简介：硅片清洗技术的发展趋势随着超大规模集成电路的发展、集成度的不断提高、线宽的不断减小， 对硅片表面的洁净度及表面态的要求也越来越高。 要得到高质量的半导体器件， 仅仅除去硅片表面的沾污已不再是最终的要求。 在清洗过程中造成的表面化学态、 氧化膜厚度、 表面粗糙度等已成为同样重要的参数。目前，通常应用的清洗方法是湿式化学清洗法，即利用有机溶剂、碱性溶液、酸性溶液、表面活性剂等化学试剂，配合兆声、超声、加热等物理措施，使有机物、颗粒、金属等沾污脱离硅片表面， 然后用大量的去离子水冲洗， 获得洁净的硅片表面的清洗方法。1. 硅片清洗硅片表面沾污是指沉积在硅片表面的粒子、金属、有机物、湿气分子和自然氧

简介：硅片规格 硅片厚度 硅片理论重量（克）0.2 11.1300.195 10.8520.19 10.5740.185 10.2960.18 10.017硅片规格 硅片厚度 硅片理论重量（克）0.2 7.2120.195 7.0310.19 6.8510.185 6.6710.18 6.4900.175 6.3100.17 6.1300.2 11.3360.195 11.0520.19 10.7690.185 10.4860.18 10.2020.175 9.9190.17 9.635125x125mm单晶硅片156x156mm多晶硅片156x156mm单晶硅片

简介：点击查看更多硅片制绒和清洗精彩内容。

简介：硅片研磨和研磨液作用的分析作者 张伟 ， ZHANG Wei作者单位 河北工业大学 ,微电子研究所 ,天津 ,300130刊名 微纳电子技术英文刊名 MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY年，卷 期 2007,444被引用次数 1次参考文献 15条1. 刘玉岭 ;李薇薇 ;周建伟 微电子化学基础技术 20052. 张胜利 超精密磨削硅片表面损伤检测的试验研究 20053. 曹来发 ;朱正堂 中国集成电路现状 [期刊论文] -科技情报开发与经济 2004024. 吴明明 单晶硅片的超精密加工技术研究 20055. 骆伟明 ;叶青妍 ;

简介：硅片行业术语大全Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns th

简介：硅片线痕分析分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下1、杂质线痕由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。表现形式（ 1）线痕上有可见黑点，即杂质点。（ 2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。（ 3）以上两种特征都有。（ 4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法（ 1）改善原材料或铸锭工艺，改善 IPQC 检测手段。（ 2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现 “

简介：硅片生产流程小组成员 吴国栋 徐浩 王汉杰 王超简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表 1.1 的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的

简介：技术电话 4000-717-999 硅片清洗水处理的经验分享一、应用范围概述电解电容器生产铝箔及工作件的清洗电子管生产 电子管阴极涂敷碳酸盐配液显像管和阴极射线管生产配料用纯水 黑白显像管荧光屏生产 玻壳清洗、沉淀、湿润、洗膜、管颈清洗用纯水 液晶显示器的生产屏面需用纯水清洗和用纯水配液晶体管生产中主要用于清洗硅片， 另有少量用于药液配制集成电路生产中高纯水清洗硅片。二、典型工艺流程预处理系统 - 反渗透系统 - 中间水箱 - 粗混合床 - 精混合床 - 纯水箱 - 纯水泵 - 紫外线杀菌器 - 抛光混床 - 精密过滤器 - 用水对象 ≥ 18MΩ .CM 传统工艺 预处理 -

简介： 转载 半导体硅片的化学清洗技术对太阳能级硅片有借鉴作用一 . 硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后， 其表面已受到严重沾污， 一般讲硅片表面沾污大致可分在三类 A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。 C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到

简介：硅片清洗及最新发展 Ξ刘红艳 3 , 万关良 , 闫志瑞北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司 , 北京 100088摘要 对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、 清洗特点、 清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影响进行了详细论述。 介绍了兆声波、 臭氧、 电解离子水、 只用 HF 清洗或简化常规工艺后最后用 HF 清洗等最新的硅片清洗技术 , 指出了硅片清洗工艺的发展趋势。关键词 硅片 ; 硅片清洗 ; 硅片表面微观状态中图分类号 TN304 文献标识码 A 文章编号 1000 - 4343 2003 - 0144 -

简介：半导体硅片 SC-2 清洗技术 1 | [8 l4 b, y { L1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生， 在酸性溶液中不易发生， 并具有较强的去除晶片表面金属的能力，但经 SC-1 洗后虽能去除 Cu 等金属，而晶片表面形成的自然氧化膜的附着（特别是 Al ）问题还未解决。 . v7 Q“ o“ j1 7 h1 I6 Q1 g6 X2 硅片表面经 SC-2 液洗后，表面 Si 大部分以 O 键为终端结构，形成一层自然氧化膜，呈亲水性。3 由于晶片表面的 SiO2 和 Si 不能被腐蚀，因此不能达到去除粒子的效果。 * L X g8 T9 x9 ya.实验表明据报道将

简介：硅片真空夹紧装置设计干蜀毅 , 孙青云 合肥工业大学 , 安徽 合肥 230009Design of M ini Oil free Vacuum Pump for the Clamp Equipment U sed for Si WaferGAN Shu yi, SUN Qing yun H efei Univer sity of T echnology, Hefei 230009, China摘要 设计了一套硅片专用真空夹紧装置 , 包括夹紧装置和微型无油真空抽气泵 。 为减少硅片在夹紧过程中变形 , 夹紧装置采用了多吸口 、 回旋槽的平面型结构 ; 根据所需夹紧力大小 , 设

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简介：文件编号 Q03-JS-43 清洗作业流程版本号 A/0 页码 第 1 页 共 4 页生效日期 2007 年 10 月 1 日1． 目的规范清洗车间作业流程 ,保证输出合格成品 ,特制定本办法。2． 范围清洗车间所有员工3． 具体内容3． 1．作业准备3． 1． 1．进入清洗车间须穿戴专用工作服、鞋。3． 1． 2．准备好应该准备的物品和药品。3． 1． 3．准备好各类专用工具。3． 1． 4．开机前按工艺要求检查水、电、气，确认无误后，方可开机。3． 2 具体作业流程3． 2．预清洗3． 2． 1．将切好的晶棒平稳地放在预清洗水槽中。3． 2． 2．用海棉将晶棒两端与水槽之间的缝隙

简介：收稿日期 1999201206文章编号 1005 - 2046 199904 - 0162 - 04硅片清洗方法探讨郭运德洛阳单晶硅有限责任公司 ,河南洛阳 471009摘 要 本文介绍了几种硅片清洗的方法 ,同时对各种不同清洗方法的工作原理 、 清洗效果 、适用范围等特点进行了分析 。 不同的工艺应采用不同的清洗方法才能获得最佳效果 。关键词 硅片 ; 清洗 ;表面态中图分类号 TN 30411 文献标识码 A1 前 言硅片表面的洁净度及表面态对高质量的硅器件工艺是至关重要的 。 如果表面质量达不到要求 ,无论其它工艺步骤控制得多么优秀 ,也是