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简介：硅晶片切割技术线锯的发展史第一台实用的光伏切片机台诞生于 1980 年代，它源于 Charles Hauser 博士前沿性的研究和工作。 Charles Hauser 博士是瑞士 HCT切片系统的创办人，也就是现在的应用材料公司 PWS精确硅片处理系统事业部的前身。这些机台使用切割线配以研磨浆来完成切割动作。今天，主流的用于硅锭和硅片切割的机台的基本结构仍然源于 Charles Hauser 博士最初的机台，不过在处理载荷和切割速度上已经有了显著的提高。切割工艺现代线锯的核心是在研磨浆配合下用于完成切割动作的超细高强度切割线。最多可达 1000 条切割线相互平行的缠绕在导线轮上形成一个水平的

简介：硅片表面的几种处理方法和步骤一、 硅 片的 预处理 （ 1）硅片切割根据所需大小，用玻璃刀进行硅片的切割。操作时需要在洁净的环境中，并带一次性手套， 以避免污染硅片。 先在桌面平铺一张干净的称量纸， 用镊子小心夹持硅片的边缘，将其正面朝上（光亮面）放于称量纸上；再取一张干净的称量纸覆盖于硅片表面，留出硅片上需要切割的部分；将切割专用的直尺放于覆盖硅片的纸上，用手轻轻压住直尺；直尺应不超过待切割侧的纸面， 以防止直尺污染硅片； 切割时玻璃刀沿直尺稍用力平行滑动，使用的力量以能在硅片表面形成一清晰的划痕， 但不至于将硅片划开为度； 如对大块硅片进行横纵向多次切割，即可在硅片表面形成网格；将硅

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简介：硅晶片的超精密加工摘要 归纳总结了硅晶片的加工原理、加工方法，分析加工硅晶片的技术要求其精密制造过程，并通过对国外技术装备的分析，指出硅晶片高效精密加工技术的发展趋势。关键词 硅晶片 超精密加工 磨削 抛光前言硅是具有金刚石晶体结构，原子以共价键结合的硬脆材料，其硬度达到 1000HV ，但断裂强度很低， 所以超精密加工晶体硅有一定的难度。 同时， 硅又是一种很好的材料， 构成集成电路半导体晶片的 90以上都是硅晶片。随着电路芯片的集成度不断提高，而加工特征尺寸和加工成本逐步缩小， 如下表。 为了能在硅晶片上印刷集成电路，与其他元件结合紧密， 硅晶片的表面必须平直， 特别是随着集成电

简介：硅 NPN 三极管的设计与平面工艺的研究摘要 本文介绍根据所要求的设计目标设计出 NPN 三极管的工艺参数和各区参数，用抛光好的硅片通过氧化、 扩散、 光刻这三个最基本的平面工序， 制备出能用晶体管特性测试仪测试放大特性和击穿特性的硅平面 npn 晶体管管芯。 通过对所制备管芯特性的测试分析， 理解工艺条件对硅 NPN平面晶体管的参数的影响关键词 双极晶体管，工艺，放大倍数，击穿电压一、引言自从 1948 年晶体管发明以来，半导体器件工艺技术的发展经历了三个主要阶段 1950年采用合金法工艺，第一次生产出了实用化的合金结三极管； 1955 年扩散技术的采用为制造高频器件开辟了新途径；

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简介：1第六章 光刻工艺（ Photolithography原理和工艺第六章 光刻工艺引言（基本概念）光刻胶的化学性质与作用光学光刻光学光刻的限制及技术展望第一节 引言 --- 集成电路中的图形2集成电路发展趋势特征尺寸不断缩小 硅圆片直径不断增大提高电路性能 降低生产成本引言 --- 基本概念（ 1）光刻 Lithography 用照相复印的方法将光刻版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现后续的有选择刻蚀或注入掺杂。光刻版 Photo Mask 带有电路图形信息的、有选择区域透光或不透光的光刻用掩模版。光刻胶 Photoresist 感光前后溶解度会发生很大变化的化合物。3正胶光刻

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简介：硅碇开方的最新工艺太阳能电池材料单晶硅太阳能电池简介目 录第一章 单晶硅太阳能电池简介 1 太阳能电池组件生产工艺基本流程概述 1 1、化学减薄、制绒和清洗 . 1 2、 扩散制 PN 结 . 2 3、 等离子刻蚀去边 . 2 4、 扩散后清洗 . 2 5、 制减反射膜 . 2 6、 丝网印刷电极 . 2 7、 烧结 . 3 8、 电池测试 . 3 9、 组件生产 . 3 第二章 太阳能电池材料 4 第三章 国内外多晶硅生产的主要工艺技术 5 第四章 太阳能级硅材料主要的清洗工艺路线简介 6 一、自动超声波硅片清洗处理 6 二、自动单多晶混合制绒酸洗综合处理 7 三、自动单晶

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简介：感谢所有的原文作者，这里我只是略作整理，希望能对新手有所帮助。光刻工艺光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上， 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～ 60。光刻机是生产线上最贵的机台， 5～ 15 百万美元 / 台。主要是贵在成像系统（由15～ 20 个直 径为 200～ 300mm的透镜组成）和定位系统（定位精度小于 10nm） 。其折旧速度非常快， 大约 3～9 万人民币 / 天， 所以也称之为印钞机。 光刻部分的主 要机台包括两部分轨道机（ Track

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简介：第 1 页1 绪论在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发，在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点，就是即将到来的光刻技术变革，这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。从目前的发展趋势判断， 0.13μ m 光刻仍将采用光学光源，其中问题只在于是将 248nm 技术继续推进到 0.13μ m，还是采用 193nm 技术。随着加工尺寸向0.1μ m 逼近，能否突破 0.1μ m 成为一只占据主流地位的光学光刻技术所面临的最为严峻的挑战。更短波长光源、新的透镜材料和更高数字孔径光学系统的加工