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简介：硅片技术规格（ 125 125mm）特性 规格 说明 抽测比率生长方式 CZ 不得使用物理提纯法的硅 料每根棒子抽测 20片，其中若有一片不合格，加抽 20 片晶向 ± 1°型号 /掺杂剂 P/B 氧含量 ≤ 1.0 1018/cm3碳含量 ≤ 5.0 1016/cm3电阻率 1.0 3.0Ω ㎝ 单片电阻率不均匀性 ＜ 10％少子寿命 ≥ 1.3μ s 裸片数据几何尺寸外形 准方中心厚度 200± 20μ m TTV ≤ 30μ m 边长 （开方尺寸） 125± 0.3mm 直径 150± 0.3 m

简介：硅片力学性能及热膨胀系数的热稳定性研究作者 王晓燕 ， 翟秀静 ， 张廷安 ， 符岩 ， 郑双作者单位 王晓燕 ,翟秀静 ,张廷安 ,符岩 东北大学 ,辽宁 ,沈阳 ,110004 ， 郑双 沈阳航空工业学院 ,辽宁 ,沈阳 ,110032刊名 真空与低温英文刊名 VACUUM AND CRYOGENICS年，卷 期 2009,153被引用次数 2次参考文献 8条1. 王鸿芳 中国海洋一号电源系统设计与在轨性能评估 2003032. WANG X Y;GENG H B;HE S YEffect of Thermal Expansion Coeffici

简介：文件编号 SY-XX-X-01-X/V1.0 1/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 文件类别 文件编号版本号 /发布日期 页数文件名称版本号 /日期 编写人 批准人 备注本文件由浙江尚源光伏科技有限公司版权所有，未经尚源公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。这是电子文件，影印版本未受控制。任何争议，以尚源公司文控中心的硬拷贝为准 。文件编号 SY-XX-X-01-X/V1.0 2/7 浙江尚源光伏科技有限公司Zhejiang Sunyouo Solar Co., Ltd. 晶体硅多晶硅片检验

简介：摘要硅片键合技术是指通过化学和物理作用将硅片与硅片、硅片与玻璃或其它材料紧密地结合起来的方法。硅片键合往往与表面硅加工和体硅加工相结合，用在 MEMS 的加工工艺中。常见的硅片键合技术包括金硅共熔键合、 硅 / 玻璃静电键合、 硅 / 硅直接键合以及玻璃焊料烧结等。 文中将讨论这些键合技术的原理、工艺及优缺点。关键词 MEMS、金硅共熔、阳极键合、硅硅直接键合、烧结文章编号 1006-883X（ 2002） 09-0002-05 文献标识码 A 中图分类号 TP205一、引言微机电系统 MEMS（ Micro-Electro-Mechanical Systems ）是微电子技术在精

简介：硅片加工损伤机理的压痕、划痕研究作者 郜伟 ， 张银霞 ， Gao Wei， Zheng Yin-xia作者单位 郑州大学机械工程学院 ,河南郑州 ,450001刊名 电子质量英文刊名 ELECTRONICS QUALITY年，卷 期 20088参考文献 17条1. Vodenitcharova T;Zhang L C A mechanics prediction of the behaviour of monocrystalline sillconunder nano-indentation [外文期刊 ] 2003122. Puttick K E;Whitmo

简介：硅片行业术语大全 中英文对照 A-HAcceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement

简介：规格 156 mm对角线 200 mm硅片面积 238.95 cm2

简介：AuthorJunichi TakahashiKouichi YounoAgilent Technologies9-1 Takakura-Cho, Hachioji-ShiTokyo, 192-0033JapanAbstractA newly designed, high-sensitivity reaction cell induc-tively coupled plasma mass spectrometer ICP-MS wasused to determine trace metals in the presence of a highconcentration of silic

简介：XY-SC-BD-015*本规定盖有发行章才有效环境要求※室内无尘，温度在 23℃± 5℃，湿度在 50± 10取片※食指轻贴硅片随后中指也跟着轻贴将硅片向上抬起20mm左右※大拇轻贴硅片配和食指及中指一起夹住硅片将其向上抽出片架※右手拿取硅片及翻转检查硅片，左手收片（见图片1、 2）●检片时发现不良片时将其按类放置，收片累计 25张为止※整理（见图片 3）※旋转打开硅片检查（见图片 4）●旋转打开过程中发现不良，现将其上面好的片拿去叠放到底下，再去重复做上面的取片、检片步骤，补齐张数※旋转打开状态下翻过面来检查硅片（见图片 5）●发现不良，现将其上面好的片拿去叠放到

简介：硅片级可靠性测试 转）赵 毅，徐向明（上海华虹 NEC 电子有限公司，上海 201206 ）摘要介绍了硅片级可靠性之所以成为现在半导体工艺研发重要组成部分的原因。对硅片级可靠性所涉及的各个项目作了详细的介绍。同时，对各个项目的测试和评价方法也做了详细的分析。最后，对硅片级可靠性测试的发展方向做了分析。关键词硅片级；可靠性；测试中图分类号 TN304 文献标识码 A 文章编号 1003-353X200411-0005-03 Wafer Level Reliability Test ZHAO Yi ， XU Xiang-ming Shanghai HuaHong NEC Ele

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简介：半导体工艺化学实验报告实验名称 硅片的清洗实验目的 1. 熟悉清洗设备2. 掌握清洗流程以及清洗前预准备实验设备 1. 半导体兆声清洗机（ SFQ-1006T）2.SC-1 ； SC-2 实验背景及原理清洗的目的在于清除表面污染杂质，包括有机物和无机物。这些杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面。有机污染包括光刻胶、有机溶剂残留物、合成蜡和人接触器件、工具、器皿带来的油脂或纤维。无机污染包括重金属金、铜、铁、铬等，严重影响少数载流子寿命和表面电导；碱金属如钠等，引起严重漏电；颗粒污染包括硅渣、尘埃、细菌、微生物、有机胶体纤维等，会导致各种缺陷。清除污染的

简介：LE 1000-2 电子厚度测定仪采用最新测量技术特点最新式的高精度内部光学测量仪器。通过电缆释放装置（ cable release）或空气压力连接柱塞驱动。适用于薄膜厚度、位移、位置及尺寸的精确测量。 LE 1000-2 是大部分测量应用的理想仪器。系统特点及优势系统高精度优于 ± 0.2 μ m 固钢支架直径 80mm 的坚固钢圈及铸钢基座，适用于精确的重复测量。线性贯穿整个 12mm 或 25mm 的测量范围。操控简便提供控制器的用户友好设置界面，可设置单位及其它特性。压强极低 LE 1000-2 的修正版本可提供“最低压强” ，适用于薄膜厚度测定RS-232 输