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简介:2018-2023 年中国太阳能硅片硅锭行业市场评估分析与投资战略研究报告报告信息报告类型 多用户、行业报告报告编号 77841 ←咨询时,请说明此编号报告价格 电子 7200 元 纸介 7200 全版 7500可开增值税专用发票网上阅读 http/www.cn-bigdata.cn/report/20171114/77841.html 报告目录第一部分 发展现状与前景分析第一章 全球太阳能硅片硅锭行业发展分析第一节 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场分析一、 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场回顾二、 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场环境三、 2016 年全球太阳能硅片硅锭
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简介:武汉理工大学硕士学位论文( 100)、( 110)硅片湿法各向异性腐蚀特性研究姓名李志伟申请学位级别硕士专业材料物理与化学指导教师周建20080401
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简介:第 34 卷 第 12 期2013 年 12 月太 阳 能 学 报ACTA ENER GIAE SOLAR IS SINICAVol. 34, No. 12Dec. , 2013收稿日期 2013-09-01通讯作者 张 东 ( 1980 ) , 男 , 大专 、 助理工程师 , 主要从事晶体硅太阳电池工艺方面的研究 。 jllsjsb 163. com文章编号 0254-0096( 2013) 12-2159-05张 东 , 卢 川 , 张大雨 , 杨艳景 , 刘玉海 ,田 娜 , 王春燕 , 许 颖 , 杜学国( 巨力新能源股份有限公司 , 保定 072550 )摘 要
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简介:2017-2021 年中国太阳能硅片产业发展前景预测及投资分析报告▄ 前言行业研究是开展一切咨询业务的基石,通过对特定行业的长期跟踪监测,分析行业需求、供给、经营特性、获取能力、产业链和价值链等多方面的内容,整合行业、市场、企业、用户等多层面数据和信息资源,为客户提供深度的行业市场研究报告,以专业的研究方法帮助客户深入的了解行业,发现投资价值和投资机会,规避经营风险,提高管理和运营能力。行业研究是对一个行业整体情况和发展趋势进行分析,包括行业生命周期、行业的市场容量、行业成长空间和盈利空间、行业演变趋势、行业的成功关键因素、进入退出壁垒、上下游关系等。一般来说,行业(市场)分析报告研究的核心
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简介: 鍒嗕韩 涓炬姤| 纭呯墖琛屼笟鏈 澶 у叏涓 嫳鏂囧 鐓� I-Z鐑 寰愰潤鏂� �2009-12-31 1503 纭呯墖琛屼笟鏈 澶 у叏涓 嫳鏂囧 鐓� I-Z纭呯墖琛屼笟鏈 澶 у叏涓 嫳鏂囧 鐓� I-ZIngot - A cylindrical solid made of polycrystalline or single crystal silicon from which wafers are cut. 鏅堕敪 - 鐢卞 鏅舵垨鍗曟櫠褰㈡垚鐨勫渾鏌变綋锛屾櫠鍦嗙墖鐢辨鍒囧壊鑰屾垚銆� �Laser Light-Scattering
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简介:澶 槼鐢垫睜鐨勭�鐗囧垏鍓叉妧鏈 瑙� 浣滆€咃細 鏃堕棿锛�010-08-09鏉ユ簮鐜 悆鍏変紡缃� 娴忚 璇勮� 鎺ㄨ崘缁欏ソ鍙� 鎴戞湁闂 � 涓 € у寲瀹氬埗鍏抽敭璇嶏細 澶 槼鐢垫睜 纭呯墖 銆€銆€纭呯墖鍒囧壊鏄 お闃宠兘鍏変紡鐢垫睜鍒堕€犲伐鑹轰腑鐨勫叧閿 儴鍒嗐€傝 宸ヨ壓鐢ㄤ簬澶 勭悊鍗曟櫠纭呮垨鑰呭 鏅剁 鐨勫浐浣撶 閿€傜嚎閿 鍏堟妸纭呴敪鍒囨垚鏂瑰潡锛岀劧鍚庡垏鎴愬� � � �緢钖勭殑纭呯墖銆 鍥� �杩欎簺纭呯墖灏辨槸鍒堕€犲厜 殑 銆�銆€銆€鍥�1.纭呯墖鍒囧壊鐨 涓 細 鍒囨
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简介:2018-2023 年中国硅片行业市场深度分析与投资前景预测研究报告报告信息报告类型 多用户、行业报告报告编号 77460 ←咨询时,请说明此编号报告价格 电子 7200 元 纸介 7200 全版 7500可开增值税专用发票网上阅读 http/www.cn-bigdata.cn/report/20171114/77460.html 报告目录第一章 硅片行业相关概述第一节、硅片行业概况一、硅片定义二、硅片的工艺三、硅片的清洗四、硅片的应用领域第二节、硅片行业经营模式分析一、生产模式二、采购模式三、销售模式第三节、硅片行业发展历程分析第二章 硅片行业市场特点概述第一节、行业市场概况
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简介:实验五 硅热氧化工艺在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极为重要的意义。 它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层, 而且也是保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层, 它不光是器件与器件之间电学隔离的绝缘层, 而且也是 MOS 工艺以及多层金属化系统中保证电隔离的主要组成部分。因此了解硅氧化层的生长机理, 控制并重复生长优质的硅氧化层方法对保证高质量的集成电路可靠性是至关重要的。在硅片表面形成 SiO2 的技术有很多种 热氧化生长, 热分解淀积 (即 VCD法) ,外延生长,真空蒸发,反应溅射及阳极氧化法等。其中热生长氧化在集成电路工艺中用得最多, 其操作简便, 且氧化层
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简介:实验 硅热氧化工艺在硅片表面生长一层优质的氧化层对整个半导体集成电路制造过程具有极为重要的意义。 它不仅作为离子注入或热扩散的掩蔽层, 而且也是保证器件表面不受周围气氛影响的钝化层, 它不光是器件与器件之间电学隔离的绝缘层, 而且也是 MOS 工艺以及多层金属化系统中保证电隔离的主要组成部分。因此了解硅氧化层的生长机理, 控制并重复生长优质的硅氧化层方法对保证高质量的集成电路可靠性是至关重要的。在硅片表面形成 SiO2 的技术有很多种热氧化生长,热分解淀积(即 VCD法) ,外延生长,真空蒸发,反应溅射及阳极氧化法等。其中热生长氧化在集成电路工艺中用得最多,其操作简便,且氧化层致密,足以用
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