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  • 简介:硅片清洗机行业发展预测与投资咨询报告2016-2020 1核心内容提要产业链( Industry Chain )狭义产业链是指从原材料一直到终端产品制造的各生产部门的完整链条, 主要面向具体生产制造环节;广义产业链则是在面向生产的狭义产业链基础上尽可能地向上下游拓展延伸。 产业链向上游延伸一般使得产业链进入到基础产业环节和技术研发环节, 向下游拓展则进入到市场拓展环节。 产业链的实质就是不同产业的企业之间的关联, 而这种产业关联的实质则是各产业中的企业之间的供给与需求的关系。市场规模( Market Size )市场规模( Market Size ) ,即市场容量,本报告里,指的是目标产品或
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  • 简介:硅片生产流程及主要设备作为一种取之不尽的清洁能源,太阳能的开发利用正引起人类从未有过的极大关注。 商业化太阳能电池采用的是无毒性的晶硅, 单晶和多晶硅电池的特点是光电转换效率高、 寿命长且稳定性好。 硅片是晶体硅光伏电池加工成本中最昂贵的部分 , 随着半导体制造技术的不断成熟完善, 硅片制造成本不断降低。 硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分 , 太阳能电池所用硅片的切割成本一直居高不下, 要占到太阳能电池总制造成本的 30%以上。 所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统 能源的竞争力至关重要。 目前硅片的切割方法都是围绕如何减小切缝损失、 降低切割厚度、 增大切片尺寸及提高切
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  • 简介:维普资讯 http//www.cqvip.com 维普资讯 http//www.cqvip.com
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  • 简介:硅片清洗技术半导体硅片 SC-2 清洗技术1 清洗液中的金属附着现象在碱性清洗液中易发生,在酸性溶液中不易发生,并具有较强的去除晶片表面金属的能力,但经 SC-1 洗后虽能去除 Cu 等金属,而晶片表面形成的自然氧化膜的附着(特别是Al)问题还未解决。2 硅片表面经 SC-2 液洗后,表面 Si 大部分以 O 键为终端结构,形成一层自然氧化膜,呈亲水性。3 由于晶片表面的 SiO2 和 Si 不能被腐蚀,因此不能达到去除粒子的效果。a.实验表明 2l; e43O 1|/据报道将经过 SC-2 液, 洗后的硅片分别放到添加 Cu 的 DHF 清洗或 HFH2O2 清洗液中清洗、 硅片表
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  • 简介:太阳能硅片切割技术太阳能硅片的线切割机理就是机器导轮在高速运转中带动钢线, 从而由钢线将聚乙二醇和碳化硅微粉混合的砂浆送到切割区, 在钢线的高速运转中与压在线网上的工件连续发生摩擦完成切割的过程。在整个切割过程中, 对硅片的质量以及成品率起主要作用的是切割液的粘度、碳化硅微粉的粒型及粒度、砂浆的粘度、砂浆的流量、钢线的速度、钢线的张力以及工件的进给速度等。一、切割液( PEG)的粘度由于在整个切割过程中, 碳化硅微粉是悬浮在切割液上而通过钢线进行切割的,所以切割液主要起悬浮和冷却的作用。1 、切割液的粘度是碳化硅微粉悬浮的重要保证。由于不同的机器开发设计的系统思维不同, 因而对砂浆的粘度也不
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  • 简介:上海应用技术学院研究生课程(论文类)试卷2 014 /2 015 学年第 一 学期课程名称 半导体材料与集成电路基础课程代码 NX0102004 论文题目 硅片清洗技术的发展趋势学生姓名 李南专业﹑学号 材料化学工程 /14608110 学院 材料科学与工程课程(论文)成绩课程(论文)评分依据(必填) 任课教师签字日期 年 月 日课程(论文)题目硅片清洗技术的发展趋势内容硅片清洗技术的发展趋势李南(上海应用技术学院 材料科学与工程学院,上海 201418)摘要 对目前硅片湿式化学清洗方法中常用的化学清洗溶液的清洗机理、清洗特点、清洗局限以及清洗对硅片表面微观状态的影
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  • 简介:硅片清洗的方法一、 硅片清洗的重要性硅片清洗是半导体器件制造中最重要最频繁的步骤, 而且其效率将直接影响到器件的成品率、性能和可靠性。现在人们已研制出了很多种可用于硅片清洗的工艺方法和技术, 常见的有 湿法化学清洗、超声清洗法、兆声清洗法、鼓泡清洗法、擦洗法、高压喷射法、离心喷射法、流体力学法、流体动力学法、干法清洗、微集射束流法、激光束清洗、冷凝喷雾技术、气相清洗、非浸润液体喷射法、硅片在线真空清洗技术、 RCA标准清洗、 等离子体清洗、原位水冲洗法等。这些方法和技术现已广泛应用于硅片加工和器件制造中的硅片清洗。表面沾污指硅表面上沉积有粒子、 金属、 有机物、 湿气分子和自然氧化物等的一
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  • 简介:宋翠明设计多晶硅片 wafer type 156.75对角线 diameter 220.17798已知C known number 1.5 mm则小三角形腰为 small triangle waist 1.06 mm小三角形面积为 triangle area 0.5618 mm2多晶硅片面积为 wafer area 24568.315 mm2 245.683153 cm2硅片厚度 thickness 0.0186 cm硅料密度 poly desity 2.33 g/cm3每片硅片重量 wafer weight 10.647416 g每公斤方棒长度 17.469026 mmwafer
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  • 简介:硅片切割技术的现状和发展趋势中国新能源网 | 2008-7-30 93100 | 新能源论坛 | 我要供稿特别推荐 生物质能源技术国际会议论文集征订摘要 随着全球各国绿色能源的推广和近年来半导体产业的超常规发展, 硅片市场的供需已极度不平衡,切割加工能力的落后和产能的严重不足已构成了产业链的瓶颈。作为硅片 晶圆 上游生产的关键技术, 近年来崛起的新型硅片多丝切割技术具有切割表面质量高、 切割效率高和可切割大尺寸材料、 方便后续加工等特点。 由于驱动研磨液的切割丝在加工中起重要作用,与刀损和硅片产出率密切关联,故对细丝多丝切割的研究具有迫切与深远的意义。关键词晶圆,多丝切割
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  • 简介:硅片为何要切边其实早期的硅片并不切边 ,但随着微电子业发展开始切边 ,原因如下 1, 微电子器件在晶圆上可以做 n 多个 ,需切割下来 ,而单晶硅生长是有晶向要求的 ,切割沿某一方向好切不乱裂 ,就是专业上称的解理面 .切边就告诉您解理方向 . 2, 硅片分 N 型和 P 型 ,有规范的切边还告知您它是 n 型电特性还是 p 型电特性 ,1 U x“ q3 e I0 O3, 现在微电子生产己经自动化 ,例如光刻的曝光若没有切边定位 ,那么掩膜版与晶片图型会相差 180 度或某种不定位置 ,生产效率会很低 ., 4, 硅片的用途很多 ,除了 n/p 还要有晶向 ,例如做 me
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  • 简介:1000 44.09354多晶硅片 156已知C 1.5 mm则小三角形腰为 1.06 mm小三角形面积为 0.5618 mm2多晶硅片面积为 24333.75 mm2 243.3375 cm2 399073.5硅片厚度 0.02 cm硅料密度 2.33 g/cm3每片硅片重量 11.33953 g成品率 出片数量 硅料价格 每片硅料成本 硅片价格 每片加工费0.92 40.56606 180 4.437206924 9 4.562793126 8.8 34.848 8.848
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  • 简介:序号 国内主流企业1 保利协鑫2 江西赛维 LDK太阳能高科技有限公司3 浙江昱辉阳光能源有限公司4 英利绿色能源控股有限公司5 常州天合光能有限公司6 河北晶龙集团7 新疆新能源股份有限公司8 大全新能源9 天威新能源10 晶科能源11 通威集团12 阿特斯13 江苏环太集团14 江苏中盛光电有限公司15 安徽新光太阳能科技有限公司16 江苏顺大集团17 精功绍兴太阳能技术有限公司18 江阴海润科技有限公司19 洛阳中硅高科技有限公司20 凤凰光伏21 西安龙基22 常州亿晶光电科技有限公司23 高佳太阳能24 天津市环欧半导体材料技术有限公司25 上海卡姆丹克太阳能科技有限公司26 上海
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