电池线品质不良改善方案	2018-08-15
	工序品质不良解决方案硅片来料外观有指印、 脏污。 需要一洗员工把较严重的挑出集中待工艺工程师处理 （试做或退仓） 。一次清洗外观 有严重外观（麻点、色差、水痕、脏污、发白、发亮）等不良现象。返工 1 （麻点、色差、脏污、发白）重新制绒（温度 82 度，时间 1300秒）根据表面的干净程度而定。返工 2 （水痕、硅酸钠沉淀物）重新酸洗，或 必要时可放入制绒槽 , 不用添加氢氧化钠 ,
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	光刻工艺1	2018-08-15
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	电池片厚度与弯曲度影响	2018-08-15
	烧结工艺是将印刷在电池片正面电极， 背面电极以及背电场集中在一起通过烧结炉烧结完成其表面电接触。丝网印刷电极浆料通常采用三种，即银浆、铝浆和银 /铝浆。银的尖峰烧结温度在 720-830℃之间，铝的尖峰烧结温度在 720-750℃之间，银铝电极的尖峰烧结温度在 625-850℃之间。银 -硅合金最低共熔点温度为 830℃，但适宜的烧结温度需要由实验决定。 电池片烧结过程可分为升温过程和降温过程，
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	光刻工艺原理8	2018-08-15
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	光刻(20180723121042)	2018-08-15
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	二极管制作之光刻工艺文件	2018-08-15
	表 1 一刻 二刻400/-10 毫焦 /平方厘米500/-10 毫焦 /平方厘米备注曝光时间 曝光总量 / 曝光指数1.1. 烘箱温度、时间设定表 2 编号 烘箱 温度 时间1 硅片预烘（甩胶前预烘） 175 ℃ /-5 ℃ 60 分钟2 胶膜预烘甩胶后预烘 110℃ /-5 ℃ 30 分钟3 坚膜显影后 145 ℃ /-5 ℃ 30 分钟1.2. 甩胶机设定1.
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	多晶硅产品的用途与生产工艺简介	2018-08-15
	多晶硅产品的用途与生产工艺简介2 黎展荣编写2008-03-15 1 多晶硅产品的用途与生产工艺简介讲课提纲 一、多晶硅产品的用途二、国内外多晶硅生产情况与市场分析三、多晶硅生产方法四、多晶硅生产的主要特点五、多晶硅生产的主要工艺过程讲课想要达到的目的通过介绍，希望达到以下几点目的1， 了解半导体多晶硅有关基本概念与有关名词，为今后进一步学习、交流与提高打下基础；2， 了解多晶硅的主要用途
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	多晶硅太阳能电池制作工艺概述	2018-08-15
	多晶硅太阳能电池制作工艺概述摘要大规模开发和利用光伏太阳能发电 , 提高电池的光电转换效率和降低生产成本是其核心所在，由于近十年人们对太阳电池理论认识的进一步深入、生产工艺的改进、 IC 技术的渗入和新电池结构的出现，电池的转换效率得到较大的提高，大规模生产上，多晶硅电池的转换效率已接近单晶硅电池，在非晶硅电池稳定性问题未取得较大进展时，多晶硅电池受到人们的关注，其世界产量已接近单晶硅，本文对
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	多结太阳能电池制备技术	2018-08-15
	多结太阳能电池制备技术太阳能光伏技术经过近几十年的发展， 已经在新能源领域确立了其重要地位。 大力发展太阳能光伏发电已成为人类解决未来能源问题的重要途径。 在产业界， 当前太阳能技术的重点仍是硅太阳能电池，包括多晶硅和非晶硅薄膜电池等。由于多晶硅和非晶硅薄膜电池具有相对较高的转换效率和相对较低的成本， 逐渐成为市场的主导产品。 而其它种类的薄膜电池由于技术不是很成熟， 似乎很难在短期内替代硅系太
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	电池片生产工艺	2018-08-15
	电池片生产工艺⑴清洗清洗的目的1 去除硅片表面的机械损伤层。2 对硅片的表面进行凹凸面 金字塔绒面） 处理 , 增加光在太阳电池片表面的折射次数 , 利于太阳电池片对光的吸收 , 以达到电池片对太阳能价值的最大利用率。3 清除表面硅酸钠、氧化物、油污以及金属离子杂质。化学清理原理HF去除硅片表面氧化层HCl 去除硅片表面金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与溶解片子表面可能
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