单晶硅电池片工艺

单晶硅电池片工艺（初稿）工艺流程图：硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1． 单晶硅片质量检验标准1． 1 外观检验1． 1． 1 基片大小： 1253 125mm± 0.5mm 1． 1． 2 形状：准方片1． 1． 3 直径：∮ 150± 1.0mm Φ 165± 1.0mm 1． 1． 4 厚度： 280± 30μ m;在所规定区域内 5 个测量值的平均值。1． 1． 5 TTV（ μ m） total thickness variation 在选定圆片区域内，最大厚度变化值 ≤ 50μ m 1． 1． 6 表面缺陷：≤ 2 个 深度不大于 0.05mm 1． 1． 7 破损及针孔：无可见破损和针孔1． 1． 8 边缘缺损：长度小于 5mm，深度 0.5 的破损≤ 1 个1． 1． 9 钜痕：＜ 5μ m 1． 1． 10 表面状况：表面颜色均匀一致，无残留硅粉，无水迹1． 2 电特性：1． 2． 1 晶体：无位错直拉（ CZ）单晶1． 2． 2 晶向： （ 100）± 3°1． 2． 3 导电类型： P 型（硼掺杂）1． 2． 4 电阻率（ Ω 2 CM） 0.5～ 2.0 用四探针测量平均晶体电阻1． 2． 5 少子寿命：＞ 15μ S 使用微波光电导方法，在未钝化区域内，扫描 23 2mm 区域，去 2000次测量平均值，硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。1． 2． 6 碳浓度：≤ 53 10 1． 2． 7 氧浓度：≤ 13 10 1． 3 质量判断标准： AQL2.5 2．硅片插入片盒：2． 1 工具仪器： 25 片 片盒 工作桌，凳子，真空吸附镊子2． 2 原材料： 1253 125mm 硅片2． 3 工艺过程：把一定高度的硅片放于工作桌上，在操作者面前，用真空镊子把硅片吸起， 把硅片放于片盒的最下一层， 释放真空， 硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作，直至把任务完成。2． 4 注意事项：2． 4． 1 人是最大的污染源，不要面对硅片说话，不要用手直接拿片盒，手上有钠离子、油类污染；2． 4． 2 操作人员要戴口罩、手套操作；2． 4． 3 硅片易碎，在操作过程中，工作人员要轻拿轻放，尽量减少碎片；2． 4． 4 真空吸头经常用酒精擦拭，在工作过程中，保持清洁。3．硅片清洗：3． 1 去除损伤层：3． 1． 1 目的：在硅片切割过程中，引起晶体表面晶格损伤，为把 PN 结制作在良好的晶体上，去除硅片表面的损伤层。3． 1． 2 溶液浓度的配比：NaOH： H2O=8500： 34000（重量比）在实际工作中， 34000克纯水，添加 10000克的氢氧化钠3． 1． 3 溶液的配制过程：根据资料查明： NaOH 的融解热， 10.4 千卡 /摩尔8500÷ 403 10400＝ 2210000卡2210000÷ 34000＝ 65（度）结论： 8500 克氢氧化钠，可以使 34000 克纯水温升 65 度，理论计算要与实践相结合，只要把纯水从室温升高至 25℃左右凭借着氢氧化钠的温升就可以达到 85℃了。3． 1． 4 试剂纯度：纯水， 18MΩ /CM 氢氧化钠，电子纯3． 1． 5 溶液温度： 85± 1℃3． 1． 6 腐蚀速率：条件： 20％ NaOH 溶液， 85℃，经验数据表明 4μ m/min（两边共同去除） ；内圆切割锯 20μ m/每边，线锯 10μ m/每边，通常内圆切割锯腐蚀时间 10 分钟，线锯腐蚀时间 5～ 6.5 分钟（根据实际情况摸索准确时间，经验数据，每隔几十片称量一次）3． 1． 7 反应机理：Si＋ 2NaOH＋ H2O=Na2SiO3＋ 2 H2↑28 80 18 122 4 在硅片表面每边去除 10μ m，两边共去除 20μ m A．每片去除的重量：△ g=12.53 12.53 0.00203 2.33=0.728g B．每片消耗的 NaOH 28： 80＝ 0.728： X X=2.08g C．每片产生多少 Na2SiO3 28： 122＝ 0.728： X X=3.172g D．如果每配制一次 NaOH 溶液可以清洗 3000 片，每片消耗 2.08 克NaOH， 则消耗 6.240Kg, 10 Kg 的 NaOH， 只剩下 3.76 Kg 在达到 2500片时要密切注视，每花篮硅片称量是否达到了设计要求。E．如果去除损伤层 3000 片则生成 9.516Kg 的 Na2SiO3 ，整个花篮上浮，使花篮定位不准确严重影响机械手的正常运转。3． 1． 8 注意事项与问题的讨论：A．在整个去除损伤层的过程中，大量的 H2 气泡有可能依附到硅片上，使硅片上浮，在片盒上必须设计一个片盒“盖片” ，或者片盒“挡棒” ，防止硅片上浮；B．关于去除损伤层时间的讨论：现在硅片越来越薄，去除损伤层的时间可以大大缩短， 要以实践为准。 在硅片表面制作绒面的过程中， 也要腐蚀掉一层硅，既要 PN 结制作在良好的晶体上，又要不能使硅片太薄，易产生碎片；3． 2 制绒面：3． 2． 1 目的：为了提高效率减少光的反射，在硅片表面制作出直角四面棱锥，使入射光在硅片表面形成多次反射。在 P 型［ 100］晶向上，利用晶体的各向异性，在晶体上腐蚀出正金字墙。3． 2． 2 溶液浓度的配制：纯水：氢氧化钠：异丙醇：硅酸钠＝ 1000： 15～ 20： 45ml： 4～ 6g 3． 2． 3 溶液的配制过程：A．把预热槽用纯水洗净，把纯水打入预加热槽；B．把纯水加热到 85℃；C．把预热槽的纯水打入绒面槽；D．依次按比例把 NaOH、异丙醇、硅酸钠加入到绒面槽中E．等待温度恒定后进行操作3． 2． 4 试剂纯度：纯水： 18MΩ /CM； 氢氧化钠：电子纯；异丙醇：优级纯；硅酸钠：优级纯3． 2． 5 溶液浓度： 85± 1℃3． 2． 6 绒面的制备时间：通常 25～ 30 分钟左右3． 2． 7 反应机理：由于各晶面的面密度不同，腐蚀对各晶面有选择性。 （ 100） 、（ 111）面的面密度分别为 2/a2、 4.6/a2，因此（ 100）面的腐蚀密度速度最大，（ 111） 面的腐蚀速度最小。 所以腐蚀时 （ 111） 面最容易裸露在外面。 实验得知，（ 100）面的腐蚀速度比（ 111）面大 35 倍。择优腐蚀对溶液浓度关系很大， 浓度偏高则为抛光腐蚀； 浓度偏低则为择优腐蚀。异丙醇为消泡剂。硅酸钠为缓冲腐蚀剂。3． 2． 8 注意事项与问题讨论：A． 绒面腐蚀时间：通常为 25 分钟， 根据绒面状况可以适当增加 5～ 10分钟；B． 绒面的等直角棱锥体的下边长为多长， 反射的光为最长？实践表明，从统计规律来看， a＝ 3～ 5μ m 从电池表面上反射的光线最少。温度偏低一点， 82℃，腐蚀速率慢一点， a 的长度在 3～ 5μ m 的可能性较大。C．在绒面的腐蚀过程中，尤其是在开始的第一、第二批硅片，这种现象最严重，即绒面不连续。这样就增大了反射光， 减少了电池的转换效率。 NaOH 与 Si 的反应生成硅酸钠，硅酸钠是一种缓腐剂， 缓腐的速率与硅酸钠的浓度有很大关系， 在反应初期， 生成的硅酸钠浓度过低， 低于 0.1％时， 反而引起加速反应， 并有可能引起点腐蚀。腐蚀速率过快就容易产生平地。 为克服上述现象， 每次配制新的腐蚀溶液时增加0.4％～ 0.6％的硅酸钠，就是为了克服绒面不连续现象。D．在绒面的制作过程中，会产生大量的 H2 气泡，附着在硅片上，根据情况，要不断的向溶液中增加异丙醇。异丙醇是消泡剂。 （根据实际情况及经验确定其用量）E．绒面腐蚀液时间久了，硅酸钠的含量逐渐增多，粘度也增大，比重增大，硅片上浮，为了减少绒面的不连续性绒面的腐蚀液的废液也可留下 1/4，再增加 3/4 的新溶液。F．在绒面的制备过程中，在显微镜下观察，经常会看到右图所示的现象， 如果 a 为正常绒面， b 的绒面就太小了；如果 b 为正常绒面， a 的就太大了。 B 部分为小绒面，被气泡所覆盖，减缓了反应速度，生成小绒面。 B 部分为小绒面，其表面有油质污染， 减缓了反应速度。 （形成此现象的具体原因在生产中再摸索）3． 3 漂洗：3． 3． 1 目的：在制绒面的过程中，其表面沾污了各种金属离子和各种盐类，本水槽中是四面溢流式，纯水来自上一个喷淋槽，在本槽中硅片初步清洗。3． 3． 2 漂洗时间：漂洗时间大约为 2 分钟左右，在实践中进一步摸索确定。3． 3． 3 漂洗方式：漂洗槽是四边溢流式，无任何金属粒子沾污的水泵过滤器，使纯水长生循环，加强去污效果。3． 3． 4 漂洗槽温度：室温。3． 4 喷淋槽：3． 4． 1 目的：在漂洗槽得到初步清洗的硅片，在喷淋槽中得到进一步较彻底的清洗。纯水是 18MΩ /CM 的纯水；雾化喷淋。3． 4． 2 喷淋时间：喷淋时间大约 3～ 4 分钟，在实践中进一步确定。3． 4． 3 喷淋槽温度：室温。3． 5 中和槽：3． 5． 1 目的：进一步去除硅片表面的钠离子和硅酸盐类的沾污。3． 5． 2 溶液的配制： （ 5.1～ 7.5） L 盐酸＋（ 28.1～ 26.5） L 纯水3． 5． 3 溶液温度：室温3． 5． 4 溶液的纯度：电子级（ MOS 级）3． 5． 5 溶液的腐蚀时间： 5～ 6.5 分钟3． 6 漂洗：工艺同 3． 3 3． 7 HF 酸溶液漂洗硅片 , 3． 7． 1 目的： 硅片在清洗的过程中不可避免的在硅片表面形成很厚的一层 SiO2,把一层未清洗的 SiO2 去除 。3． 7． 2 溶液的配制： HF： H2O＝ 1： 10 体积比3． 7． 3 溶液的纯度：电子级3． 7． 4 腐蚀时间：硅片表面不沾水为最佳。 SiO2 层很薄，腐蚀时间通常不大于20 秒。3． 7． 5 溶液的温度：室温3． 8 漂洗：工艺同 3． 3 3． 9 喷淋：工艺同 3． 4 3． 10 慢拉槽：3． 10． 1 目的：一批可清洗 1253 125 的硅片 300 片，为了尽量减少硅片和提篮所沾附的水迹。3． 10． 2 槽中的溶液：为 18MΩ CM 的纯水3． 10． 3 溶液的温度： 85± 5℃3． 11 烘干槽：3． 11． 1 目的：清除掉硅片表面的水渍。3． 11． 2 烘干槽的温度范围： 100～ 110℃3． 11． 3 烘干时间：每个槽不大于 10 分钟。4．扩散工艺：4． 1 目的：在硅片表面形成 PN 结4． 2 工艺条件：序号 名称 炉温 O2 N2（大） N2（小） 时间1 升温 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分2 装片 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分3 进炉 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 5′4 稳定 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 12′5 通 O2 880～ 900℃ 1.17L/min 18～ 20L/ 分 21′6 通 POCl3 880～ 900℃ 1.17L/min 18～ 20L/ 分 1.17L/min 12′7 吹氮 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 10′8 出炉 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 10′说明：① 三氯氧磷的纯度： 5 个 9 ② O2 ≥ 99.995％（压力： 40 psi=2.8Kg/平方厘米）③ N2 ≥ 99.998％ （压力： 40 psi=2.8Kg/平方厘米） 1psi=0.07Kg/平方厘米④ CDA ： 5Kg/立方厘米⑤ 循环水：进口水温≤ 25℃，出口水温≤ 35℃⑥ 源温： 20± 0.5℃⑦ R□： 中心值 60Ω 偏差： 60± 20Ω （ 5 点检测值 max-min/max+min≤ 10％） POCl3 99.999 ％4． 3 注意事项与问题讨论：4． 3． 1 硅片清洗之后，应在最短时间内进行扩散，尽量减少各种污染。4． 3． 2 怎样提高 R□均匀一致性：A．现在炉管直径逐渐增大，投片量增大，其热惯性增大，炉子的稳定时间相应的加长，通常在 12 分钟左右，硅片的温度一致性好，这是 R□均匀的基础。B．大 N2 的流量通常为 18～ 20L/ 分，它是一种输送气体，把 POCl3 气体携带到炉管中，如果大氮流量偏小，就引起硅片前后的 R□不均匀。C ．为了提高 R□的均匀性，在石英舟的前后放置石英挡板，目的是使气源更加均匀一致。D ．为了提高扩散质量，在硅片表面生成非常厚的一层 SiO2，减少表面的合金点，碱磷源对硅片的腐蚀作用，使 R□更均匀一致 。4． 3． 3 怎样尽量减少 PN 结的反向以漏电流：A．在 100 级净化间内操作，操作者戴口罩、手套、尽量减少对硅片的污染；B．硅片清洗要规范，在清洗过程中把各种沾污彻底清除掉。4． 3． 4 如果硅片在扩散时是背靠背放置， 在扩散后一定要严格区分扩散面和没扩散面，如果相混淆，那么转换效率为零，将会发生重大责任事故。操作者必须十分小心认真， 千万不能混淆。 把一对背靠背扩散的 AB 把A 片放置一堆，扩散面朝上，扩散面 /未扩散面；把 B 片放置一堆，扩散面朝下，未扩散面 /扩散面，然后在把两堆，再放置再一起， B 片翻转 180 度与 A 片相重合，交周边刻蚀。4． 3． 5 炉管饱和：如果不连续生产，每天再正式生产之前，对炉管进行饱和，即正式的扩散工艺，把石英舟放入恒温，进行一次扩散，这样做使 R□较均匀一致。4． 3． 6 做样片：在饱和炉管之后，按正常的扩散工艺做样品，通过样片测试，观察样片是否在合格范围。4． 3． 7 四探测试台：根据不同的四探针，补充相应的操作步骤说明书， R□一定要准确测量，才能更好的指导工艺调整。4． 3． 8 石英管清洗：A．把石英管放于石英管清洗机内，用去离子水冲洗石英管内部外部；B．用 HCL ： H2O＝ 1： 10 溶液浸泡 40 分钟；C．用去离子水冲洗 10 分钟；D．用氮气吹干，待用。说明： 1 所有石英制品在清洗过程中不可赤手触摸，必须戴手套；2 按石英管清洗机的操作规程清洗。4． 3． 9 为了保持石英炉管的清洗，在炉管不工作时，炉管内也要保持正压，防止外部的尘埃进入炉管。 为了提高炉管的使用寿命， 在炉管不工作时也要恒温在400℃4． 3． 10 关于扩散炉气路系统的说明：A．减压阀：压缩空气、氮气、氧气进入扩散炉，有一个减压阀，把压力调整到一个合适的范围， CDA： 5Kg/平方厘米； O2、 N2： 2.8 ～ 3 Kg/ 平方厘米；B． 过滤器的作用： 在改变量程， 各种阀门在动作时都会在系统产生大量的尘埃， 为了减少尘埃对系统的沾污， 在每个气体回路中都安装了进口过滤器，对提高产品性能是有很大作用的；C． 浮子流量计与质量流量控制器： 他们都是控制各自回路流量的气体流量的。 浮子流量计是随回路气体的压力变化而变化的， 而质量流量计的最大特点，基本不随回路气体的压力变化而变化，它的流量是非常稳定的；D．源温控制器：源温控制器对扩散的 R□的均匀性很重要。 POCl3 的饱和蒸汽压与温度基本成正比， 如果源温不稳定， POCl3 在炉管的浓度也不稳定。这就会严重影响扩散质量；E． 三氯乙烷清洗瓶： 三氯乙烷是专为清洗炉管用的。 在清洗炉管之后，炉管比较脏， 可以用三氯乙烷清洗炉管， 在科研时， 每天在扩散氧化之前都用三氯乙烷清洗炉管；F．单向阀：只准许 POCl3 和三氯乙烷向炉管方向流动，不允许向反向流动；G． 电磁阀气动阀： 通过电磁阀来控制气动阀。 在源瓶前后的气动阀一定要同时启动，或者，源瓶前面的气动阀要先启动，源瓶后面的气动阀后启动，否则不堪设想，会把源瓶的源全部送到炉管中会造成事故；H．各个气路系统的作用：①．浮子流量计系统：在扩散炉不工作，或者突然停电后，为了保证炉管保持正压，而设计的一个气路，通常流量控制在 4～ 6L/ 分 ；②．源温控制器气路：通过电磁阀气动阀的控制，质量流量计控制流量，以小 N2 携带 POCl3把源通入炉管内；③．大 N2 气路：大 N2 作用运载气体，把源快速均匀的运载到炉管；④． O2 气路： 如果 O2 的流量偏小， POCl3 热分解后，形成 PCl5 它会对硅片有腐蚀性，为了减少对硅片表面的腐蚀，一定要通一定量的 O2 气。5．周边等离子刻蚀：5． 1 目的：在 PN结扩散时，不可避免的在硅片的正面和背面都形成了 PN结， 为了减少漏电流， 利用等离子刻蚀的方法， 把正、 背面的 PN结相奋力；5． 2 主要设备： M 42200－ 1/um 型等离子刻蚀机；5． 3 主要材料和仪器：①．扩散 PN结的硅片②．聚四氯乙烯提篮③．硅片上下部的压块④．手套、口罩⑤． N2、 O2、 CF4气体，纯度为 5N 5． 4 工艺技术条件：5． 4． 1 输出功率： 600W 5． 4． 2 刻蚀时间： 9 分钟5． 4． 3 每批刻蚀的硅片数： 200 片 / 批5． 4． 4 工艺气体流量： CF4:82.5 ％； O2： 17.5 ％；（适当变化比例，四十八所调试时注意）5． 4． 5 工艺气体的压力范围： 0.1 ～ 0.2Mpa （详见设备操作规程）5． 5 安全注意事项及问题讨论：5． 5． 1 设备在不工作时，系统应真空保存；5． 5． 2 如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需要先进行一次空载刻蚀后再刻蚀硅片；5． 5． 3 在刻蚀工艺自动运行过程中，千万不能触摸电感线圈，防止高压电击；5． 5． 4 扩散后的硅片是有方向性的，一边为扩散面，另一边为未扩散面，要么扩散面朝上，要么扩散面朝下，一定要永远这样做，绝对不能搞错，一旦发生错误，整批电池的转换效率为零；5． 5． 5 每片 200 片，硅片要排列整齐，用聚四氯乙烯提篮和上下压块把待刻蚀硅片压紧，防止刻蚀到硅片里边；5． 5． 6 把提篮放入真空室时要轻拿轻放，防止损坏石英钟罩，以及真空密封部分；5． 5． 7 机械泵的泵油要及时更换，至少每半个月或者每一个月换一次油，保持系统的真空良好；5． 5． 8 怎样判断周边刻蚀的质量呢？从电池片的 IV 曲线上就可以判断周边刻蚀的质量：如果出现如左图的不正常 IV 曲线， 就说明等离子刻蚀质量不好， 周边的 PN结没有完全刻蚀掉， 有明显的 PN结漏气，必须调整工艺参数。6．去除硅片表面的氧化层 ：6． 1 目的：在 PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了一定厚度的磷硅玻璃层，为了形成良好的欧姆接触，减少入射光的反射，在淀积 SixNyHz 之前，把磷硅玻璃腐蚀掉。IVI SCV O C正 常IV曲线不正常的曲线6． 2 设备：去磷硅玻璃清洗机6． 3 主要原材料和工具： A. 已经周边刻蚀的硅片；B. 氢氟酸 纯度等级：电子纯；C. 氟化铵 纯度等级：电子纯；D. 片盒、提篮；E. 化学防腐手套；F. 防护眼镜；G. 围裙；H. 金属镊子；6． 4 硅片上片盒：6． 4． 1 已扩散的硅片有方向性（有扩散面和未扩散面），片盒同样有方向性，一定要定义好，扩散面对准片盒的哪一个方向；6． 4． 2 在装片的过程中，尽量减少对硅片的污染，人是最大沾污源，不要面对硅片说话，不能用手直接接触硅片；6． 5 腐蚀液的配制：A ． 40％的氟化铵溶液＋ 5％的氢氟酸（占氟化铵体积的 5％）B ．溶液温度：室温；C ．腐蚀时间： 2 分钟；说明：当片盒提出腐蚀溶液时，硅片表面不沾水，没有任何水痕，则表示硅片上的磷硅玻璃已经完全腐蚀干净。6． 6 淋洗槽：（水浴槽），该槽的纯水来源于喷淋槽，该槽的纯水自循环，四边溢流式；从腐蚀槽出来的提篮，立刻放入水浴槽，时间 2～ 3 分钟。6． 7 喷淋槽：喷淋槽的纯水来自纯水站；每一个提篮要喷淋 2 分钟。6． 8 慢拉槽：进一步清洗硅片，在慢拉过程中，使提篮片盒和硅片上尽量沾少量的水痕；槽的水温在 60～ 80℃，时间： 2 分钟；6． 9 双位烘干槽：温度： 100 ～ 110℃ 时间： 10 分钟；干净的除油、除尘、除湿的空气吹干。62 5R751 52×1743×2731.25丝网印刷部分：1．正面栅线设计：1． 1 细栅线的宽度： 0.125 1． 2 细栅线的根数为 44 根1． 3 最边缘的细栅线到电池边缘的距离为 1.7mm 0.1253 44＋ 1.73 2＋ 433 2.7＝ 125 1． 4 两根细栅线之间的距离为 2.7mm 1． 5 立栅线的宽度为 1.5mm 125 均分为 4 2．正面栅线丝网的材料、目数与膜厚：2． 1 材质：进口德国的不锈钢丝网2． 2 目数： 280 目；线径： 30μ m；纱厚： 50μ m；膜厚： 15μ m；膜和丝网的总厚度： 65μ m 2． 3 张力： 26 牛顿3．浆料：3． 1 浆料： Ag 浆；3． 2 生产国家：美国 ferro 3． 3 规格： 3349 4． 丝网与硅片之间的距离： 对不锈钢丝网， 两者之间的距离 1～ 2mm,以 1.5mm为最佳值；2．背面 AgAl 浆可焊电极：2． 1 背面栅线图形的设计：2． 1． 1 33 109 的银铝浆汇流条与 1.53 0.2 的焊带形成良好的焊接性能。2． 1． 2 问题讨论：1 2 6.510＃ 这两种图形各有优缺点：图 1 为长条状，浪费了 AgAl 浆料，如果硅片碎片后可以顺利的划成碎片；图 2 可以节省 AgAl 浆料，降低成本，但是硅片碎片之后，划成小片利用率大大降低。＃ 用 3 这种图形，与铝背场能够形成良好的欧姆接触，铝浆料与银铝浆料有细线重叠部分，这样可以大大提高效率和填充因子。＃ 尽量减少铝浆与银铝浆的重叠部分，在显微镜下观察两者的重叠部分严重发黑， 既大量大有机溶剂没有充分挥发， 这样就严重影响电池效率和填充因子。 无锡尚德采用两排交错打孔的方法尽量减少重叠部分的影响。2． 2 背面电极丝网材料、目数与膜厚2． 2． 1 材质：进口德国不锈钢丝网2． 2． 2 目数： 325 目2． 2． 3 线径： 23～ 28μ m 2． 2． 4 纱厚： 46μ m 2． 2． 5 膜厚： 15μ m 2． 2． 6 膜和丝网的总厚度： 60～ 63μ m 2． 3 浆料规格： AgAl 浆 牌号： 3398 生产国家： FERRO 美国2． 4 丝网与硅片之间的距离： 1～ 1.5mm 为宜3．背面铝背场丝网图形的设计：3． 1 铝背场的图形设计如图所示3． 2 关于丝网的规格3． 2． 1 材质：不锈钢丝网，进口德国3． 2． 2 目数： 200 目33． 2． 3 丝直径： 46～ 53μ m 3． 2． 4 丝网厚度： 82～ 90μ m 3． 2． 5 膜厚： 15μ m 3． 2． 6 张力： 26～ 25 牛顿3． 3 浆料规格：美国 FERRO 53－ 038 铝浆3． 4 丝网与硅片之间的距离： 1～ 1.5mm 测试分选：