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多晶硅硅片生产流程 多晶硅硅片生产流程 多晶硅硅片生产流程 2018-08-21
多晶硅硅片生产流程1 洗料为得到纯净的多晶硅原料, 须将多晶硅原料清洗, 去除杂质和油污。 将多晶硅料放入氢氟酸和硝酸中浸泡, 然后用高纯水多次清洗, 清洗干净后进入下一道工序。b、烘料将清洗干净的多晶硅原料放入烘箱中烘干。c、装袋烘干后的多晶硅原料按型号、电阻率分别包装。d 、配料根据生产需要将不同电阻率的多晶硅料加入母合金配制成符合要求的原料。( 2)多晶铸锭阶段a、准备阶段经减压、放气
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第五章2硅片的清洗 第五章2硅片的清洗 第五章2硅片的清洗 2018-08-21
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第9章大直径硅片的超精密加工 第9章大直径硅片的超精密加工 第9章大直径硅片的超精密加工 2018-08-21
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第三章硅和硅片制备 第三章硅和硅片制备 第三章硅和硅片制备 2018-08-21
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第四章硅片 第四章硅片 第四章硅片 2018-08-21
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第三章硅片制造过程中沾污控制 第三章硅片制造过程中沾污控制 第三章硅片制造过程中沾污控制 2018-08-21
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第三章硅片制造过程中沾污控制(20180720151912) 第三章硅片制造过程中沾污控制(20180720151912) 第三章硅片制造过程中沾污控制(20180720151912) 2018-08-21
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第二章硅和硅片制_ 第二章硅和硅片制_ 第二章硅和硅片制_ 2018-08-21
第二章 硅和硅片制备硅是用来制造芯片的主要半导体材料,也是半导体产业中最重要的材料。锗是第一个用做半导体的材料,它很快被硅取代了,这主要有四个原因1) 硅的丰裕度 硅是地球上第二丰富的元素,占到地壳成分的 25 ,经合理加工,硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度而消耗更低的成本。2) 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 硅 1412℃ 的熔点远高于锗 937℃的熔点,使得硅可以承受
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单晶硅片成品检验规范 单晶硅片成品检验规范 单晶硅片成品检验规范 2018-08-21
山西天能科技有限公司 文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码 第 1 页 共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日1、目的检验单晶硅片的各项质量指标,包括厚度、垂直度、总厚度偏差 TTV、翘曲度 WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。2、适用范围适用于硅片事业部之硅片成品检验。3、技术标准3.1 硅片的厚度为 200±
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第2章硅和硅片制备.ppt.Convertor 第2章硅和硅片制备.ppt.Convertor 第2章硅和硅片制备.ppt.Convertor 2018-08-21
第二章硅和硅片制备图 2.1 化学元素周期表根据流经材料电流的不同可分为三类材料 导体;绝缘体;半导体。半导体材料具有较小的禁带宽度 ,其值介于绝缘体和导体之间。这个禁带宽度允许电子在获得能量时从价带跃迁到导带。这种行为在半导体被加热时发生 ,因而其导电性随温度增加而提高 对导体而言则正相反 。硅是用来制造芯片的主要半导体材料,也是半导体产业中最重要的材料。锗是第一个用做半导体的材料,它
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