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B278+硒化锑促进铜锌锡硫薄膜太阳能电池吸收层晶粒生长的研究+孟祥欢 (1) （1页）

硒化锑促进铜锌锡硫太阳电池吸收层晶粒生长的研究孟祥欢，李珍珍，沈永龙，魏要伟 * 郑州大学材料科学与工程学院国家低碳环保材料智能设计国际联合研究中心 E-mail ywweizzu.edu.cn 第十九届中国光伏学术大会 CPVC19 通过热蒸镀法沉积硒化锑（ Sb2

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水冷套对直拉法单晶硅生长过程氧杂质输运的影响（12页）

水冷套对直拉法单晶硅生长过程氧杂质输运的影响齐小方 1,2，马文成 1 1 江苏大学能源与动力工程学院 2 江苏环太集团包头美科硅能源有限公司 Emailxfqiujs.edu.cn 2020.11.6 无锡 2020 第十六届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 1.研究背景  CZ单晶硅中氧杂

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超重大尺寸单晶硅生长的主要技术挑战及其应对策略（24页）

Xi’anJiotgUniversity超重大尺寸单晶硅生长的主要技术挑战及其应对策略刘立军西安交通大学能源与动力工程学院 CSPV-16，20年1月6日，无锡 Xi’anJiotgUniversity 2.2 高效、低成本晶体硅太阳电池关键技术研究（共性关键技术类）研究内容面向太阳电池高效率、

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铸造单晶硅中的微枝晶生长-李杭霏（20页）

铸造单晶中的生长微孪晶李杭霏原帅余学功教授杨德仁教授浙江大学硅材料重点实验室硅材料国家重点实验室 State Key Laboratory of Silicon Materials 目录背景介绍实验结果与讨论结论背景随着人口数量越来越多，温室气体排放量亦逐年上升，为了缓解

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一种在直拉法单晶硅生长过程中实时监测结晶界面形状的方法-丁俊岭（13页）

Xi’an Jiaotong University 一种在直拉法单晶硅生长过程中实时监测结晶界面形状的方法丁俊岭，刘立军西安交通大学能源与动力工程学院晶体生长与太阳能电池材料研究组第十四届中国大阳能级硅及光伏发电研讨会 2018,11,8-10 Xi’an Jiaotong Un

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基于CFD与智能优化的直拉硅单晶生长工艺参数研究-刘丁（29页）

西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心学院刘丁黄伟超基于 CFD 与智能优化的直拉硅单晶生长工艺参数研究 14th China SoG Silicon and PV Power Conference 2 晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心晶体生长设备及系

下载价格：5 金币 / 发布人：光伏小萝莉 / 发布时间：2020-12-14 / 224人气

大尺寸直拉单晶硅生长过程中熔体流动不稳定特性及其对结晶界面形状的影响-刘立军（23页）

Xi’an Jiaotong University 熔体流动不稳定性及其对固液界面形状影响的研究丁俊岭，刘立军第十四届中国太阳能级硅及光伏发电研讨会，西安， 2018年 11月 7-10日西安交通大学能源与动力工程学院 Xi’an Jiaotong University 目录 1

下载价格：5 金币 / 发布人：光伏小萝莉 / 发布时间：2020-12-14 / 217人气

铸造单晶硅材料-生长和缺陷控制-杨德仁（34页）

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下载价格：5 金币 / 发布人：光伏小萝莉 / 发布时间：2020-09-04 / 403人气

10001136_溶液法BiI3薄膜生长取向的调控及其在太阳电池中应用的研究（3页）

溶液法 BiI3薄膜生长取向的调控及其在太阳电池中应用的研究马爽 1，丁勇 1，戴松元 12 （1 华北电力大学新能源电力系统国家重点实验室，北京 102206; 2. 中国科学院合肥物质科学研究院应用技术研究所中国科学院光伏与节能材料重点实验室，合肥 230031）摘要本文...

下载价格：6 金币 / 发布人：光伏小萝莉 / 发布时间：2019-11-06 / 315人气

铸造单晶硅材料——生长和缺陷控制-硅材料国家重点实验室杨德仁（31页）

下载价格：5 金币 / 发布人：徐三将军 / 发布时间：2019-08-29 / 445人气

氮化硅薄膜的PECVD生长及其性能研究（3页）

下载价格：5 金币 / 发布人：王保平 / 发布时间：2019-08-19 / 405人气

【发明】(晶硅生长)一种掺杂电阻率均匀的N型铸造硅单晶及其制备方法（7页）

10 申请公布号 CN 102560646 A43 申请公布日 2012.07.11CN102560646A*CN102560646A*21 申请号 201210073988.522 申请日 2012.03.20C30B 29/06 2006.01C30B 11/00 2006.0171 申请人浙

下载价格：3 金币 / 发布人：情深不寿ゞ / 发布时间：2018-08-24 / 261人气

JCT 1048-2007 单晶硅生长用石英坩埚（8页）

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下载价格：5 金币 / 发布人：侯先生（工作号） / 发布时间：2018-08-21 / 436人气

硅单晶生长和硅片准备（56页）

1第一章硅单晶生长和硅片准备硅 Si 材料现在是电子工业中最重要的半导体材料，因此 VLSI 技术几乎完全以硅材料为基础。 “ silicon“ 这名称来源于拉丁语 “ silex“ 或 “ silicis “，意

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 210人气

第一章硅单晶生长和硅片准备（56页）

下载价格：3 金币 / 发布人：索比杜金泽 / 发布时间：2018-08-21 / 285人气

第四章硅的体单晶生长和硅片加工（87页）

第四章硅的体单晶生长和硅片加工193 第四章硅的体单晶生长和硅片加工4． 1 概述如果认为硅的提纯是典型的化工过程的话，那么从高纯度的多晶硅生长单晶硅则是半导体器件制造的第一步。虽然尝试过各种技术来将多晶硅转变为单晶硅，最后只有两种技术被应用于单晶硅的...

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低温生长下的二氧化硅钝化膜在太阳能电池上的应用.pdf （5页）

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ZnO纳米线的控制生长及在染料敏化太阳能电池中的应用.pdf （6页）

ｈｔｔｐ ∥ ｗｗｗ．ｊｄｘｂ．ｃｎｈｔｔｐ ∥ ｚｋｘｂ．ｘｊｔｕ．ｅｄｕ．ｃｎ第４７卷第１期２０１３年１月西安交通大学学报ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＸＩ ’ ＡＮＪＩＡ

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