单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程

一、硅片生产主要制造流程如下：切片→倒角→磨片→磨检→ CP→ CVD→ ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业实习1. 硅棒粘接：用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。2. 切片 (Slice) ： 主要利用内圆切割机或线切割机进行切割， 以获得达到其加工要求的厚度， X、 Y方向角， 曲翘度的薄硅片。3. 面方位测定：利用 X 射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其 X、 Y方位角， 以保证所加工的硅片的 X、Y方位角符合产品加工要求。4. 倒角前清洗：主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。5. 倒角 (BV) ：利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。6. 厚度分类：为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。7. 磨片 (Lapping): 去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层，同时获得厚度均匀一致的硅片。8. 磨片清洗：去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。9. 磨片检查：钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模式，如裂纹、划伤、倒角不良等。10.ADE测量：测量硅片的厚度、曲翘度、 TTV、 TIR、 FPD等。11. 激光刻字：按照客户要求对硅片进行刻字。12. 研磨最终清洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。13. 扩大镜检查：查看倒角有无不良和其它不良模式。14.CP 前洗：去除硅片表面的有机物和颗粒。15.CP(Chemical Polishing): 采用 HNO3+HF+CH3COOH溶液腐蚀去除 31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。16.CP 后洗：用碱和酸分别去除有机物和金属离子。17.CP 检查：在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以及电阻率、 PN判定和厚度的测量分类。18.DK(Donar Killer) ：利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳定电阻率。19.IG(Intrinsic Gettering): 利用退火处理使氧原子形成二次缺陷以吸附表面金属杂质。20.BSD(Back Side Damage): 利用背部损伤层来吸附金属杂质。21.CVD前洗：去除有机物和颗粒。22.LP-CVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition): 高温分解 SiH4 外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。23.AP-CVD(Atmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition):在硅片背部外延 SiO2 来背封并抑制自掺杂。24. 端面处理：去除硅片背面边缘的 SiO2。25.CVD后洗：去除表面颗粒。26.ML(Mirror Lapping) 倒角 : 防止后续工艺中的崩边发生以及外延时的厚度不均匀等。27.ML 前洗：去除有机物、颗粒、金属杂质等。28.ML 贴付： 硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上， 固定硅片以利于 ML加工。29.ML: 也称之为 CMP(Chemical Mechanism Polishing) ，经过粗抛和精抛去除 14um厚度， 此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。30. 去腊洗净：去除 ML后背面的腊层。31.ADE测量：测定硅片表面形貌参数如：平整度，翘曲度等。32. ρ -t 测量：对电阻率和厚度进行测定和分类。33. 扩大镜检查：检查 ML倒角不良。34. 最终洗净：去除颗粒，有机物和金属杂质。35.WIS 测定：测量最终洗净后硅片表面颗粒。36. 最终检查：在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。37. 仓入：对硅片进行包装，防止再次污染，以待出货。