退火-光伏文库_太阳能光伏文库_太阳能发电技术文档

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Cu(In,Ga)(Se,S)2吸收剂元素硒-硫溅射前体在30x30平方厘米上的退火优化（17页）

Optimization of CuIn,GaSe,S2 absorbers by elemental selenium-sulfur annealing of sputtered precursors on 30x30 cm2 Maarten van der Vleuten, Mirjam The

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陶瓷辊道式太阳电池烧结退火炉的最新进展-袁向东（21页）

陶瓷辊道式太阳电池烧结退火炉的最新进展袁向东总经理 2018.11.09 西安目录 1、公司介绍 2、 PERC电池烧结退火解决方案 3、使用效果  北京金晟阳光位于北京市朝阳区， 2013年 10月设立；国家高新技术企业，中关村高新技术企业、中关村金种子企业。..

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10001027_基于四元靶的铜铟镓硒薄膜一步溅射方法及其退火处理（3页）

1 基于四元靶的铜铟镓硒薄膜一步溅射方法及其退火处理曾龙龙，张林泉，蒋金春，曾淳泓，周建，洪瑞江 * （中山大学太阳能系统研究所，广东省光伏技术重点实验室，广东广州 510006）摘要通过四元靶一步 RF 溅射及退火处理，在加热衬底上得到了非分层、结晶性良好 ...

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10000901_后退火增强NiOCuwet-SiOxc-Si(n)隧穿异质结太阳电池界面特性（4页）

后退火增强 NiOCu/wet-SiOx/c-Sin隧穿异质结太阳电池界面特性杨学良潘光有刘玮 * 孙云 * （南开大学，电子信息与光学工程学院，光电子薄膜器件与技术研究所，天津，300073 南开大学，天津市重点室验室，天津，300073）摘要本文采用 NiOCu 作为 n 型电池的发射极

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10001527_陶瓷辊道式太阳电池烧结退火炉的开发及其应用研究（1页）

陶瓷辊道式太阳电池烧结退火炉的开发及其应用研究袁向东张大雨许颖（莱芜金晟阳光精密设备有限公司，莱芜，271100）（北京金晟阳光科技有限公司，北京，100102）摘要本文介绍采用陶瓷辊道替代不锈钢网带传输电池片的陶瓷辊道式太阳电池烧结炉和解决 PERC 晶硅...

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10001571_退火气氛对铜锌锡硫薄膜及太阳电池性能的影响（2页）

1 退火气氛对铜锌锡硫薄膜及太阳电池性能的影响张毅闻蔡亚楠马国梁李亚南成佳宁杜伟杰（上海师范大学，物理系，上海，200234）摘要本文采用硒和硫的混合气体氛围对非真空法制备的铜锌锡硫预制层进行退火，研究了退火后的铜锌锡硫薄膜及太阳电池的性能。通过...

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10001827_开尔文探针法表征CdTe退火过程中晶界钝化（2页）

开尔文探针法表征 CdTe 退火过程中晶界钝化王文武李创陈钢张静全武莉莉冯良桓四川大学材料科学与工程学院在 CdCl2 的环境下退火对多晶 CdTe 太阳电池器件的整体性能提升发挥着重要作用。 Zhang 等过第一性原理计算得出，CdTe 中 Cl 的存在能够有效的钝化晶...

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PECVD沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用（3页）

3 北京市科技新星计划资助项目 H020821480130 收稿日期 2003211206 PECVD 沉积氮化硅薄膜在退火过程中的特性变化及在太阳电池中的应用 3 叶小琴 1 许颖 2 李艳 1 顾雅华

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真空快速退火对CIGS太阳能电池性能的影响_田力1_张晓勇2_毛启楠2_李学耕2 （6页）

第 30 卷第 1 期无机材料学报 Vol. 30 No. 1 2015 年 1 月 Journalof InorganicMaterials Jan., 2015收稿日期 2014-04-14; 收到修改稿日期 2014-06-20 基金项目国家高技术研究发展计划 2012A

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N_P常规硅太阳电池退火效应的研究（7页）

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真空退火对太阳能电池性能的影响（13页）

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移动式硅片退火设备的研制（4页）

（总第 232 期） Jun． 2014电子工业专用设备Equipment for Electronic Products Manufacturing EPE收稿日期 2014-03-04移动式硅片退火设备的研制张继光，贾鑫中国电子科技集团公司第二研究所，山西太原 03

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快速退火气氛对300mm硅片内洁净区（5页）

063 国家高技术研究发展计划资助项目批准号 2002AA3Z1110 通信作者 . Email fqlmail 126. com2005207214 收到 ,2005209207 定稿 ν 2006 中国电子学会快速退火...

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高温氢气退火提高硅片质量的研究（5页）

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高温氢气退火提高硅片质量的研究_邹子英（5页）

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高温退火消除硅片内部空洞实验（6页）

1 高温退火消除硅片内部空洞实验 . ICedu 狂人发表于 2007-5-01 0909 来源 SupeSite/X-Space 社区门户将两抛光完好的硅片，在超净环境中进行键合时发现，在 200800℃范围内，随着温度的升高，键合界面产生的空洞数量增多，空洞的尺寸变大。而在超过900℃

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应用于太阳能电池的氢化非晶亚氧化硅的退火优化（3页）

Vol. 32, No. 5 Journal of Semiconductors May 2011Annealing optimization of hydrogenated amorphous silicon suboxide film for solarcell applicationJia G

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