简介：PV 制程真空或工艺真空 的作用是机台内部机械手吸附硅片或真空吸笔（或叫真空小镊子） 吸硅片来挑片用。 半导 体 芯片 设计 版 图 芯片 制造 工 艺 制程 封装 测 试 ,wafer,chip,ic,process,layout,pa ckage,FA,QA-GW bs5J3P5n一般机台对 PV 的真空度要求是 － 500mmHg ，所以真空吸笔一般负压也要 － 500mmHg 。PV 的单位表示为毫米汞柱 或 Torr 、 bar 、 PSI 等 . 半导体 芯 片 设计 版图 晶 圆 制造 工艺 制 程 封装 测试 ,wafer,chip,

简介：瑞能科技技术设计说明瑞能科技技术设计说明1 全自动太阳能硅片去磷硅玻璃清洗机说明无锡市瑞能科技有限公司一． 总述全自动去磷硅玻璃清洗机用于太阳能硅晶片在扩散后的处理。机器共分机架、工作槽、上下料部件、机械手、喷淋系统、电气系统、气动系统、风道及管道等八大主要部分，整机动作由 PLC 控制。整机为全封闭结构，避免污染环境。二． 机器单槽处理量单槽可处理 300 片 156x156 硅片或 400 片 125x125 硅片。三． 动作及工艺流程该设备为全自动运行，操作者将装有工件的清洗篮放在上料台上后，进料输送装置将清洗篮运送到虚拟进料槽，机械手在 PLC 的指令下，将清洗篮运送到相关槽位，进行

简介：点击查看更多清洗工艺及操作要求精彩内容。

简介：点击查看更多清洗工艺培训教材1精彩内容。

简介：实验部分第一步清洗硅片将硅片分别用丙酮和乙醇超声清洗不少于 10 分钟， 除去表面有机物。再将经上述处理的硅片放入体积比为 31 的 H 2SO4、 H2O2 溶液中加热煮沸 10 分钟，进一步去除有机物，最后用 HF 酸洗去除硅片表面氧化层。第二部将硅片取出并迅速放入的 4.6mol/LHF 和 0.002mol/LAgNO 3 的水溶液中，浸没时间在 5min，然后迅速取出，此时硅片表面均匀地沉积了一层银纳米颗粒。将沉积好的好的银纳米颗粒的硅片用去离子水清洗， 再浸入刻烛溶液中 HF-AgNO3-KMnO 4， 其中 HF 的浓度固定为 4.6mol/LHF 而 AgNO3的浓

简介：第 27 卷 第 1 期2006 年 1 月半 导 体 学 报CHIN ESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORSVol. 27 No. 1Jan. ,20063 国家自然科学基金 批准号 60076001 ,50032010 ,天津市自然科学基金和河北省自然科学基金资助项目通信作者 . Email liucaichi eyou. com2005203229 收到 ,2005209214 定稿 ν 2006 中国电子学会快速预热处理对大直径 CZ2Si 中 FPDs及清洁区的影响 3张建强 1 刘彩池 1 , 周旗钢 2 王

简介：浅析太阳能电池片废水处理工艺李慧娟 1 郭晓霞 21、内蒙古鑫安能源咨询评估有限公司 内蒙古包头 014010 2、城市建设研究院内蒙古分院 内蒙古包头 014010摘要 太阳能光伏电池是一种新型的依靠太阳能进行能量转换的光电元器件， 它将太阳能转换成电能，清洁无污染，具有广阔的应用前景。太阳能光伏电池作为一种清洁能源，应用前景广泛。而近年来，太阳能电池片生产技术不断进步，生产成本不断降低，转换效率不断提高，使光伏发电的应用日益普及并迅速发展，逐渐成为电力供应的重要来源。但是，太阳能电池片生产工艺产生的废水、废气处理不当的话，容易对环境造成污染，在此，本文对单晶硅生产工艺产生的废水处理工艺

简介：光为绿色新能源有限公司1/6 保密级别文件种类文件编号编制部门编制徐英乾审核 批准 管理100WM扩散工艺作业指导书1 目的在制绒后的 p 型硅片基体 硼掺杂 表面扩散磷原子， 形成结深为 0.3 － 0.5μ m的 p－ n 结。2 适用100MW电池生产线扩散工序。3 定义无4 责任与权限4.1 工艺工程师4.1.1 保持超净车间的工艺稳定，保证超净车间生产的连续，当工艺出现重大波动且影响到生产质量时，应该及时采取相应的解决措施。4.1.1.1 工艺工程师应该指导生产人员进行生产，保证生产的顺利进行；4.1.1.2 当工艺工程师对工艺进行优化时，应事先与主管

简介：点击查看更多刻蚀培训精彩内容。

简介：维普资讯 http//www.cqvip.com

简介：太阳能电池单体是光电转换的最小单元，尺寸一般为 4cm2 到 100cm2 不等。太阳能电池单体的工作电压约为 0.5V, 工作电流约为 20 － 25mA/cm2, 一般不能单独作为电源使用。将太阳能电池单体进行串并联封装后，就成为太阳能电池组件，其功率一般为几瓦至几十瓦，是可以单独作为电源使用的最小单元。太阳能电池组件再经过串并联组合安装在支架上，就构成了太阳能电池方阵，可以满足负载所要求的输出功率 见图 1 － 2 。（ 1 ）硅太阳能电池单体常用的太阳能电池主要是硅太阳能电池。 晶体硅太阳能电池由一个晶体硅片组成， 在晶体硅片的上表面紧密排列着金属栅线，下表面是金属层。硅片本身

简介：点击查看更多湿法刻蚀工艺原理精彩内容。

简介：1/5 等离子刻蚀漂洗工艺操作规程一、工作目的1.1 等离子刻蚀采用等离子刻蚀去除硅片边缘的 N 型层，防止边缘形成短路。1.2 去磷硅玻璃利用 HF 能够溶解二氧化硅的特性，去除硅片表面由于扩散工艺造成的含磷二氧化硅（ PSG） 。二、工艺原理2.1 等离子刻蚀等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性反应物而被去除。主要的化学反应CF4 O2 → F- O- COF - COF 2- CO其中， COF-寿命较长， COF- → F- COSi 4F- → SiF4（气）2.2 去磷硅玻璃主要反应方程式O

简介：点击查看更多切片、倒角加工原理精彩内容。

简介：龙源期刊网 http//www.qikan.com.cn 浅析影响合金型二极管正向压降的因素作者唐文斌来源科学与财富 2013 年第 08 期摘 要合金工艺由于其特殊性，在低稳定电压二极管的生产中获得了广泛的应用，但是，在相同条件下其正向压降比其他工艺制作的二极管正向压降高，本文通过分析影响合金型二极管正向压降的原因并通过工艺调整，降低其正向压降。关键词烧焊 整流接触 欧姆接触 正向压降1 引言合金型二极管的结构为硅铝合金片 N 型硅片 蒸铝层，硅铝合金片充当 P 型杂质，与 N型硅片在烧焊的过程中形成 PN 结，与此同时，作为焊接用的蒸铝层易与硅片形成整流接触，使得合金