简介：硅片行业分析报告内容目录1. 硅片制备环节复杂，大硅片是未来主要发展方向 41.1. 芯片工艺流程复杂，硅片制备是基础步骤 41.2. 硅片制备环节所用设备众多 . 51.3. 硅片尺寸加大和增加外延层是未来发展方向 . 92. 硅片厂快速扩产，国内投资风起云涌，设备投资需求巨大 . 102.1. 全球半导体行业高度景气，大基金加持国内投资快速增加 . 102.2. 全球硅片供不应求，需求持续增加而产能增加缓慢 . 122.2.1. 未来三年 300mm 硅片产能缺口将持续 . 132.2.2. 200mm 硅片处于供给紧平衡状态 . 152.3. 国内硅片投资风起云涌，设备需求巨大

简介：在半导体材料硅的表面清洁处理， 硅片机械加工后表面损伤层的去除、 直接键合硅片的减薄、 硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。 下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。一、硅片腐蚀工艺的化学原理硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀， 硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池， 腐蚀电流较大， 一般超过 100A/cm2， 但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（ HF） , 硝酸 HNO3 混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾 KOH或氢氧化钠（ NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是 HNO3-HF 腐蚀液和 NaOH 腐蚀液。下面分别介绍这两

简介：光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号 LW-BZ-009-A1 版本 A/1 版受控状态编制部门技术中心发放编号编制 日期审核 日期批准 日期发布日期 实施日期A/1 版文件更改申请单编号 LW-CX-001-A1-03 文件名称 硅片检验标准 文件编号 LW-BZ-009-A1 申请部门 铸切技术部 申请人 王伟批准人 批准日期更改原因1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、 无2、 156-156.7 3、 无4、 B片中崩边要求为 length ≤ 1.5m

简介：点击查看更多硅片加工工艺06磷扩散精彩内容。

简介：从 A 到 Z，讲述硅片行业专业知识中英文对照Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素， 比如硼、 铟和镓。 受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displa

简介：供应商名称 代码 供应商名称 代码 供应商名称 代码 供应商名称 代码 供应商名称 代码浙江昱辉 01 苏州世宗 51 江苏立达 101 江西威富尔 151 常州协鑫 201嘉兴五神 02 上海晶杉 52 扬州中泰 102 张家港东大 152 上海众晶太阳能 202上海卡姆丹克 03 上海域炜 53 扬州锦达 103 上海风之阳 153 宁波保利再生 203无锡二泉 04 江阴爱多 54 盱眙天成 104 上海磐萌 154 张家港良盛光伏 204上海九晶 05 重庆大全 55 江苏天翔 105 镇江荣德 155 嘉祥县石墨制品有限公司 205江苏聚能 06 国电晶德 56 世平与业 106

简介：点击查看更多硅片电镀线切片：断线分析精彩内容。

简介：点击查看更多硅片化学机械抛光时运动形式对片内非均匀性的影响分析精彩内容。

简介： 1 硅片行业术语表（中英文对照）Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在 半导体 中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement

简介：点击查看更多硅片高温翘曲与常温机械强度精彩内容。

简介：点击查看更多硅片加工工艺10丝网印刷和烧结精彩内容。

简介：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ． ２９ Ｎｏ． １１Ｎｏｖｅｍｂｅｒ ２００４ 5１ 引 言硅片级可靠性 测试最早是为了实现内建 可靠性而提出的一种测试手段 ［１］因此 工艺工程师在调节了工艺后实时地了解工艺调节后对可靠性的影响如今 所以同时这也为业界广泛接受而且不定时的更新其内容电迁移天 线 效 应用于工艺开发的 Ｗ Ｌ Ｒ 的流程主要如下制定一个 Ｗ Ｌ Ｒ 计划样品数 Ｌ ｏ ｔ 数等比如说电迁移中器件使用温度等如果是用斜坡电压法则要求测试面积大于１ ０ ｃ ｍ ２ Ｄ ０ 如果是用恒定电压法在评价热载流子效应时下面详细介绍一下各个项目电 迁 移Ｅ Ｍ电

简介：No. 中文 英文1 英文21 规格 硅片尺寸 Wafer size2 导电类型 Conductivity type3 电阻率 Resistivity4 氧含量 Carbon content5 碳含量 Oxygen content6 少子寿命 Lifetime7 硅片厚度 Center Thickness8 直角偏差 Angle between square sides9 总厚度偏差 TTV10 刀痕 Saw mark11 弯曲度 BOW12 翘曲度 Warp13 边缘缺角 Edge Defects14 翘曲度 Warp15 边缘缺角 Edge Defects

简介：硅片产品规格说明书一、目的和用途加强对硅片的供方管理和质量管理二、适用范围适用于 125 125 单晶， 156 156 多晶硅片三、各项指标项目 方法 标准 工具外包装SF/03-JY-026 外包装完整，防摔、污、潮的措施完备 目测外形尺寸125 125 或 156 156 见方尺寸允许误差± 0.5mm 硅片对角线误差± 0.5mm 所检每片硅片的平均厚度 ≥ 170μ m MS-203 所检每片硅片的平均厚度值基本尺寸± 20μ m 所检硅片总体平均值允许误差± 10μ m 硅片（同一片

简介：3） 硅片定位边或定位槽 在硅锭上做一个定位边来标明晶体结构和硅片的晶向。主定位边标明了晶体结构的晶向，如图 2.12 所示。还有一个次定位边标明硅片的晶向和导电类型。 六吋以下的硅片都是如此定位的。 八吋及以上的硅片已采用定位槽， 具有定位槽的硅片在硅片背面靠近边缘的区域有激光刻上的关于硅片的信息。如图 2.13 所示。硅片的晶向是指与硅片表面垂直的方向，如 N硅片，其与硅片表面垂直的晶向就是 晶向，定位边只是一种标识，是一种行业的规定，用来表示该硅片是那种类型（ P 型或 N 型）及其晶向的，本身的方向与硅片晶向无关。