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简介：什么是太阳能电池量子效率 , 如何测试请教大家 , 什么是太阳能电池量子效率啊 Quantum efficiency of a solar cell, QE 太阳能电池量子效率和太阳能电池光谱响应 , 太阳能电池 IPCE 有什么区别啊 spectral response, IPCE, Incident Photon to Charge Carrier Efficiency 太阳能电池这些特性如何测试啊 什 么 是 太 阳 能 电 池 量 子 效 率 如 何 测 试 啊 Quantum efficiency of a solar cell, QE 太阳能电池的量子效率是指太阳能

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简介：1 酸碱制绒工艺第一部分 碱制绒作业规程一 碱制绒作业步骤1、称重 每次试制绒片需称重，计算硅片的减薄量，了解制绒液的反应情况。2、预清洗先精确称量氢氧化钠和清洗剂进行配液，加热，温度稳定在 60℃左右，开始定时 5min 超声预清洗，取出时尽量使硅片表面附着的清洗剂滴回预清洗槽内。每清洗 900 片需换液。3、漂洗漂洗时，片盒上下抖动。根据实际情况，可以加超声，延长漂洗时间，多次漂洗，用热水漂洗，用有机溶剂如 IPA 漂洗等等。确保漂洗干净。4、制绒配液，制绒液控制在 8083℃范围内，搅拌均匀后定时 25min 制绒。制绒过程中的影响因素① 碱液浓度、异丙醇浓度；② 溶液温度、制绒时

简介：光伏电池片的生产工艺及对空调和冷却水系统要求张海勇 18666025912 生产电池片的工艺比较复杂，一般要经过硅片检测、表面制绒、扩散制结、去磷硅玻璃、等离子刻蚀、镀减反射膜、丝网印刷、 快速烧结和检测分装等主要步骤。 本文介绍的是晶硅太阳能电池片生产的一般工艺与设备以及对空调和冷却水系统要求。一、硅片检测硅片是太阳能电池片的载体， 硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低， 因此需要对来料硅片进行检测。该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量，这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、 P/N 型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测

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简介：如何提高太阳能电池的转化效率学院理学院班级物理 081 姓名汤志强学号 22 摘 要太阳能电池原理如图 其结构就是一个较大的 PN 结，其工作原理核心是广生伏特效应，即光照射到半导体表面，由于内建电厂的作用半导体内部产生电动势，若在其外部构成适当回路就可产生电流，即光生电流。随 着 化 石 能 源 的 日 益 枯 竭 、 人 们 对 环 境 保 护 问 题 的 重 视 程 度 不 断 提 高 ,寻 找 洁 净的 替 代 能 源 问 题 变 得 越 来 越 迫 切 。 太 阳 能 作 为 一 种 可 再 生 清 洁 能 源 ,并 可 持 续 利用 ,因 此 有 着 广 阔 的 应 用

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简介：去 PSG工艺作业指导书公司生产车间名称 光伏 1号文件名称 去PSG工艺作业指导书版本 A 文件编号 修订文件类型 撰写人目的 1.去除磷硅玻璃（ PSG） ；2.制作合格的太阳能硅片，保证人生安全。适用范围去除硅片表面的 PSG 职责工艺工程师 1.设定标准参数2.设定标准操作规程主要原材料及半成品刻蚀后的标准硅片， HF，分析纯 /电子级主要仪器设备及工具 去磷硅玻璃清洗设备， 电阻率测试仪，花篮承载框，清洗小花篮，量杯。工艺技术要求操作规程 （ 1） 配液 按处理液配方配制去磷硅玻璃处理液，处理液配方

简介：切片线痕分析与对策线痕分类 杂质线痕 、 划伤线痕 、 密布线痕 、 错位线痕 、 边缘线痕 。各种线痕产生原因如下① 杂质线痕 由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片产生相关线痕。表现形式⑴线痕上有可见黑点，即杂质点。⑵无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对出现即一片凹入，一片凸出，并处相同位置。⑶以上两种情况都有。⑷一般情况下杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法㈠改善原料或铸锭工艺，改善 IPQC 检测手段。㈡改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速，提高线速。② 密布线痕 由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密布线痕。表现形式

简介：实验 20 太阳能电池特性的测量太阳能是一种新能源， 对太阳能的充分利用可以解决人类日趋增长的能源需求问题。 目前， 太阳能的利用主要集中在热能和发电两方面。 利用太阳能发电目前有两种方法， 一是利用热能产生蒸汽驱动发电机发电， 二是太阳能电池。 太阳能的利用和太阳能电池的特性研究是 21 世纪的热门课题。太阳能电池也称光伏电池， 是将太阳辐射能直接转换为电能的器件。 由这种器件与相配套的装置组成的太阳能电池发电系统具有不消耗常规能源、 无转动部件、 寿命长、 维护简单、使用方便、 功率大小可任意组合、无噪声、无污染等优点。世界上第一块实验用半导体太阳能电池是美国贝尔实验室于 1954 年研

简介：抛光片生产流程生产工艺流程简要介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。9 m- T8 E8 u. ] S3 8 Q C O5 g6 t切片 将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。 此过程中产生的硅粉采用水淋， 产生废水和硅渣。 g2 I; r* \ Y8 e/ |4 v0 [; b. r4 o g } z退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角 将退火的硅片进行修整成圆弧形， 防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及光阻层的平坦度。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水