二极管制作之光刻工艺文件
表 1 一刻 二刻400+/-10 毫焦 /平方厘米500+/-10 毫焦 /平方厘米备注:曝光时间 =曝光总量 / 曝光指数1.1. 烘箱温度、时间设定:表 2 编号 烘箱 温度 时间1 硅片预烘(甩胶前预烘) 175 ℃ +/-5 ℃ 60 分钟2 胶膜预烘(甩胶后预烘 ) 110℃ +/-5 ℃ 30 分钟3 坚膜(显影后 ) 145 ℃ +/-5 ℃ 30 分钟1.2. 甩胶机设定:1.2.1 转速、时间设定:表 3 工序低速匀胶 高速甩胶转速 时间 转速 时间一刻 800 转 5 秒 2700 转 15 秒二刻 800 转 10 秒 1500 转 6 秒1.3. 显影准备表 4 1 号显影 2 号显影 1 号定影 2 号定影化学品 显影液 显影液 定影液 定影液一刻时间 40 秒 40 秒 30 秒 30 秒二刻时间 60 秒 60 秒 30 秒 30 秒2. 操作步骤2.1. 一刻2.1.1 预烘所有硅片在甩胶前需在 175 ℃烘箱内预烘 60 分钟。 (参考表 2)2.1.2 甩胶(参考表 3 的甩胶转速和时间)2.1.2.1 在转盘上放置一片硅片,并确认是否放平,放正。2.1.2.2 在硅片表面上滴适量 SC450 光刻胶后,按下真空开关开始甩胶。2.1.2.3 转盘停止转动后,再次按下真空开关,断开吸片真空。2.1.2.4 小心将硅片从转盘转移到载片盒内让其自然干燥,并续涂剩下的硅片。2.1.2.5 待最后一片硅片甩完胶放入载片盒中,让整个载片盒中的硅片空气干燥 5 分钟。2.1.2.6 将载片盒放入 85℃胶膜预烘箱内烘 10 分钟。2.1.2.7 重复 8.1.2.1 到 8.1.2.4 ,对硅片的另一面甩胶。2.1.2.8 待最后一片硅片甩完胶放入载片盒中,让整个载片盒中的硅片空气干燥 5 分钟。 将载片盒放入 110 ℃胶膜预烘箱内烘 30 分钟 (参考表 2)2.1.3 曝光2.1.3.1 从烘箱内取出硅片让其冷却至室温。2.1.3.2 双面 TVS 将硅片置于曝光夹具的玻璃光刻板之间, 并夹紧; 单面 TVS将硅片置于曝光夹具的玻璃板上,再扣下胶片光刻板,开真空阀将其吸牢。2.1.3.3 将曝光夹具推入曝光机中心,按下开关,开始曝光,完毕后退出。曝光条件参考表 1。2.1.3.4 曝光结束,松开吸片真空并将硅片放入到载片盒中。2.1.3.5 重复 8.1.3.2 至 8.1.3.4 ,对准并曝光批号中剩余的硅片。2.1.4 显影,坚膜2.1.4.1 找开显影缸盖。2.1.4.2 用载片盒手柄将曝光好的硅片放入显影缸中显影, 具体时间参照表 4。注意:显影时应来回晃动载片盒数次。2.1.4.3 显影后将硅片晾干, 然后放入 145 ℃的坚膜烘箱内坚膜 30 分钟。 (参考表 2)2.1.4.4 显影完的硅片需要每盒抽取前中后 3 片检查外观, 如有一片显影不良,则整批全检,不良硅片通知工程人员处理。2.1.5 在加工完所有硅片后, 填写好流程卡及其它相关表单, 将硅片装入指定载片盒,同流程卡一起移交下一工序处。2.2. 二刻2.2.1 预烘所有硅片在甩胶前需在 150 ℃烘箱内预烘 60 分钟。 (参考表 2)2.2.2 甩胶(参考表 3 的甩胶转速和时间)2.2.2.1 在转盘上放置一片硅片并确认是否放平,放正。2.2.2.2 在硅片表面上滴适量 SC450 光刻胶后,按下真空开关开始甩胶。2.2.2.3 转盘停止转动后,再次按下真空开关,断开吸片真空。2.2.2.4 小心将硅片从转盘转移到载片盒内让其自然干燥,并续涂剩下的硅片。2.2.2.5 待最后一片硅片甩完胶放入载片盒中,让整个载片盒中的硅片空气干燥 5 分钟。2.2.2.6 将载片盒放入 85℃胶膜预烘箱内烘 10 分钟。2.2.2.7 重复 8.2.2.1 到 8.2.2.4 ,对硅片的另一面甩胶。注意:单面 TVS 不需要此步骤。2.2.2.8 待最后一片硅片甩完胶放入载片盒中,让整个载片盒中的硅片空气干燥 5 分钟。2.2.2.9 将载片盒放入 110 ℃胶膜预烘箱内烘 30 分钟 (参考表 2)2.2.3 曝光2.2.3.1 从烘箱内取出硅片让其冷却至室温,2.2.3.2 将硅片放入曝光夹具中,将光刻板上的黑色图形居中地对准硅片上的每个晶粒,并确认光刻板与硅片已贴牢。2.2.3.3 将曝光夹具推入曝光机中心,按下开关,开始曝光,完毕后退出。2.2.3.4 双面 TVS 需要将硅片翻转到另一面,以同样的方法对准,曝光;单面 TVS 仅需要将曝光夹具翻转,再推入曝光机曝光即可。曝光条件参见表 1。2.2.3.5 曝光结束,松开吸片真空并将硅片放入到载片盒中。2.2.3.6 重复 8.2.3.1 至 8.2.3.5 ,对准并曝光批号中剩余的硅片。2.2.4 显影,坚膜2.2.4.1 打开显影缸盖。2.2.4.2 用载片盒手柄将曝光好的硅片放入显影缸中显影, 具体时间参照表 4。注意:显影时应来回晃动载片盒数次。2.2.4.3 显影后将硅片晾干,然后放入 145 ℃的坚膜烘箱内坚膜 30 分钟。 (参考表 2)2.2.4.4 显影完的硅片需要每盒抽取前中后 3 片检查外观, 如有一片显影不良,则整批全检,不良硅片通知工程人员处理。2.2.5 在加工完所有硅片后, 填写好流程卡,将硅片装入指定载片盒, 同流程卡一起移交下一工序处。