简介：超大规模集成电路制造中硅片平坦化技术的未来发展作者 郭东明 ， 康仁科 ， 苏建修 ， 金洙吉作者单位 大连理工大学机械工程学院 ,大连 ,116024刊名 机械工程学报英文刊名 CHINESE JOURNAL OF MECHANICAL ENGINEERING年，卷 期 2003， 3910引用次数 18次参考文献 18条1. HAHN P OThe 300 mm silicon wafer - a cost and technology challenge 2001562. International Technology Roadmap for Semi

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简介：Page1 of 52硅片生产工艺流程及注意要点简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。 硅片加工的主要的步骤如表 1.1 的典型流程所示。 工艺步骤的顺序是很重要的， 因为这些步

简介：中国高新技术企业半导体硅片清洗工艺的发展研究文 ／ 舒福璋【 摘 要 】 在 硅 晶 体 管 和 集 成 电 路 生 产 中 ， 几 乎 每 道 工 序 都 有 硅 片 清 洗 的 问 题 ， 硅 片 清 洗 的 好 坏 对 器 件 性能 有 严 重 的 影 响 ， 处 理 不 当 ， 可 能 使 全 部 硅 片 报 废 ， 做 不 出 晶 体 管 来 ， 或 者 制 造 出 来 的 器 件 性 能 低 劣 ， 稳 定性 和 可 靠 性 很 差 。因 此 弄 清 楚 硅 片 清 洗 的 方 法 ， 不 管 是 对 于 从 事 硅 片 加 工 的 人 ， 还 是 对 于 从 事 半 导 体 器

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简介：加工流程单晶生长→切断→外径滚磨→平边或 V 型槽处理→切片倒角→研磨 腐蚀 -- 抛光→清洗→包装切断目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。切断的设备内园切割机或外园切割机切断用主要进口材料刀片外径磨削由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大，通过外径滚磨可以获得较为精确的直径。外径滚磨的设备磨床平边或 V型槽处理指方位及指定加工，用以单晶硅捧上的特定结晶方向平边或 V型。处理的设备磨床及 X－ RAY绕射仪。切片指将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄晶片

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简介：一、硅片生产主要制造流程如下切片→倒角→磨片→磨检→ CP→ CVD→ ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业实习1. 硅棒粘接用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。2. 切片 Slice 主要利用内圆切割机或线切割机进行切割， 以获得达到其加工要求的厚度， X、 Y方向角， 曲翘度的薄硅片。3. 面方位测定利用 X 射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其 X、 Y方位角， 以保证所加工的硅片的 X、Y方位角符合产品加工要求。4. 倒角前清洗主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、

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简介：半导体硅片的化学清洗技术一 . 硅片的化学清洗工艺原理 切削液 金属 加工液 y ;F aK U*L9M- r6r硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。 金属加工 液论坛 x Z-e39

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简介：1 *********** 学院课 程 设 计题 目硅片清洗工艺的原理和现状专 业 光伏材料加工与应用技术班 级学生姓名院 系 光伏材料系指导教师日 期 2013 年 10 月 07 日2 半导体硅片清洗工艺的发展研究【摘要】随着大规模集成电路的发展， 集成度的不断提高， 线宽的不断减小， 对硅片的质量要求也越来越高，特别是对硅抛光片的表面质量要求越来越严。在硅晶体管和集成电路生产中， 几乎每道工序都有硅片清洗的问题， 硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响， 处理不当， 可能使全部硅片报废， 做不出晶体管来， 或者制造出来的器件性能低劣， 稳定性和可靠性很差。 因此弄清楚硅片清

简介：专业编制可行性研究报告 了解更多详情 咨询公司网址 http//www.ztxdzx.com 因 为 专 注 所 以 专 业- 1 - 半导体硅片抛光液项目可行性研究报告核心提示 半导体硅片抛光液项目投资环境分析， 半导体硅片抛光液项目背景和发展概况， 半导体硅片抛光液项目建设的必要性， 半导体硅片抛光液行业竞争格局分析， 半导体硅片抛光液行业财务指标分析参考， 半导体硅片抛光液行业市场分析与建设规模， 半导体硅片抛光液项目建设条件与选址方案， 半导体硅片抛光液项目不确定性及风险分析，半导体硅片抛光液行业发展趋势分析提供国家发改委甲级资质专业编写半导体硅片抛光液项目建议书半导体硅片抛

简介：半导体材料硅片的磨削方法及装置 3侯江华河南机电高等专科学校 教务处 ,河南 新乡 453002 摘要 硅片是半导体器材的主要元件 ,在印刷集成电路及微型集成仪表中有着广泛应用 。文章在分析物理 - 化学加工硅片方法存在的问题的基础上 ,讨论了磨料悬浮磨削及粘接磨料磨削硅片的方法 ,以及两种磨削采用的装置及其主要运动参数选择和达到的质量指标 。关键词 硅片 ;悬浮磨削 ;粘接磨削中图分类号 T H162 文献标识码 A 文章编号 1008 22093 2006 0420009202目前微电子技术正向着增加单晶体 、 印刷电路硅片元件

简介：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｖｏｌ． ２９ Ｎｏ． ８Ａｕｇｕｓｔ ２００４ 53１ 引 言随着 ＵＬＳＩ 技术的不断向前发展，对半导体硅的表面性质要求也越来越严格。 而且电路的集成度日益提高，单元图形的尺寸日益微化，污染物对器件的影响也愈加突出， 以至于洁净表面的制备已成为制作 ６４Ｍ 和 ２５６Ｍｂｙｔｅ ＤＲＡＭ 的关键技术 ［１，２］ 。此外有超过５０％成品损失率是由硅表面的污染所造成 的 。硅片上的杂质一般可分为三种分子型、 离子型和原子型。 这里主要探讨原子型杂质。 原子型杂质主要是指过渡金属或贵金属原子（如 Ａ ｕ 、Ａ ｇ 、Ｃ ｕ 等） ，它们主要