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简介：新余吉阳新能源有限公司This document and information herein is the property of JY and all unauthorized use and reproduction is prohibited.XinYu Giga Solar New Energy Co., Ltd 机密等级 机密 新余吉阳新能源有限公司Controlled Document （受控）Confidential level Confidential Document Title 文件名称 PECVD工艺文件Document Number文件编号 X

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简介：第 42 卷 第 9 期2015 年 9 月天 津 科 技 TIANJIN SCIENCE TECHNOLOGY Vol.42 No.9Sep. 2015收稿日期 2015-08-09 应用技术 倒角砂轮使用寿命研究陶术鹤 中国电子科技集团公司第四十六研究所 天津 300220摘 要 在硅片倒角过程中，影响到硅片边缘质量的因素很多，主要是主轴精度、 Y 轴端跳、砂轮金刚石密度等。设备参数中切入量对倒角边缘质量影响也很大，切入量越小，边缘质量越好，硅片边缘出现崩边、亮点的几率也越小。设备本身的冷却水也很重要，当冷却水流量达到一定量时，降低砂轮与硅片接触位置的表面温度，

简介：单晶硅的制备工艺张可升无机非金属 材科 7 班 学号 20090800730 一、 单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅， 然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。 熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核， 如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒， 则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料， 随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。单晶硅圆片按其直径分为 6 英寸、 8 英寸、 12 英寸（ 300 毫米）及 18 英寸（ 450 毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就

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简介：单晶硅一次清洗工艺一次清洗的目的1. 去除切片时硅片表面产生的损伤层；2. 在硅片表面制备金字塔型绒面结构；3. 清除硅片表面的油类分子及金属杂质。一次清洗的工艺流程见图 1 所示图 1 一次清洗的工艺流程图1、硅片经过切片、倒角、双面研磨、抛光等不同的工序加工后，其表面已受到严重的损伤，去除损伤层对于制作良好的绒面，提高电流有很大的帮助。去除损伤层有很多方法，本文采用热的 NaOH 溶液去除表面切割损伤层。其浓度为 20，温度控制在 85oC,腐蚀 5 分钟，反应如下Si2NaOHH2O Na2SiO32H2 两面加起来共减薄了 2040μ m左右的损伤层如图 2 所示。从

简介：单晶硅电池片工艺（初稿）工艺流程图硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1． 单晶硅片质量检验标准1． 1 外观检验1． 1． 1 基片大小 1253 125mm± 0.5mm 1． 1． 2 形状准方片1． 1． 3 直径∮ 150± 1.0mm Φ 165± 1.0mm 1． 1． 4 厚度 280± 30μ m;在所规定区域内 5 个测量值的平均值

简介：序号 省市 企业（产品类型）1 江苏 常州天合光能有限公司（硅锭，硅片，电池，组件）2 江苏 天合光能（常州）科技有限公司（电池，组件）3 河北 英利能源（中国）有限公司（硅锭，硅棒，硅片，电池，组件）4 河北 保定天威英利新能源有限公司（硅锭，硅片，电池，组件）5 河北 六九硅业有限公司（多晶硅）6 江苏 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司（电池）7 江苏 常熟阿特斯阳光电力科技有限公司（组件）8 河南 阿特斯光伏电力（洛阳）有限公司（硅锭，硅片）9 河北 晶龙实业集团有限公司（硅片）10 河北 宁晋晶兴电子材料有限公司（硅棒）11 河北 宁晋松宫电子材料有限公司（硅棒）12 河北 邢台晶龙电

简介：二手投影光刻机的翻新改造作者 郑武作者单位 上海微高精密机械工程有限公司 ,上海 ,201203刊名 电子工业专用设备英文刊名 EQUIPMENT FOR ELECTRONIC PRODUCTS MANUFACTURING年，卷 期 2004,333本文链接 http//d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_dzgyzysb200403024.aspx

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简介：制绒岗位工艺标准初配液标准（ 125*125 硅片） NaOH 2500克、 制绒添加剂 1800mL、 反应温度 84 度、 时间 1300s----1600s。腐蚀量 0.3 0.35g。后续添加 （ 200 毫升量杯） NaOH（固体） 150 毫升 /框、制绒添加剂50mL初配液标准（ 156.75*156.75 硅片） NaOH 2500克、 制绒添加剂 1800mL、 反应温度 84 度、 时间 1500s----1800s。腐蚀量 0.5 0.6g。后续添加 （ 200 毫升量杯） NaOH（固体） 175--200 毫升 / 框、制绒添加剂 50mL要求表

简介：多晶硅太阳能电池摘 要在全球气候变暖、人类生态环境恶化、常规能源短缺并造成环境污染的形势下， 可持续发展战略普遍被世界各国接受。 光伏能源以其具有充分的清洁性、绝对的安全性、资源的相对广泛性和充足性、长寿命以及免维护性等其它常规能源所不具备的优点，被认为是二十一世纪最重要的新能源。由于不可再生能源的减少和环境污染的双重压力，使得光伏产业迅猛发展；太阳电池的发展也日新月异。太阳能电池的发展历程，详细介绍了多晶硅太阳能电池的各种工艺，多晶硅太阳能电池的结构、特点，以及多晶硅的制备方法，并展望了多晶硅太阳能电池的研究趋势。关键词多晶硅 太阳能电池 发展趋势1 多晶硅太阳能电池目录绪言 . . 3

简介：电池片生产过程中工艺卫生要求太阳能电池用硅片是高纯材料，在工艺过程中，我们要避免任何有害杂质进入硅片体内 . 半导体的主要特性之一就是对杂质十分敏感， 只要有百万分之一，甚至更微乎的杂质就会对半导体的物理特性产生影响 . 目前车间工艺卫生较差、工艺卫生意识淡薄 . 应充分认识到管理和控制工艺卫生的重要性，建立各个环节的工艺卫生管理制度， 以满足工艺卫生的要求， 以免对硅片造成污染， 直接对电池的转换效率、合格品率、可靠性和使用寿命造成影响 . 工艺卫生要求所设计的范围包括车间环境、工作人员、工艺使用水、工艺化学溶液、工艺化学气体、设备工夹具等 . 其中扩散间洁净度要求万级， 其他车间要求十