简介：太阳能光伏电池硅片切割技术 .txt3 努力奋斗，天空依旧美丽，梦想仍然纯真，放飞自我，勇敢地飞翔于梦想的天空，相信自己一定做得更好。 4 苦忆旧伤泪自落，欣望梦愿笑开颜。 5懦弱的人害怕孤独，理智的人懂得享受孤独 本文由哈哈 5790902 贡献doc 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。太阳能光伏电池硅片切割技术硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把 硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。 （图 1 ）这些硅片就是制造光伏电池的基板。图 1. 硅片切割的 3 个步骤 切料 , 切

简介：第 14 卷 第 5 期2006 年 10 月 光学 精密工程 Optics and Precision Engineering Vol. 14 No. 5 Oct. 2006收稿日期 2006202215 ;修订日期 2006 207220.基金项目 国家 863 计划重大项目 No. 2004AA31 G120 ,北京市科委重大项目 No. H020420070011 资助 。文章编号 10042924X 2006 0520829204厚硅片的高速激光切片研究崔建丰 1 ,2 ,3 , 赵 晶 5 , 樊仲维 1

简介：硅片质量特性1.1 厚度 T 在给定点处垂直于表面方向穿过晶片的距离称为晶片的厚度。 标称厚度指硅片中心点的厚度。 1.2 总厚度变化（ TTV ） 在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，最大厚度与最小厚度之间的绝对差值为该晶片的总厚度变化，即 TTV 值。 TTVTmax-Tmin 1.3 弯曲度（ BOW ） 弯曲度是硅片中线面凹凸形变的量度。它是硅片的一种体性质，与可能存在的任何厚度变化无关。 中线面也称中心面，即硅片正、反面间等距离点组成的面。 1.4 翘曲度（ Warp） 翘曲度是硅片中线面与一基准平面偏离的量度，即硅片中线面与一基准平面之间的最大距离与

简介：XXX 有限公司XX 硅材料科技发展有限公司硅片废水处理项目总结编制部门编制人编制时间审核人 审核时间XXX 有限公司I 目 录第一章 江苏协鑫硅片废水工程概况 . 11.1 工程名称、地点及单位 11.2 主要工程处理工艺特点和工程实物量特点 11.2.1 处理工艺特点 11.2.2 工程实物量特点 1第二章 施工使用规范图集 . 22.1 主要规程规范 . 22.2 工程应用的主要标准 . 32.3 其 它 文 件 . 3第三章 主要施工方法 . 33.1 施工准备 33.1.1 技术准备 33.1.2 机具准备 43.1.3 物质准备 53.1.4 人员准备

简介：上海环境热线 www.envir.gov.cn上海市环境科学研究院 环评机构 受上海新昇半导体科技有限公司 建设单位 委托开展对“集成电路制造用 300 毫米硅片技术研发与产业化项目”的环境影响评价工作。现根据国家及本市法律法规及规定，并经上海新昇半导体科技有限公司同意向公众进行第二次信息发布，公开环评内容。 本文本内容为现阶段环评结果。下一阶段，将在听取公众、专家等各方面意见的基础上，进一步修改完善。 上海环境热线 www.envir.gov.cn

简介：文章编号 1005 - 2046 2000 04 - 0171 - 06收到日期 2000204207作者简介 闵 靖 1941～ , 男 , 教授级高级工程师 1硅中的缺陷和硅片热处理闵 靖 , 邹子英上海市计量测试技术研究院 , 上海 200233摘 要 本文评述了近年来着重研究的 COP、 LSTD 、 FPD和 BMD 等硅中的微缺陷。介绍了硅片在氢或氩气中高温退火对消除硅中微缺陷 , 提高 GOI 合格率的实验结果。 研究表明 , 硅片的高温退火是提高硅片质量的一种技术途径。关键词 硅 ; 晶体原生颗粒缺陷 ; 激光散射断层缺陷 ; 流

简介：第十一章 硅片制造中的沾污控制为使芯片上的器件功能正常，避免硅片制造中的沾污是绝对必要的。随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。将学习硅片制造中各种类型的重要沾污、它们的来源以及怎样有效控制沾污以制造包含最小沾污诱生缺陷的高性能集成电路。11.1 引言一个硅片表面具有多个微芯片，每个芯片又差不多有数以百万计的器件和互连线路，它们对沾污都非常敏感。随着芯片的特征尺寸为适应更高性能和更高集成度的要求而缩小，控制表面沾污的需求变得越来越关键（见图 1） 。为实现沾污控制，所有的硅片制备都要在沾污控制严格的净化间内完成。图 1 硅片沾污现代半导体制造是在称为净化间的成熟设施中进行的。

简介：点击查看更多金刚石线锯切割报告太阳能电池硅片技术与应用进展精彩内容。

简介：太阳能硅片切割设备介绍（一） 一、 线切割设备 1. 多线切割技术的发展历史 首先简单介绍一下人类历史上的线切割历史 公元前 2000 年古埃及人用混合了水和沙的绳子切割石头 公元 19 世纪意大利人用缆绳切割大理石 公元 20 世纪 20 年代第一次有人申请了用绳切割约一英寸厚的大尺寸大理石片的专利 公元 20 世纪 60 年代第一次出现用线的往复运动来切割水晶片 公元 20 世纪 70 年代利用线的往复运动来切割 1-2 英寸的硅片 在上世纪 80 年代以前， 人们在切割超硬材料的时候一般采用涂有金刚石粉的内圆切割机进行切割。然而随着半导体行业的飞速发展，人们对已有的生产

简介： 第 25 卷第 1 期 半 导 体 学 报 V o l. 25, N o. 12004 年 1 月 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S Jan, 20043 国家高技术研究发展计划 批准号 2002AA 312023 , 国家自然科学基金 批准号 69937010 , 吉林省科学计划 批准号 20010319 和跨世纪优秀人才培养计划基金资助项目张 龙 男 , 1977 年出生 , 硕士研究生 , 从事微光电机械系统研究 M OEM S.董 玮 女 , 1973 年出生 , 博士研究生 , 从事微光电机械系统研

简介：第 14 卷 第 5 期2006 年 10 月 光学 精密工程 Optics and Precision Engineering V ol. 14 No. 5 Oct. 2006收稿日期 2006- 01- 18 ;修订日期 2006- 06- 13.基金项目 国家自然科学基金重大项目 N o. 52090101 , “ 863” 计划资助项目 No. 2002A A421230 。文章编号 1004- 924X 2006 05- 0764- 07激光清洗硅片表面 Al 2O3 颗粒的试验和理论分析吴东江 1 ,2 ,许 媛

简介：国内的 IC 硅片厂还是有的，大概情况如下（凭印象，无所谓排名，工厂都很现实，用得好，价格低的肯定优先） 1.北京有研，号称有 12 寸外延，不知道真假。产品应该比较齐全，估计 4-8 寸研磨，抛光，外延均有。2.宁波立立电子原来浙大海纳主力剥离，技术较强，产品质量应该可以，当然价格比市价高吧， 3-8 寸研磨，抛光，外延（貌似 8 寸不太成熟） 。3.天津中环 CZ 研磨片质量不太清楚，只知道 FZ 硅片有产，这个国内还是比较少的，在电力耐高压器件上用的硅片是供不应求。 l* z- y6 l ]; L3 E. I4.杭州海纳 原来浙大海纳， 多批次骨干离开， 技术实力

简介：太阳能硅片工艺详解太阳能硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。 该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块， 然后切成很薄的硅片。 图 1 这些硅片就是制造光伏电池的基板。图 1. 硅片切割的 3 个步骤 切料 , 切方和切片 硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分， 所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。 本文将对硅片切片工艺、 制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低切片成本做一个概述。 线锯的发展史 第一台实用的光伏切片机台诞生于 1980 年代，它源于 Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。 Charl

简介：实验三 四探针法测试硅片的电阻率一、 实验目的1．理解非平衡载流子的注入与复合过程；2．了解非平衡载流子寿命的测量方法；2．学会光电导衰退测量少子寿命的实验方法。二、 实验原理1．方块电阻对任意一块均匀的薄层半导体，厚 W，宽 h，长 L。图 1 薄层半导体示意图如果电流沿着垂直于宽和厚的方向，则电阻为 ，当 时，表面成方块，它的电阻称为方块电阻，记为，单位为 （ 1）式中的方块电阻 与电阻层厚度 h 和电阻率 有关，但与方块大小无关，这样得到（ 2）对于一扩散层，结深为 ，宽 h，长 L，则 。定义 L＝ h 时，为扩散层的方块电阻，3 这里的 、 均为平均电阻率和平均电导率。若原衬底

简介：电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products ManufacturingＥＰＥ（ 总第 248 期 ）Oct． 2015收稿日期 2015-10-04全自动硅片清洗设备的技术改进宋婉贞 ， 田洪涛 ， 张继静中国电子科技集团公司第四十五研究所 ， 北京 100176摘 要 全自动硅片清洗设备电气控制是以 PLC、 触摸屏为核心实现硅片清洗的自动化 。 介绍了该设备在 PLC 控制方面的技术改进 ， 包括对机械臂的运动控制方式 、 工艺适应性以及安全性能两个方面 ， 大大提高了设备的稳定性及安全性 。关键词 硅片清洗设备 ；