。关键词： hit ；太阳能电池；专利分析；技术发展hit 太阳能电池既利用了薄膜太阳能电池的制造工艺优势，又发挥了晶体硅和非晶硅的材料性能特点，其具有以下显著优点： （ 1）低温工艺， hit 太阳能电池结合了薄膜太阳能电池低温 （ 200℃～ 250℃） 制造的优点； （ 2） 高效率， hit 电池继承了单晶硅的高迁移率特点，独有的带本征薄层的 hit 结构，降低了 hit 界面复合，提高了电池效率； （ 3）高稳定性， hit 电池的光照稳定性和温度稳定性好； （ 4）低成本， hit 太阳能电池的厚度薄，可以节省硅材料。1、中国专利申请分析本节主要对中国专利申请状况的趋势以及专利重要申请人进行分析。图 1-1 为 hit 太阳能电池的中国历年专利申请量分布，从图中可以看出， hit 太阳能电池在中国的申请量重点分布在 2009 年以后， 在 2004-2009 年期间， 专利申请量较小且无明显增长势头， 说明此阶段hit 太阳能电池在我国处于刚刚起步阶段，市场需求还不大；在 2009 年至 2012 年期间，专利申请量大幅度增长，技术生长率呈上升趋势，属于技术发展期，中国市场需求逐步打开。图 1-2 为国内主要的申请人，从图中可以看出， hit 太阳能电池的中国专利申请中，申请量排名前五位的为常州天合光能有限公司、西安近代化学研究所、华南理工大学、山东力诺太阳能电力股份有限公司和吉林大学，而且与其他申请人的差别较大，说明在我国的专利申请中，专利申请人比较集中，出现了具备一定竞争实力的龙头企业，同时研究所和高校的申请量也较大，说明 hit 太阳能电池已应用于产业生产并投入市场中，吸引了学者的研究，具有一定的研究价值。2、全球专利分析本节主要对国外申请专利进行分析， 从专利申请趋势及专利申请国家区域分布进行分析。图 2-1 为 hit 太阳能电池的全球历年专利申请量分布，从图中可以看出， hit 太阳能电池在全球的申请量重点分布在 2008 年以后， 在 2000 年至 2007 年期间， 专利申请量很小且无明显增长势头， 此时说明 hit 太阳能电池刚刚处于起步阶段， 市场需求还不大； 在 2009 年至 2012年期间，专利申请量增长幅度较大，技术生长率呈上升趋势，属于技术发展期；截止到统计的时间节点， 2013 年之后的专利申请由于公开时间滞后的原因，而导致数据不完整，尤其是2014 年的申请量下降趋势非常明显。图 2-2 中示出了 hit 太阳能电池在全球专利申请目标国的国家区域分布，从图中可以看到，中国是最为重要的目标国家，也是原创技术实力最强的国家；其次为美国、世界知识产权组织、日本、欧洲专利局、韩国、中国台湾。从数据来看，美国、世界知识产权组织、日本，是该领域高度关注的竞争市场，是该技术的主要生产应用国家， hit 太阳能电池技术具有较好的市场前景。4、结语通过上面的分析可以看出， hit 太阳能电池技术正处于快速发展阶段，申请国家主要集中在中国，其不仅申请的专利数量多，还掌握了大部分的核心技术。在我国的专利申请中，有很多高校和企业的申请人，申请人较为集中，申请量较大，在申请数量以及研究深度等方面均达到一定规模；从目标国家的申请量方面的分析可以看出，中国在该领域的市场还是有发展潜力的，在今后的发展中，国内该领域的申请人应多研究和借鉴前沿技术，加强专利布局，重视核心技术的外围开发，以保持和继续增强我国技术的竞争实力。