简介：山西天能科技有限公司 文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码 第 1 页 共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日1、目的检验单晶硅片的各项质量指标，包括厚度、垂直度、总厚度偏差 TTV、翘曲度 WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。2、适用范围适用于硅片事业部之硅片成品检验。3、技术标准3.1 硅片的厚度为 200± 20μ m。3.2 总厚度偏差 TTV≤ 30μ m，3.3 翘曲度 WARP≤ 75μ m。3.4 硅片的外观要求如下3.4.1 无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤ 0.5mm，深

简介：第二章硅和硅片制备图 2.1 化学元素周期表根据流经材料电流的不同可分为三类材料 导体；绝缘体；半导体。半导体材料具有较小的禁带宽度 ,其值介于绝缘体和导体之间。这个禁带宽度允许电子在获得能量时从价带跃迁到导带。这种行为在半导体被加热时发生 ,因而其导电性随温度增加而提高 对导体而言则正相反 。硅是用来制造芯片的主要半导体材料，也是半导体产业中最重要的材料。锗是第一个用做半导体的材料，它很快被硅取代了，这主要有四个原因1）硅的丰裕度2）更高的熔化温度允许更宽的工艺容限3）更宽的工作温度范围4）氧化硅的自然生成硅是地球上含量第二丰富的元素，其含量仅次于氧。然而，自然界中几乎不存在单质

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简介：大连理工大学硕士学位论文大尺寸硅片真空夹持系统的研究姓名杨利军申请学位级别硕士专业机械设计及理论指导教师郭东明 ; 康仁科20050301

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简介：单晶硅电磁片生产工艺流程 1、硅片切割，材料准备 工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片） ，硅片的边长一般为 1015cm，厚度约200350um，电阻率约 1Ω .cm的 p 型（掺硼） 。 2、去除损伤层 硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷， 这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约 10um。3、制绒 制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得

简介：世界科学 ２０１３．６求 、 理想 ， 刘浦锋早有所闻 ，“ 陈猛最 打 动 人 的 是 他的理想 ， 他的理想就是在中国做自己的 8 英寸 、 12英寸的集成电路硅片 。 这种硅片是目前中国最欠缺的 ， 国家投入巨资在本领域进行产业化的研发 ， 但迄今为 止 仍 然 只 有 两 家 大 型 国 企 能 做 到 小 批 量 试样 ， 陈猛想改变这种现状 。 ”刘浦锋解释说 ， 目前中国需要的所有 8 英寸以上集成电路用硅片都是进口的 ， 而上海超硅希望从原料开始 、 从长晶 、 切片 、 磨片到抛光 、 清 洗 的 整 个生产过程都能独立完成 。 目前公司已经做到了切 、磨 、 抛等项能独立

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简介：多晶硅片面积多晶硅片形状是通过使用浇注法形成的正方体硅锭，经过切割倒角后形成。多晶硅片面积计算思路，即硅片原始的正方形面积减去四边等腰直角三角形（硅片加工时被切割去除）面积得出。计算过程如下。1、参数设定。（ 1）设未经过倒角处理的正方形硅片边长为 a；即 P156*156 硅片， a156. （ 2）设硅片经过切割倒角后，被切割掉的等腰直角三角形的边长为 b；3 设多晶硅片倒角处理过的面积为 S，未经过倒角处理的正方形硅片面积为S1， 设切割掉的等腰直角三角形面积为 S2，2、公式计算。S S1 – 4*S2 a2-4*b*b/2 a2-2b23、 EXCEL 计算

简介：上 海 曹 氏 化 工 科 技 发 展 有 限 公 司电话 021-62144305 021-62142599 地址 上海市普陀区兰溪路 900 弄天汇广场 15 号楼 1015-1017 室单晶硅切削液本发明提供了一种无毒无异味、不挥发、不易燃、 化学性能稳定的单晶硅切削液， 以解决现有的切削液存在的问题。 含有一下原料 二乙二醇； 感言； PEG400； 三乙醇胺； 也太苯并三氮唑，本发明的切削液无毒无异味、不挥发、不易燃、 化学性能稳定， 主要用于单晶硅等半导体材料的多线切割，具有携载能力强、高悬浮、高润滑、易清洗等特点。一、产品用途适用于单晶硅半导体材料的多线切割， 单晶硅半导

简介：大尺寸硅片磨削技术2017-08-23 磨削系统解决方案 微信摘 要 集成电路芯片不断向高密度、高性能和轻薄短小方向发展，发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。随着大直径硅片的应用，硅片的厚度相应增大，而先进的封装技术则要求更薄的芯片，超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术，论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、工艺特点和关键技术，先容了硅片背面磨削技术面临的挑战和取得的新进展。关键词 硅片；背面减薄；磨削； IC 01 引言为了增大 IC 芯片产量，降低单元制造本钱，要求 IC 的基础材料硅

简介：单晶硅片制作流程生产工艺流程具体介绍如下固定将单晶硅棒固定在加工台上。切片将单晶硅棒切成具有精确几何尺寸的薄硅片。此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。退火双工位热氧化炉经氮气吹扫后，用红外加热至 300500℃，硅片表面和氧气发生反应，使硅片表面形成二氧化硅保护层。倒角将退火的硅片进行修整成圆弧形，防止硅片边缘破裂及晶格缺陷产生， 增加磊晶层及光阻层的平坦度。 此过程中产生的硅粉采用水淋，产生废水和硅渣。分档检测为保证硅片的规格和质量，对其进行检测。此处会产生废品。 研磨 用磨片剂除去切片和轮磨所造的锯痕及表面损伤层，有效改善单晶硅片的曲度、 平坦度与平行度， 达到一