简介：第null 卷 第 null期 太 阳 能 学 报 null null nullnull nullnull , null null null null 年 null月 null null null null null null null null null null nullnull null null null null nullnull nullnull null null null null null null null 固定式光伏方阵最佳倾角的分析 杨 金 焕 null西安交通大学, 西安, null nullnull null理null null 摘 要 对于负荷全年均衡分布的独

简介：»13 »1 ù ÐV o 1. 13 1 9 9 2 Ml þ A C T A E N E R G IA E SO L ¦R IS S IN IC A N o 1 9 9 2 áSKD n˜¥9 Ø MÄ ëÑ •Âá ü 2ØvÐv  SГ, 2Ø, 210008 K1  Û • ò

简介：2010 年 1 月 内 蒙 古 大 学 学 报 自 然 科 学 版 Jan. 2010 第 41卷 第 1期 Journal of Inner M ongo lia U niversity V o l. 41 N o. 1 文 章 编 号 1000- 1638 2010 0120116204 定 时 跟 踪 太 阳 时 角 提 高 光 伏 发 电 效 率 X 樊 国 梁 1, 张 晓 燕 2 1. 内 蒙 古 大 学 物 理 科 学 与 技 术 学 院 物 理 系 , 呼 和 浩 特 010021; 2. 内 蒙 古 工 业 大 学 理 学 院 物 理 系 , 呼 和 浩

简介： （ 类 别 全 日 制 硕 士 研 究 生 题 目太阳能光伏发电性能影响因素的 研究 英文题目 St u d y o n t h e I n f l u e n c e F a c t o r s of P h o t o v o l t a i c P e r f o r m a n c e 研究 生冯志 诚 学 科 名 称 热 能 工 程 指 导 教 师 田 瑞 教授 二 ○ 一 三 年 四 月 硕士学位论文 分类号 学校代码 10128 UDC 学 号 20101176 内蒙古工业大学硕士学位论文 摘 要 化石能源的大

简介：基于数据挖掘的区域性光伏方阵倾角的研究 庞 慧I，康洪波-，郑铮 1．河北建筑工程学院，河北张家13 075000；2．唐山师范学院，河北唐山063000 摘要随着光伏电站在我国的不断建成。影响光伏发电效率的重要因素之一的光伏阵列的最佳倾角问题也越来越引起 人们的重视。在论述独立太阳电池板倾角计算方法的基础上。利用数据挖掘技术对太阳电池阵列的系统运行参数进行 指标性评价。并通过评价结果来分析风光互补发电系统中光伏阵列倾角对系统发电的影响。从而设计出基于数据挖掘 技术的区域性风光互补太阳能阵列倾角的处理方法。 关键词数据挖掘风光互补发电系统；太阳能倾角；区域性风光互补参数 中图分类

简介：装备制造技术2014年第4期 南宁地区光伏阵列倾角方位角对 光伏系统性能的影响研究 黄丽芳．林小峰 广西大学电气工程学院，广西南宁530004 摘要在太阳能应用中，不同倾角和方位角太阳能电池组件接收至lJ的太阳辐射量不同。选择合适的方位角和倾角是太 阳能工程设计的关键之一。为此设计了一套光伏发电效率检测装置，对12块不同朝向和倾角的太阳能组件输出进行采 集，并对采集到的数据进行详细的分析和研究，得出南宁地区光伏阵列倾角、方位角对光伏系统性能影响的结论。 关键词太阳能；倾角；方位角；效率检测 中图分类号1M615 文献标识码B 文章编号1672545X201404-01

简介：»28 »1 ù 2 0 10 M1 £nullÈnull null÷null SnullÐ Water Resources and Power Vol.28 No.1 Jan.2 0 1 0 ÓcI| 1000-77092010 01-0148-04 þ ;™ÈKvÿ qÄW¤õ6 ØEùî 陈进美1 null 陈 null 峦1, 2 1.

简介： 第 33 卷 第 34 期 中 国 电 机 工 程 学 报 Vol.33 No.34 Dec.5, 2013 98 2013 年 12 月 5 日 Proceedings of the CSEE ©2013 Chin.Soc.for Elec.Eng. 文章编号 0258-8013 2013 34-0098-08 中图分类号 TM 61 文献标志码 A 学科分类号 470⋅40 武汉地区光伏组件最佳倾角的实验研究 陈正洪 1 ，孙朋杰 1 ，成驰 1 ，严国刚 2 1．湖北省气象服务中心，湖北省 武汉市 430074； 2．武汉日新科技股份有限公司，湖北省

简介：太阳能光伏电池板倾角优化研究 徐婧 摘要对于固定式太阳电池方阵，不同倾角直接影响到太阳能电池方阵接收到的太阳辐射量。为使光佚方阵效 率最大化，需要对太阳能光伏电板的倾角进行设计及优化，选择太阳电池方阵的最佳倾角。在前人的简化 模型基础上提出更精确的太阳能光伏电池板倾角优化算法，并在使用天文算法中’的复杂算法得出的高 精度太阳位置的基础上自建模型加入晴雨时长系数修正，通过对直接辐射时长的比较提高算法精度。实 践证明，经过优化的方法为太阳能设备效率优化提高了精确度。 关键词太阳有效辐射时长；太阳精确位置；最佳倾角 中图分类号TM914．5文献标识码A文章编号1008420720

简介：光伏电缆技术极其标准的发展 所有的太阳能电池，均产生直流电并需要转换交流电。具有一定容量的光电源，需要许多 千个单元模块组成，并将每一个单元模块有规则的连接起来，可想而知 PV 电缆结构中包 括很多的绝缘细线。初期研究光伏电池，主要精力是对元件及其组合方面，目前对于 PV 电缆的研究也提到了日程。近十年来，全球光能发电市场高速增长，而光伏电缆仍没有国 际标准，因此可借鉴的标准和试验，需加以调整，如寿命循环试验等，尤其应当注意的是 电缆长期暴露在强烈紫外线下的老化问题。 光伏电池由大到小，一般居民屋顶的小型 PV 为几千瓦峰值kWp-Kilowatt peak，工业用的 中型 PV 为几兆

简介：产品安全性能认证实施规则 CQC/RYXXX-2009 光伏发电系统逆变器产品 安全性能认证实施规则 Implementation Rules for Safety and Performance Certification of Power Converters for use in Photovoltaic Power Systems 2009 年 6 月 30 日发布 2009 年 6 月 30 日实施 中 国 质 量 认 证 中 心 前 言 为了保证 CQC标志产品认证工作顺利开展，确保认证各项工作符合 ISO/IEC导则

简介：第 1 页 共 74 页 多晶硅生产工艺学 第 2 页 共 74 页 绪论 一、硅材料的发展概况 半导体材料是电子技术的基础，早在十九世纪末，人们就发 现了半导体材料，而真正实用还是从二十世纪四十年代开始的， 五十年代以后锗为主，由于锗晶体管大量生产、应用，促进了半 导体工业的出现，到了六十年代，硅成为主要应用的半导体材料， 到七十年代随着激光、发光、微波、红外技术的发展，一些化合 物半导体和混晶半导体材料如砷化镓、硫化镉、碳化硅、镓铝 砷的应用有所发展。一些非晶态半导休和有机半导休材料（如萘、 蒽、以及金属衍生物等）在一定范围内也有其半导休特性，也开 始得到了应用。 半导休材料硅的生

简介：光伏组件支架（压重法）安装施工工艺标准 第一节 材料设备要求 第 1.1 条 线槽及其附件，应采用经过热镀锌处理的定型产品，其规格、型 号应符合设计要求。线槽内外应光滑平整、无棱刺，不应有扭曲、飞边等变形 现象。 第 1.2 条 镀锌材料，采用圆钢、扁钢、角钢、螺栓、螺母、螺丝、垫圈、 弹簧垫等，金属材料都应经过热镀锌处理。 第 1.3 条 辅助材料钻头、电焊头、调和漆等。 第 2 节 主要机具 第 2.1 条 切割机、冲击钻、手枪钻、角磨机、切削钻头 Φ14、冲击钻头 Φ14、锤头、竹杠、内六角扳手 M8、活动扳手。 第 2.2 条 缆绳、放线绳、墨水、卷尺 5m、卷尺 50m、

简介：光伏电站建设背后怎样的标准与测试更具意义 业内关于上述哪一类背板产品性能最优虽有一定界定，但这个界定目前正逐渐变得含糊， 每一类背板都有生产商，都有其拥护者，都试图说服客户相信并使用他们的产品，由于没 有标准及公认统一测试，为所有背板产品提供了发展的温床。 根据户外环境的实际情况，对背板大致形成了六个方面的测试需求紫外、温度、湿气、 环境腐蚀、电气绝缘以及物理保护。据了解，目前国际标准停留在几年前的阶段，跟不上 当前对背板的要求，背板的测试多与组件测试放在一起进行，现在针对背板的标准是 IEC61730，而测试中只做局部放电测试。 为了体现品牌背板的性能优势，市场上出现了各种单项测试、强

简介： 卡姆丹克公司 公司地址上海南汇工业园区园迪路 16 号 邮编201314 电话86 216804 3010 传真 86 216804 3332 E-mailsalescomtecsolar.com 单晶硅准方片技术规格 项目 规格编号 NO. ITEMS SPECIFICATIONS 单位 UNITS 拉制方式 1 Growing Method CZ 材 料 单晶硅 2 Material Monocrystalline Silicon 导电类型掺杂剂 3 Type Dopant P/B or P/Ga 硅片尺寸 125*125±0.5