简介：硅片生产培训资料Page 1 of 26 培训目的1、 确定硅片生产过程整个目标；2、 为工艺过程确定一典型流程；3、 描述每个工艺步骤的目的；4、 在硅片生产过程中，硅片性能的三个主要关系的确定。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。 除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。 所有的步骤概括为三个主要种类 能修正物理性能如尺寸、 形状、平整度、 或一些

简介：电 子 工 业 专 用 设 备Equipment for Electronic Products ManufacturingEPE（ 总第 198 期 ）Jul． 2011硅片脱胶技术的现状及发展研究张 峰， 司 超中国电子科技集团公司第二研究所 ， 山西太原 030024摘 要 介绍了硅棒在线切割后的脱胶工艺技术 ， 分析了硅片脱胶的技术发展和难点 ， 通过介绍主要工艺设备的工作原理来剖析脱胶技术的现状以及未来发展的趋势 。关键词 硅片 ； 超声 ； 喷淋 ； 脱胶中图分类号 TN305.97 文献标识码 A 文章编号 1004-4507201107-0011-

简介：Page 1 of 36 培训目的1、 确定硅片生产过程整个目标；2、 为工艺过程确定一典型流程；3、 描述每个工艺步骤的目的；4、 在硅片生产过程中，硅片性能的三个主要关系的确定。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期

简介：2018-2023 年中国太阳能硅片硅锭行业市场评估分析与投资战略研究报告报告信息报告类型 多用户、行业报告报告编号 77841 ←咨询时，请说明此编号报告价格 电子 7200 元 纸介 7200 全版 7500可开增值税专用发票网上阅读 http/www.cn-bigdata.cn/report/20171114/77841.html 报告目录第一部分 发展现状与前景分析第一章 全球太阳能硅片硅锭行业发展分析第一节 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场分析一、 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场回顾二、 2016 年全球太阳能硅片硅锭市场环境三、 2016 年全球太阳能硅片硅锭

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简介：论金刚线切割硅片技术的前景如今又一个崭新的金刚线切片技术崛起于光伏硅片切割行业。树脂金刚线切割硅片的技术与切割钢丝切割硅片技术相比， 最主要的优势体现在这四个方面（ 1）树脂金刚线切割过程造成的损伤层在 4-7um，电镀金刚线是 8-10 um，砂浆是 11-15um，有利于切割的薄片化 , 提高出品率硅耗的降低；（ 2）切割效率的提升，提升 3 个百分点；（ 3）损伤层薄，增加了硅片强度 , 刻蚀后表面均匀 , 有利于提高转换效率；（ 4）与传统切割方法相比 , 没有废浆料的产生，环境保护水平大大高。在未来的几年， 金刚线切片技术的推进将会影响多晶、 单晶市场份额。 金钢线和砂浆切割的基

简介：金刚线切割单晶硅片制绒白斑的成因分析及改善建议杨长剑、陈益冬（光伏新闻）1. 引言金刚线切割技术也被称为固结磨料切割技术。它是利用电镀或树脂粘结的方法将金刚石磨料固结在钢线表面，将金刚线直接作用于硅棒或硅锭表面产生磨削，达到切割的效果。金刚线切割具有切割速度快，切割精度高，材料损耗低等特点。目前单晶市场上对金刚线切割硅片已经完全接受，但在推进过程中也遇到过，其中制绒发白是最常见的问题。针对此，本文重点分析了如何预防金刚线切割单晶硅片制绒发白的问题。金刚线切割单晶硅片清洗工序是将线锯机床切割完毕的硅片从树脂板上脱离下来，将胶条去除后，将硅片清洗干净。清洗设备主要是预清洗机（脱胶机）和清洗机。预

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简介：顺大半导体发展有限公司太阳能用硅单晶片生产技术目 录一、 硅片生产工艺中使用的主要原辅材料1、拉制单晶用的原辅材料，设备和部件2、供硅片生产用的原辅材料，设备和部件二、 硅片生产工艺技术1、硅单晶生产部（ 1） 、腐蚀清洗工序生产工艺技术对处理后原材料质量要求（ 2） 、腐蚀清洗生产工艺流程① 多晶硅块料，复拉料和头，尾料处理工艺流程② 边皮料酸碱清洗处理工艺流程③ 埚底料酸清洗处理工艺流程④ 废片的清洗处理工艺流程（ 3） 、硅单晶生长工艺技术（ 4） 、单晶生长中的必备条件和要求① 单晶炉② 配料与掺杂（ 5） ，单晶生长工艺参数选择（ 6） 、质量目标（ 7） 、硅单晶生长工艺流

简介：硅片脏污清洗分析报告一、硅片表面污染硅片表面的最外层即为吸附层，是氧化层与环境气氛的界面，吸附一些污染杂质，这些沾污可以分为分子、离子、原子、或者分为有机杂质、金属和粒子，如下图 1 所示。图 1 硅片表面污染示意图二、清洗工艺程序吸附在硅片表面上的杂质可分为原子型、离子型和分子型。1、分子型杂质与硅片表面之间的吸附力较弱，清楚这类杂质粒子比较容易。它们多属油脂类杂质，具有疏水性的特点， 对于清除离子型和原子型杂质具有 掩蔽作用 。 因此在对硅片进行化学清洗时， 首先应该把它们清楚干净。2、离子型和原子型吸附的杂质属于化学吸附杂质，其吸附力都较强。在一般情况下，原子型吸附杂质的量较小，在化学

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