硅抛光片存储中表面起“雾”的研究	2018-08-15
	硅抛光片存储中表面起 “ 雾 ” 的研究万向硅峰电子股份有限公司，浙江 开化 324300 摘要 存储中硅片起 “ 雾 ” 是硅片存储面临的最大挑战， “ 雾 ” 缺陷是可见或可印刷的晶体结构，从污染生长而来，已是困扰半导体业界长达 10 年以上的大问题。半导体制造商们至今还未能提出良好的解决方案。所以研究硅片的 “ 雾 ” 缺陷，并克服 “ 雾 ” 缺陷显得尤为迫切。从实际生产出发，根据
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	硅的晶向及工艺理论简介	2018-08-15
	硅晶态硅又分为单晶硅和多晶硅， 它们均具有金刚石晶格， 晶体硬而脆， 具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。晶态硅的熔点 1410C, 沸点 2355C, 密无定形硅是一种黑灰色的粉末。用硅来做 MEMS 产品，主要应用 100或（ 110）的晶圆，在各向异性腐蚀法实现腐蚀的过程中， 采用湿法腐蚀和干法腐蚀， 其中干法刻蚀与晶体的晶向没有直接的关系， 仅
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	硅太阳能电池	2018-08-15
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	硅片加工工艺07等离子体刻蚀	2018-08-15
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	硅片(多晶硅)切割工艺及流程毕业设计论文	2018-08-15
	Xinyu College 毕业设计（论文）题 目 硅片（多晶硅）切割工艺及流程所 属 系 太阳能科学与工程系专 业 光伏材料加工与应用技术硅片（多晶硅）切割工艺及流程I 硅片（多晶硅）切割工艺及流程摘要随着能源短缺和环境污染等问题的日益加剧， 利用可再生、 无污染的能源已成为现代社会的一个趋势， 太阳能的开发与利用越来越被人们所重视。 未来太阳的大规模应用主要是用来发电，目前实用太阳能发电方式
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	硅检检验标准培训	2018-08-15
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	光子晶体工艺流程	2018-08-15
	光子晶体工艺流程一、主体说明本次研究的主要任务是利用硅片制作出多孔硅光子晶体， 研究主要内容是多孔硅的特点和制备方法，实验装置主要采用双槽电化学腐蚀法制备多孔硅。本次光子晶体的主体制备方案是先用低压化学气相淀积工艺在 Si 衬底上生成一层 Si 3N4 薄膜， 通过光刻工艺将六边形格子复印到 Si 3N4 层上， 然后以 Si 3N4薄膜作掩蔽层，用 25的 TMAOH（氢氧化四甲基铵）溶液腐
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	硅片电火花线切割加工技术的发展	2018-08-15
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	硅抛光片表面颗粒度控制	2018-08-15
	硅抛光片表面颗粒度控制作者 武永超 ， 杨洪星 ， 张伟才 ， 宋晶 ， 赵权 ， WU Yongchao， YANG Hongxing， ZHANGWeicai ， SONG Jing， ZHAO Quan作者单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 ,天津 ,300220刊名 电子工业专用设备英文刊名 EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFAC
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	硅的化学清洗工艺探讨	2018-08-15
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