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简介：半导体、光伏硅片、芯片、电池片的清洗工艺一 . 硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后， 其表面已受到严重沾污， 一般讲硅片表面沾污大致可分在三类A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污 运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀” ）到硅片表面。硅抛光片的化学

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简介：硅棒滚圆清洗清洗整理分批粘胶出料切削液收集切削液收集热除胶

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简介：TRIZ 理论太阳能电池设计一、研究目的太阳能飞机是以太阳能转化为电能作为能源的一种航空器， 由于太阳能的零污染和取之不尽的优点， 作为飞机的能源可大大提升飞机的续航能力， 并且符合低碳经济和未来能源的发展方向。 设计太阳能飞机，最主要的是能够将太阳能转化为电能。将太阳能转化为电能的设备选择太阳能电池， 因为其技术相对较成熟，并且易于实现。其中一种方法是用平面太阳能电池，其转化效率在 20左右，能较容易地为飞机提供足够的电能，但因其是平面而飞机上大部分表面为曲线形， 所以比较难以实现将其与飞机的完美结合。如果额外搭建平台（类似于预警机）用于安装太阳能电池，那么势必增加飞机的重量、复杂性，

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简介：硅片清洗工艺采用 RCA方法， 这是半导体行业硅片的标准清洗步骤1 配制氢氟酸溶液（ 1 20，本次 100ml2000ml ）2 硅片支架清洗、吹干待用3 取硅片放于支架上，按照顺序放好4 配 3＃液（硫酸 H2O 231 ，本次 660ml 220ml ） ，硫酸最后加，同时另一容器煮水5 用 3＃液煮洗， 15min ，加热至 250 ℃，拎起支架稍凉片刻6 将支架放到热水中，冲水7 配制 1＃液 （氨水 H2O2 H2O＝ 1 1 5-117 ） ， 前两者倒入热水中， 加热 75～ 85℃，时间 10～ 20min （时间不可太长，因为氨水对

简介：北京汉雷科技有限公司Keithley2400 综合特性测量分析软件之太阳能电池 IV 特性测量近年来，太阳能电池作为清洁能源的研究课题之一，在我国高校科研机构广泛的开展了研究。太阳能电池 IV 测试是一种重要和基本的测试手段，通过 IV 测试，科研人员可以获得太阳能电池的相关性能参数（转换效率，填充因子等）。在太阳能电池 IV 测量中， 多采用 Keithley2400 系列或者 2600系列源表作为 IV 测量设备，再配上太阳光模拟光源，就可以对太阳能电池进行测量了。本文主要介绍利用北京汉雷科技有限公司开发的 KEITHLEY2400 综合特性测量分析软件控制 2400系列源表进行太阳能电

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简介：1 单晶硅制绒工艺一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕； 见附图一、二 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内 ，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插 25 片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插 100 张硅片，需更