一种在直拉法单晶硅生长过程中实时监测结晶界面形状的方法-丁俊岭
Xi’an Jiaotong University 一种在直拉法单晶硅生长过程中实时 监 测结晶 界面形状的方法 丁俊岭 , 刘立军 西安交通大学 能源与动力工程学院 晶体生长与太阳能电池材料研究组 第十四届中国大阳能级硅及光伏发电研讨会 2018,11,8-10 Xi’an Jiaotong University 背景 1. 固 液界面形状对晶体质量的影响 [1] B. C. Sim. Effect of the crystal–melt interface on the grown-in defects in silicon CZ growth[J]. Journal of Crystal Growth 299 (2007) 152–157. [2] K. Nakamura, et.al. Effect of the shape of crystal-melt interface on point defect reaction in silicon crystals[J]. Electrochem. Soc. Proc. 31 (2000) 2000–17. [3] L.J. Liu, et.al. Effects of crystal rotation rate on the melt–crystal interface of a CZ-Si crystal growth in a transverse magnetic field. Journal of Crystal Growth 310 (2008) 306–312. [4] G.N. Kozhemyakin. Influence of solid–liquid interface shape on striations during CZ InSb single crystal growth in ultrasonic field. Journal of Crystal Growth 360 (2012) 35–37. [5] R.Morizane, A.F.Witt, H.C.Gatos, Journal of the Electrochemical Society 113 (1966) 51. 固液界面的形状影响晶体中点缺陷的分 布、条纹的形成、热应力、位错等 [1-5] 如何能实时观测长晶 界面的形状 Xi’an Jiaotong University 背景 2. 固 液界面形状的监测与分析 [6] Y.Z. Zhu. In-situ detection of growth striations by crystallization electromotive force measurement during Czochralski crystal growth[J]. Journal of Crystal Growth 475 (2017) 70–76. [7] Y. Shiraishi. Prediction of solid–liquid interface shape duringCZ Si crystal growth using experimental and global simulation[J]. Journal of Crystal Growth 266 (2004) 28– 33. 电位监测 [6] 热 场数值模拟分析 [7] 该方法在生长纯单晶时具有局限性 ,且 装 置复杂 该 方法中 Gave不方便测量,且只研究 了一种时刻下的情况 D=2cm Xi’an Jiaotong University 模型介绍 1. 固液界面形状的思考 等温 辐射换热 从晶体区域温度角度考虑 固液界面的形状与晶体表面温度的分布之间有无关系?? 晶体表面温度容易测取 固液界面 形状 晶体内温度分 布 晶体表面 温度 Xi’an Jiaotong University 模型介绍 2. 计算模型介绍 侧壁辐射换热: 1620-T(线性变化 ) 自由液面辐射换热: 1620 坩埚壁面: 温度 第一类边界条件 温度边界条件 : 晶体转速 8rpm 坩埚转速 -10rpm 熔 体区域采用 k-e湍流模型求解 晶体直径 300mm,坩埚 700mm 研究晶体表面温度 的分布与固液 界面形状的关系 crystal melt 计算模型 1620 T 实验中坩埚壁面温度 [8] 抛物线形式 [8] S. Enger. Comparison of measurements and numerical simulations of melt convection in Czochralski crystal growth of silicon[J]. Journal of Crystal Growth 230 (2001) 135–142. Xi’an Jiaotong University 结果与分析 1. 晶体 侧壁温度变化趋势与实验值 的 对比 [9] T. Abe, H. Harada, and J. Chikawa, Physica B 116, 139 (1983). 文献 [9]通过实验研究了晶体侧壁温度的分布,晶体直径 40mm,长晶高度 120mm,温 度变化范围 1685-1070K 数值模拟的 参数:晶体 直径 300mm,长晶 高度 500mm, 温度变化范围 1685-750K 侧壁温度沿轴向的变化 侧壁无量纲温度沿轴向的变化 𝛩 = 𝑇 −𝑇𝑚𝑖𝑛𝑇 𝑚𝑎𝑥 −𝑇𝑚𝑖𝑛 𝑍 = 𝑧𝐿 通过对比可以发现: 本工作中的侧壁温度 和实验中的温度变化趋势一致 无量纲化 Xi’an Jiaotong University 结果与分析 2. 固液界面形状的获取 研究两个因素: 1、长晶速率; 2、晶体长度 通过改变晶体表面的辐射换热温度,改变晶体表面的冷却强度,进而改变 固液界面的形状。 晶体表面辐射换 热温度 1620-300 1620-350 1620-400 1620-450 1620-500 1620-550 1620-600 1620-650 晶体高 600mm V=0.8mm/min 6.6 7.8 9 10.2 12 13.5 15.3 16.8 晶体高 600mm V=1.0mm/min 17 17.5 18.4 20 21.8 24.1 26.28 30.5 晶体高 800mm V=0.8mm/min 19 20.4 22 23.6 25.5 27.3 29.3 31.2 1、顶部冷却增强,界面趋于平坦; 2、晶体拉速增大,界面变凸(指向晶体); 3、同一拉速下,长晶体比短晶体界面更凸; 不同冷却条件、生长速度、长晶高度下,界面凸度的变化 h 界面形状采用界 面凸度进行描述 Xi’an Jiaotong University 结果与分析 3. 固液界面形状的分析 情况一: 顶部冷却增强,界面趋于平坦 1 2 Q1 Q2Q Q=Q1+Q2 T1 T2 T1温度降低 ,轴向冷却 增强, Q1增加 , T2温度降低 , Q2减小,轴向温度梯度增加,固液界面变平坦 Q(W) Q1(W) Q2(W) 1620-300 5232.4 4592.3 640.1 1620-450 4950.5 4261.8 688.7 1620-600 4683.4 3924.4 759 V=0.8mm/min H=600mm 5cm 不同冷却条件下,晶体侧壁温度沿轴向的分布 晶体冷却增强,能够降低固液 界面附近的温度,增强轴向散 热,减弱径向散热 Xi’an Jiaotong University 𝑇1.0 −𝑇0.8 结果与分析 3. 固液界面形状的分析 情况二: 晶体拉速增大,界面变凸(指向晶体) T1温度不变, Q2增加,径向温度梯度增加,固液界面变凸 长晶高度 600mm 侧壁换热 1620-450K(晶体的冷却能力不变) Q(W) Q1(W) Q2(W) 1.0mm/min 5398.6 4514.2 884.4 0.8mm/min 4950.5 4261.8 688.7 固液界面处结晶潜热的 释放主要影响固液界面 附近的温度,主要提高 晶体侧壁的辐射换热 ∆𝑸 𝟏 𝑺𝟏 =3605 ∆𝑸𝟐 𝑺𝟐 =4137 1 2 Q1 Q2Q Q=Q1+Q2 T1 T2 5cm Xi’an Jiaotong University 结果与分析 4. 监测点个数的选取 1 2 m m TT hTT crystalmelt T2T1Tm HH布置一个温度监测点 布置两个温度监测点 1 mT T T h crystal melt T1 Tm H 选取两个温度监测点能 够消除拉速变化的影响 Xi’an Jiaotong University 结果与分析 5. 监测点间距 H的选取 实际长晶过程:晶体高度变化、拉速连续变化,如何选取 H使得监测点位置在整个长晶过程中不变 H=10cm H=5cm H=7.5cm H=10cm 相关系数 0.980 0.932 0.970 1、 H越小,斜率越大, ϕ对 h变化的 响应 越灵敏 ; 2、三种情况下,拟合曲线的截距接近一致为 0.537(h=0mm); H=5cm 31.32 10 0.54h 45.97 10 0.537h H=7.5cm crystal melt T2 T1 Tm H H 47.18 10 0.534h Xi’an Jiaotong University 主要结论 1. 考虑到实际长晶过程中,晶体拉速和长晶高度不断变化,晶体侧 表面温度监测点 需要 采取两个; 2. 监测点的位置距离三相点(熔点)越近,无量纲参数 ϕ对界面凸度 的变化响应越灵敏; 3. 在长晶过程中,晶体侧表面温度监测的位置可以保持不变; 刘立 军 , 丁俊岭 . 一种在线监测直拉单晶炉内长晶界面形状的方法 , 中国发 明专利 , 申请号 : 201810690392.7. J.L. Ding, L.J. Liu, Real-time prediction of crystal/melt interface shape during Czochralski crystal growth, CrystEngComm, 2018, 20, 6925. 提出了一种在连续长晶过程中间接观测固液界面形状的 方法 通过观测晶体侧表面的温度分布,能够预测固液界面凸度的 变化 Xi’an Jiaotong University 谢 谢