工艺事故分析

工艺事故质量分析一次清洗：1．现象描述：制绒后硅片厚度很薄在 160um 以下且硅片表面“小雨点”很多，导致硅片报废原因分析：此类事故发生时多在新配液时， 主要原因是上一位员工在配氢氧化钾和硅酸钠后， 由于吃饭或其它原因把操作交给另外一位员工， 后面的员工上岗后没有加异丙醇就直接上料， 从而造成事故。事故总结：新配液时， 由于更换操作员而导致没有加异丙醇， 出现工艺失控。 建议新配液时有一位员工独立完成。2．现象描述：配液过程中导致溶液溢流致设备和地面，使地面受损。原因分析：配液过程中，忘记关补水开关。事故总结：加强员工的责任心。3．现象描述：制绒过程中，偶尔出现整篮硅片表面 “小雨点”很多，在二中心曾出现一篮硅片大半部分硅片已经制绒，而上部的少部分硅片还没有制绒。原因分析：制绒槽制绒过程中等待上料的时间过长， 导致异丙醇挥发过量， 溶液中异丙醇含量少造成的。 二中心出现的少部分硅片还没有制绒， 是由于制绒槽制绒过程中等待上料的时间过长，造成液位低于液面而造成。事故总结：制绒过程中要注意观察工艺槽的液面， 避免液位低于硅片上沿。 如果制绒槽制绒过程等待上料的时间过长， 需适量多补加异丙醇，或者排液后重新配液。 加强员工的责任心， 注意观察制绒过程中的异常情况。4．其它：配液过程中，加 NaOH， HF， HCl 方法不当，且没有佩带防护用具，使液体溅到衣服或皮肤上。机械臂挂钩松动，提篮时花篮偏移导致翻篮。二线设备在手动打到自动时，若 2号机械臂在 11 号槽， 且 11号槽时间已经到时， 按复位开关将会导致 2 号和 3 号机械臂相撞。槽内的挡板螺丝松动，机械臂放篮时，花篮碰到挡板，导致花篮倾斜。5．现象描述：电池效率出现批量整体性降低。原因分析：将清洗工序的重新清洗后，再投产，效率恢复正常，可能存在的原因有：检查花篮发现， 花篮已经破损； 喷淋槽槽盖中的活塞被腐蚀， 有铁锈溶液调入喷淋槽中污染了硅片。总结：重视和加强工艺设备卫生检查， 提高员工的洁净度意识； 对有铁制品的设备要格外小心，避免因其破损而污染硅片。6．现象描述：检验后的硅片被重新放入原硅片盒内，和正常片一同转入扩散工序。原因分析：员工对硅片的洁净度认识不够，工艺卫生的培训和宣传力度不够。总结：重视工艺卫生培训，提高员工的洁净度意识。7．现象描述：甩干后的洁净硅片，长时间停留在清洗间内，没有及时转入扩散工序。原因分析：员工对空气的洁净度认识不够， 认为空气对硅片表面的洁净度没有影响， 工艺卫生的培训和宣传力度不够。总结：重视工艺卫生培训，提高员工的洁净度意识。8．其它：槽内的挡板螺丝松动，机械臂放篮时，花篮碰到挡板，导致花篮倾斜压篮。甩干机的密封圈脱落， 导致不能甩干。甩干机内放入的片盒有碎片， 甩干后会造成更多的碎片。甩干机氮气管脱落，导致不能甩干。甩干机内的皮带脱落，导致不能甩干。扩散：1．事故现象 : 方块电阻偏小事故原因：更换片源，由于炉管温度漂移，当前工艺已经不适用。设备故障，舟无法退出，舟在炉管的滞留时间过长。环境温度变化，气流变化。事故总结：为了避免事故发生，更换片源时，必须先做少量的跟踪试验，调试好后方可批量生产，工艺运行时， 工序长必须密切注意设备运行情况， 及时找工程人员维修， 外围设施工作人员尽量保障扩散间抽风、环境温度的稳定性。4．事故现象：方块电阻偏大事故原因：更换片源，由于炉管温度漂移，当前工艺已经不能使用。设备故障，石英门损坏或没有关紧。环境温度变化，外围尾气抽风变化，气流不稳定。设备加热速度太慢，无法达到工艺温度。炉管清洗后，设备没有安装到位。设备或软件故障，工艺工程中出现扩散小氮（三氯氧磷）断气。事故总结：为了避免事故发生， 应该在更换片源时， 必须先做少量的跟踪试验， 调试好方可批量生产。工艺运行时，工序长必须密切注意设备云行情况，及时找工程人员维修。工序长必须密切关注扩散间抽风与环境温度变化， 及时反映给领班， 同时外围设施工作人员尽量保障扩散间抽风，环境温度的稳定性。二次清洗：1．现象描述：转入 PECVD 工序的硅片，在镀膜之后表面有白色的线痕。原因分析：硅片表面的线痕是由于水造成的， 主要是员工没有按工艺要求在规定的时间内对硅片进行甩干。总结：提高员工对公艺的认识，提高工艺的执行力度。2．现象描述：转入 PECVD 工序的硅片，在上篮时出现两片叠放的现象， ，造成返工。原因分析：员工在插片时，两片硅片插放在了同一个片槽中。总结 ; 加强员工的责任心，提高员工的自检意识。3．现象描述：硅片转入测试分选后出现批量效率低，漏电流大。原因分析：造成效率低， 漏电流大的原因多比较复杂， 但对于二次清洗如果扩散面与非扩散面放反后，也会出现效率低，漏电流大的现象。总结：加强员工的责任心，提高员工的自检意识。在 PECVD 工序抽检方块电阻。4．其他 : 配液过程中，加 HF 方法不当，且没有佩戴防护用具，使液体溅到衣服或皮肤上。机械臂挂钩松动，提篮时花篮偏移导致翻篮。 槽内的挡板螺丝松动，机械臂放篮时，花篮碰到挡板，导致花篮倾斜压篮。甩干机的密封圈脱落，导致不能甩干。甩干机内的放入的片盒有碎片， 甩干后造成更多的碎片。 甩干机氮气管脱落， 导致不能甩干。 甩干机内的皮带脱落，导致不能甩干。5．事故描述：刻蚀不透硅片表面不光滑，不平整。表面成蜂窝状，部分成黑白相间。用冷热探针检验显示N 型。事故原因：在刻蚀过程中，由于中途断 CF4 、 O2 气体。在刻蚀过程中， CF4 、 O2 气体流量不够。辉光颜色非乳白色或辉光颜色不均匀。腔体内有异物、粉尘影响刻蚀效果。总结：在工艺开始运行前，必须先确认设备及气体流量是否正常，如 CF4 、 O2 流量达到工艺要求，辉光是否异常。每班用酒精擦拭石英罩。PECVD ：1．镀膜颜色偏离对比板调整带速。 镀膜颜色越深代表膜的厚度越小， 此时应减小带速来增加镀膜厚度； 镀膜颜色越浅则与之相反。2．设备调整（如更换石英管，微波头，流量计）上述设备调整会影响淡化硅膜的折射率和厚度，此时应用抛光片检验。丝网印刷：1． 现象描述 :粘片在印刷硅片的时候，硅片脱离工作台而粘到丝网上导致印刷故障原因分析：硅片与工作台之间的力小于丝网与硅片之间的力就会导致粘片，主要原因是浆料变稠， 可能是网板的张力变小， 也有可能是印刷工艺参数的零点漂移造成的。总结：首先先确定浆料是否太稠， 如果不是很稠， 用调墨刀把网板底部的浆料铲出去，添加新浆料试印刷， 不能解决换新网板， 新网板也不能解决可以调工艺参数 snap off 和 down stop ；如果网板上的浆料很稠，重新换网板和浆料。2． 现象描述：弯曲片烧结后出来的电池片的弯曲片大于 1.5。原因分析：一是由于本身硅片太薄，二是由于烧结温度过高，三十由于印刷的背场过厚。总结：首先检查烧结工艺是否正常，正常的情况下测量镀膜后硅片的厚度，如果厚度小于 180um,Ferro53-102 浆料还不适合做，要换别的浆料；厚度在 180-200um之间，调小背电极的 snap off 和 down stop，增大压力，调慢印刷速度。3． 现象描述：烧结出来的电池片，经测试串联电阻高到 10um 以上，效率比较低。原因分析：一是烧结温度与正电极浆料不匹配，二是正电极浆料被污染，三是由于正电极印刷不良。总结：首先停止正电极印刷后硅片流出，检查烧结工艺是否有报警，然后用调墨刀把正电极网板底部的浆料铲出去，添加新浆料试印 5 片下去看效果，如果串联电阻还比较高，重新换掉网板试印刷 5 片留下去看效果，问题还没解决的话重新开一瓶新浆料。测试分选：1． 测试数据不稳定，及时反馈信息重要参数正常范围：Uoc（ V） Isc（ A） Rs(mΩ ) Rsh(Ω ) Irev1 0.610-0.620 5.2-5.3 5-7 20-100 0.5-1 2． Isc 偏小：观察绒面质量（反光越小越好） ；观察淡化硅膜的颜色（于对照板一致最好） ; 观察背电场 （在不弯曲的前提下， 颜色越淡越好； 观察是否有铝珠、 铝球、 漏印，烧结形成的背场是否光滑） ；观察正面电极印刷是否连续，栅线宽度是否正常；检查少子寿命是否正常。3． Rs 偏大：丝网印刷正面电极银浆是否搅拌均匀；扩散方块电阻是否有漂移；烧结温度是否漂移（换线检验） 。4． Irevl 偏大：重金属污染（一次清洗，二次清洗花篮损坏） ；水质污染（检查一、二次清洗入水口水质） ；隐裂（观察 Error 档位电池是否增多，里面是否混有隐裂片（；等离子刻蚀是否刻透（打磨周边对比数据） 。5． 突然出现光强偏低导致的 Error 片，且电池效率很高。检查测试台旁边的小电池上是否有碎片、灰尘。6． 测试台出现空测（没有电池片，但仍然闪光测试）用无尘布沾酒精擦拭测试台处的感应器。7． 测试数据不能存储打开当天存储的 Datebase，查看数据库中是否有 result 项，如果没有，新建数据库。