RCA标准清洗步骤

硅片清洗工艺采用 RCA方法， 这是半导体行业硅片的标准清洗步骤1 配制氢氟酸溶液（ 1 20，本次 100ml2000ml ）2 硅片支架清洗、吹干待用3 取硅片放于支架上，按照顺序放好4 配 3＃液（硫酸 H2O231，本次 660ml 220ml ） ，硫酸最后加，同时另一容器煮水5 用 3＃液煮洗， 15min ，加热至 250℃，拎起支架稍凉片刻6 将支架放到热水中，冲水7 配制 1＃液（氨水 H2O2 H2O＝ 1 1 5-117 ） ，前两者倒入热水中，加热 75～ 85℃， 时间 10～ 20min（时间不可太长， 因为氨水对硅有腐蚀作用，利用络合作用去除重金属杂质） ，取出硅片支架，放入 1＃液， 15min ，取出放到热水中，冲水8 配制 2＃液（ HCl H2O2 H2O ＝ 1 1 5，本次 240ml240ml1200ml ）前两者倒入热水中。9 取出硅片，放入 2＃液， 15min ，取出放热水中，冲水。10 10％的氢氟酸 120 ，本次 100ml2000ml 时间 5～ 10s，去除硅表面氧化层11 去离子水冲洗时间 20min