光刻工艺(20180723095705)	2018-08-15
	光刻工艺过程一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。1、硅片清洗烘干（ Cleaning and Pre-Baking ）方法湿法清洗＋去离子水冲洗＋脱水烘焙（热板 150～ 2500C,1～ 2分 钟 ，氮气保护）目的 a、除去表面的污染物（颗粒、有机物、工艺残余、可动离子） ； b、除去水蒸气，是基底表面由亲水性变为憎水
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 14  / 时长: 1秒  / 阅读: 633  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光伏太阳能铝合金型材的生产工艺控制.	2018-08-15
	. 光伏太阳能铝合金型材的生产工艺控制【摘要】 光伏太阳能铝合金型材作为边框对电阳能电池板起支撑作用， 对力学性能、几何尺寸、表面质量、腐蚀性能有极其严格的质量要求。本文从合金成分、挤压工艺、 表面处理、 包装各环节进行全面的生产工艺技术介绍。 重点着重于现场生产指导，对理论原理不作表述。【关键词】光伏太阳能铝型材合金成分、力学性能、几何尺寸、挤压工艺、氧化膜、封孔质量、覆盖膜质量检测。一、光伏
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 11  / 时长: 1秒  / 阅读: 681  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光刻实验报告	2018-08-15
	光刻实验一．实验目的了解光刻在集成电路工艺中的作用，熟悉光刻工艺的步骤和操作。二．实验原理光刻是一种复印图象与化学腐蚀相结合的综合性技术， 它先采用照像复印的方法，将光刻掩模板上的图形精确地复制在涂有光致抗蚀剂的 SiO2 层或金属蒸发层上，在适当波长光的照射下，光致抗证剂发生变化，从而提高了强度，不溶于某些有机溶剂中， 未受光照射的部分光致抗蚀剂不发生变化， 很容易被某些有机溶剂溶解。然后利用
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 3  / 时长: 1秒  / 阅读: 738  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光刻工艺原理8(20180720153457)	2018-08-15
	点击查看更多光刻工艺原理8(20180720153457)精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 90  / 时长: 1秒  / 阅读: 204  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光刻工艺认识实验报告	2018-08-15
	光刻工艺认识实验报告一、光刻工艺操作1.硅片清洗和表面处理这个步骤由助教老师完成。所用硅片尺寸 2 英寸，厚度为 400μ m，单面抛光。掺杂类型 p 型。2.涂胶匀胶机第一、二级转速和各转速的运转时间由助教提前设置好。分别为 第一级转速 500n/min， 时间为 3 秒； 第二级转速为 4000n/min，时间为 60 秒。把处理好的硅片放在承片台正中，按下吸片按钮，硅片被吸住。检查确
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 3  / 时长: 1秒  / 阅读: 735  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光伏印刷原理	2018-08-15
	光伏电池工艺丝网印刷的目的与原理1.丝网印刷目的将金属导体浆料按照所设计的图形，通过刮条挤压漏印在 pecvd 镀膜后合格的硅片正面、背面。2. 丝网印刷原理光伏电池的印刷电极是光伏电池制造的重要工艺之一， 它质量的好坏会直接影响到光伏电池的性能。 最早是采用真空蒸镀或化学电镀技术制作， 现今普遍采用的是丝网印刷工艺。 丝网印刷本身是一项传统的工艺技术， 自 20世纪 70 年代就得到了广泛的应
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 2  / 时长: 1秒  / 阅读: 433  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光刻板制作工艺	2018-08-15
	光刻工艺 4---- 掩膜板 /光罩xixi78 发表于 2008-5-06 1956 来源 半导体技术天地掩膜板 / 光罩（ Photo Mask/Reticle ）硅片上的电路元件图形都来自于版图，因此掩膜板的质量在光刻工艺中的扮演着非常重要的角色。1、掩膜板的分类光掩膜板（ Photo Mask ）包含了整个硅片的芯片图形特征，进行 1 1 图形复制。这种掩膜板用于比较老
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 2  / 时长: 1秒  / 阅读: 583  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光伏行业基础知识	2018-08-15
	点击查看更多光伏行业基础知识精彩内容。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 123  / 时长: 1秒  / 阅读: 476  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	光刻工艺简要流程介绍	2018-08-15
	光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上， 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3 ，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～ 60。光刻机是生产线上最贵的机台， 5～ 15 百万美元 / 台。主要是贵在成像系统（由15～ 20 个直径为 200～ 300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于 10nm）。
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 20  / 时长: 1秒  / 阅读: 621  / 下载价格: 3 金币 / 评价:

	硅片上电镀铅锡合金工艺	2018-08-15
	维普资讯 http//www.cqvip.com
	发布者: 索比杜金泽  / 页数: 1  / 时长: 1秒  / 阅读: 317  / 下载价格: 3 金币 / 评价: