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复旦大学集成电路工艺原理作业06 复旦大学集成电路工艺原理作业06 复旦大学集成电路工艺原理作业06 2018-08-15
1、购买的一批硅片, p型杂质均匀掺杂浓度为 1016/cm3,电阻率为 5 -cm。硅片清洗后进行热氧化。 在热氧化结束并去除氧化硅后, 发现硅片表层呈 n型, 而体硅仍旧保持为 p型。1)假定热氧化炉没有施主杂质污染,上述现象如何解释2) 下图给出的是在纯硅中的掺杂浓度和电阻率之间的关系。 参照该图, 说明你的上述解释是否合理。2、在 BJT中, 需要生长 1 m场氧化来实现晶体管的隔离。
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 2  / 时长: 1秒  / 阅读: 376  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
发展太阳能电池的必要性及要解决的问题 发展太阳能电池的必要性及要解决的问题 发展太阳能电池的必要性及要解决的问题 2018-08-15
发展太阳能电池的必要性及要解决的问题摘要 对我国使用太阳能电池发电的必要性以及制备过程中遇到的一些问题进行了讨论。 在分析太阳能电池制备的基础上, 提出了发展我国太阳能光伏发电的必要性和可行性, 分析了制备太阳能电池过程中遇到的技术和环境问题。 发展太阳能电池是发展光伏发电的前提, 是解决目前我国面临的能源问题和环境问题的一个有效途径。关键词 太阳能电池;光伏发电;能源;环境0 引言当传统的
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 11  / 时长: 1秒  / 阅读: 838  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究 硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究 硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究 2018-08-15
硅材料加工工艺分析及相关化学品的研究作者 张楷亮 , 宋志棠 , 刘玉岭作者单位 张楷亮 ,宋志棠 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,半导体功能薄膜工程技术研究中心 , 刘玉岭 河北工业大学微电子技术与材料研究所 天津 本文链接 http//d.g.wanfangdata.com.cn/Conference_5904319.aspx
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光刻过程图片解说[1] 光刻过程图片解说[1] 光刻过程图片解说[1] 2018-08-15
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 55  / 时长: 1秒  / 阅读: 198  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
硅锭-硅片-电池片-电池组件之培训资料 硅锭-硅片-电池片-电池组件之培训资料 硅锭-硅片-电池片-电池组件之培训资料 2018-08-15
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光源对于太阳能电池基本特性测量实验影响的研究 光源对于太阳能电池基本特性测量实验影响的研究 光源对于太阳能电池基本特性测量实验影响的研究 2018-08-15
光源对于太阳能电池基本特性测量实验影响的研究作者 吴杏华 , 王庆凯 , 王殿元 , WU Xing-hua, WANG Qing-kai, WANG Dian-yuan作者单位 九江学院理学院 ,江西九江 ,332005刊名 九江学院学报英文刊名 JOURNAL OF JIUJIANG UNIVERSITY年,卷 期 2007,266参考文献 6条1. 马丁·
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光伏全产业链工艺过程中英对照 光伏全产业链工艺过程中英对照 光伏全产业链工艺过程中英对照 2018-08-15
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工业清洗剂都适用于哪些行业 工业清洗剂都适用于哪些行业 工业清洗剂都适用于哪些行业 2018-08-15
http//www.kailiqingxi.com工业清洗剂都适用于哪些行业工业清洗剂都适用于哪些行业工业清洗剂主要用于哪些行业目前有很多的顾客有类型的疑问, 工业清洗剂运用越来越广泛, 在工业上使广泛用的一种清洗剂,主要用来除油污,除锈、除垢等各种用途,目前在五金制造加工业、机械行业、表面处理行业、电子工业、金属加工等等领域中,接下来给大家具体详细讲下工业清洗剂都适用于哪些行业工业清
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 4  / 时长: 1秒  / 阅读: 260  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
光伏行业基础知识(20180720154554) 光伏行业基础知识(20180720154554) 光伏行业基础知识(20180720154554) 2018-08-15
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 123  / 时长: 1秒  / 阅读: 187  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
多线切割工艺对研磨去除量的影响 多线切割工艺对研磨去除量的影响 多线切割工艺对研磨去除量的影响 2018-08-15
多线切割工艺对研磨去除量的影响摘要 大直径硅片的研磨去除量成为评价多线切割工艺水平的关键技术指标,也有利于研磨工序单位成本的降低; 切片损伤层深度是决定全片研磨去除量的主要因素, 而切片几何参数是决定局部研磨去除量的主要因素。 通过对多线切割工艺中切片损伤层深度控制以及几何参数的控制,从而降低晶片的研磨去除量。在晶体加工过程中, 随着硅单晶尺寸的增大, 多线切割技术正被广泛应用于晶体切割工序。
发布者: 索比杜金泽  / 页数: 6  / 时长: 1秒  / 阅读: 432  / 下载价格: 3 金币 / 评价:
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