简介：日期 数量 日期 数量M 260/265 四川晶美 MP 11/20-3 1.3M 240/245 四川晶美 MP 12/5-1 22M 245/250 四川晶美 MP 12/5-2 16MMMM 39.3 0 0M 230/235 华山 MH5/4-2 2M 230/235 四川晶美 MP11/1/24-1 135M 235/240 四川晶美 MP11/1/24-2 97M 235/240 四川晶美 MP 12/17-8 204M 235/240 四川晶美 MP 12/24-4 500M 235/240 四川晶美 MP 12/27-1 1.5M 235/240 四川晶美 MP 12/27-

简介：淄博福世蓝高分子复合材料技术有限公司8 小时快速修复硅片切割机轴承位磨损问题一、设备问题分析硅片切割机采用金刚石线切割技术，其原理是通过轴高速旋转并往复回转的绕丝筒带动金刚石线做往复运动， 金刚石线被二个张紧线轮 （弹簧或气动） 所张紧，同时加设二个导向轮以确保切割的精度和面型。 通过自动控制工作台向金刚石线控制台方向不断地进给，从而使金刚石线与被切割物件间产生磨削而形成切割。切割过程中，由于金刚石线直径小，且具有弹性，金刚石切割线在被被切割物件和位于其左右的两个导向轮之间形成了一个张角， 金刚石线呈微弧状。 因此施加到被切割物件上的力联同金刚石线与被切割物件间的相对运动，才使切割不断得以进

简介：文件编号 MGOO10NB版本 / 状态 B/0生效日期 2008-8-27 第 1页5 英寸硅片通用规范1. 目的本通用规范适用于日银 IMP 公司所采购的全部 5 英寸硅片的常规要求。另外，针对不同产品要求需要提供所订购材料的详细规范。在详细规范中可以有新增要求并可以更改此通用规范中的任何要求。如日银 IMP 公司文件中没有给出其它方法，将采用 SEMI 国际半导体设备与材料组织 规范 Ml.1 中所列的测试方法。现行 SEMI 规范版本的采用根据采购订单提供的日期来确定。2、 适用范围适用于日银 IMP 公司所采购的全部 5 英寸硅片3、 参考最新半导体标准规范 MlSTD.

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简介：中金企信（北京）国际信息咨询有限公司国统调查报告网特别提示 时间和数据按月 /季度随时更新 . 2016-2021 年中国硅片生产设备行业市场调查研究及投资潜力预测报告第一章 硅片生产设备相关概述第一节 硅片生产设备市场发展现状第二节 硅片生产设备产品定义第三节 硅片生产设备发展历程第四节 硅片生产设备产品技术第二章 全球硅片生产设备产品发展概述第一节 全球硅片生产设备行业分析一 全球硅片生产设备行业特点二 全球硅片生产设备产能状况三 全球硅片生产设备技术现状四 全球硅片生产设备行业动态第二节 全球硅片生产设备市场分析一 全球硅片生产设备生产分布二 全球硅片生产设备消费分布三 全球硅片生

简介：附 156*156 多晶硅片规格书材料特性 Material properties 特性Property 规格Specification 参考标准Referenced Standard 生长方式Crystal Growth Method DSS 导电型号 /掺杂剂Conductivity Type/Dopant P/Boron ASTM F42 氧含量Oxygen Concentration ≤ 1.0 1018 atoms/cm3 ASTM F1188 碳含量Carbon Concentration ≤ 8.0 1017 atoms/cm3 ASTM F1

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简介：1 硅片电阻率的测试一、实验目的1. 了解半导体材料方块电阻的概念。2. 理解四探针法测量半导体电阻率和方块电阻的原理；3. 学会使用四探针测试仪测量硅圆薄片的电阻率。二、实验原理1. 方块电阻的定义如图 1 所示，方形薄片，截面积为 A，长、宽、厚分别用 L、 w、 d 表示，材料的电阻率为 ρ ，当电流如图示方向流过时， 若 Lw， 这个薄层的电阻称为方块电阻，一般用 R□ 表示，单位为 Ω / □。图 1 方块电阻的定义对于杂质均匀分布的样品， 若该半导体薄层中杂质均匀分布， 则薄层电阻 R为wdLALRwLRwLd·式中， R□ d， 为方块电阻， L/w 为长宽比，

简介：1 2018 年版中国太阳能硅片产业投资分析及前景预测报告2 报告信息▼出版日期 2018 年报告价格 中文电子 7200元 中文纸介 7000 元 中文全版 7500元English version ＄ 4200 USD 可开增值税专用发票交付方式 Email 电子版 / 特快专递报告目录▼第一章 2015-2017 年太阳能硅片发展分析第一节、太阳能硅片概述一、硅材料的制备二、硅锭的主要制备方法介绍三、太阳能重心由单晶向多晶方向发展第二节、 2015-2017 年国际硅片市场状况分析一、全球重点太阳能硅片生产商发展概况二、世界太阳能硅片市场发展状况三、 2016 年国际硅片

简介：报告中国 www.baogao007.com报告中国 -权威市场研究报告 | 最新市场调查报告 | 专业市场调研报告 www.baogao007.com2011-2015年中国硅片市场行情监测与投资规划研究报告第一章 2010 年世界硅片 行业 整体运营状况分析第一节 2010 年世界硅片 产业 运行环境浅析第二节 2010 年世界硅片行业 市场 运行格局一、世界硅片市场亮点分析二、全球核心硅片市场重挫之后现已显露生机三、全球硅片市场大幅增长四、全球硅片供应商排名五、世界硅片市场发展动态分析六、 BTU 国际荣获行业首选国际太阳能技术奖第三节 2010 年世界主要国家硅片业运行分析一

简介： 收稿 1999 年 4 月 , 收修改稿 1999 年 5 月3 通讯联系人超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展张树永 3 郭永榔山东大学化学学院 济南 250100曹宝成 于新好山东大学光电子材料与器件研究所及国家电子清洗技术研究推广中心 济南 250100摘 要 本文综述了超大规模集成电路制造过程中硅片溶液清洗技术的研究历史及现状 , 并对技术的未来发展进行了展望 。关键词 集成电路 硅片 溶液清洗Progress of Aqueous Solution Clean ing Technology forSil icon W afer in VL SI C ircu

简介：理学院应用物理系专业实验指导书58 实验八 扩展电阻法测硅片微区电阻率变化扩展电阻探针法用于定量测量某些半导体材料的局部点导率， 空间分辨率高测量取样体积为 10-10cm3 左右，测量重复精度优于 1。将硅片磨角后用扩展电阻法可以测量分辨深度方向 30nm 以内电阻率的变化。因此， 扩展电阻探针是硅材料及器件生产工艺质量测试手段，也可以用于砷化镓、 化铟等其他半导体材料的电阻率分布测试。一、实验目的1、了 解扩展电阻探针法的物理模型及测试原理；2、学会用扩展电阻探针法测量硅单晶片微区电阻率的不均匀性；3、掌握硅片小磨抛技术；测量离子注入、扩散和外延片中电阻率在深度方向的分布。二、实验原理

简介：Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns that occu