切片线痕分析与对策

切片线痕分析与对策线痕分类： 杂质线痕 、 划伤线痕 、 密布线痕 、 错位线痕 、 边缘线痕 。各种线痕产生原因如下：① 杂质线痕： 由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片产生相关线痕。表现形式：⑴线痕上有可见黑点，即杂质点。⑵无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对出现即一片凹入，一片凸出，并处相同位置。⑶以上两种情况都有。⑷一般情况下杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法：㈠改善原料或铸锭工艺，改善 IPQC 检测手段。㈡改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速，提高线速。② 密布线痕： 由于砂浆的磨削能力不够或者切片机砂浆回路系统问题，造成硅片上出现密布线痕。表现形式：⑴硅片整面密集线痕⑵硅片出现口端半片面积密集线痕。⑶硅片部分区域贯穿硅片密集痕。⑷部分不规则区域密集线痕。⑸硅片头部区域密集线痕。改善方法：㈠硅片整面密集线痕，原因为砂浆本身切割能力严重不足，包括 SIC 颗粒度太小，砂浆搅拌时间不够，砂浆更换量不够，可针对性解决。㈡硅片出线口端半面积密集线痕，原因为砂浆切割能力不够。回收砂易出现此类情况。㈢硅片部分区域贯穿硅片密集线痕，原因为切片机内砂浆循环系统问题，如砂浆喷嘴堵塞。㈣部分不规则区域密集线痕，原因为多晶硅锭硬度不均匀，部分区域硬度过高。㈤硅片头部区域密布线痕，原因为机台内引流杆问题。③ 划伤线痕： 砂浆中的 SIC 大颗粒或砂浆结块引起，切割过程中， SIC 颗粒“卡”在钢线和硅片之间无法溢出。表现形式：包括整条线痕、半载线痕、内凹、线痕发亮，较其它线痕更加窄细。改善方法：㈠针对大颗粒 SIC 加强 IQC 检测，是用部门对同一批次 SIC 先进行试用。㈡导致砂浆结块的原因有：砂浆搅拌时间不够， SIC 水分超标，砂浆配料前没有进行烘烤， PEG 水分含量超标。④ 错位线痕： 由于切片机液压夹紧装置表面砂浆等异物或者托板上有残留胶水，造成液压装置与托板不能完全夹紧，以及托板螺丝松动而产生线痕。改善方法：规范粘胶操作，加强切片前检查工作，定期清洗机床。⑤ 边缘线痕： 由于硅块倒角处余胶未清理干净，而导致砂浆被挡住导致线痕。TTV ： 出现不良是由于各种问题导致线网抖动硅片不良，包括设备精度问题、工作台、导向条粘胶问题，导轮问题。㈠设备精度导轮径向跳动＜ 40UM ，轴向跳动＜ 20UM ㈡工作台不稳定会导致大量的 TTV 不良产生㈢新导轮和导轮磨损大的时候易产生 TTV ㈣导向条下的胶水涂抹不均匀，出现不空隙，在空隙位置的硅片易出 TTV 台阶： 台阶的出现是由于切片过程中钢线跳线引起，而导致钢线跳线的原因，包括设备，工艺物料，等各方面原因㈠砂浆问题：砂浆内含杂质过多，没有经过充分过滤，造成钢线跳线。改善规范砂浆配置，更换延长切片的热机时间和次数。㈡硅块杂质问题：硅块的大颗粒杂质会引起跳线而产生台阶㈢线砂工艺配置引起台阶片