工艺事故分析

工艺事故质量分析一次清洗1．现象描述制绒后硅片厚度很薄在 160um 以下且硅片表面“小雨点”很多，导致硅片报废原因分析此类事故发生时多在新配液时， 主要原因是上一位员工在配氢氧化钾和硅酸钠后， 由于吃饭或其它原因把操作交给另外一位员工， 后面的员工上岗后没有加异丙醇就直接上料， 从而造成事故。事故总结新配液时， 由于更换操作员而导致没有加异丙醇， 出现工艺失控。 建议新配液时有一位员工独立完成。2．现象描述配液过程中导致溶液溢流致设备和地面，使地面受损。原因分析配液过程中，忘记关补水开关。事故总结加强员工的责任心。3．现象描述制绒过程中，偶尔出现整篮硅片表面 “小雨点”很多，在二中心曾出现一篮硅片大半部分硅片已经制绒，而上部的少部分硅片还没有制绒。原因分析制绒槽制绒过程中等待上料的时间过长， 导致异丙醇挥发过量， 溶液中异丙醇含量少造成的。 二中心出现的少部分硅片还没有制绒， 是由于制绒槽制绒过程中等待上料的时间过长，造成液位低于液面而造成。事故总结制绒过程中要注意观察工艺槽的液面， 避免液位低于硅片上沿。 如果制绒槽制绒过程等待上料的时间过长， 需适量多补加异丙醇，或者排液后重新配液。 加强员工的责任心， 注意观察制绒过程中的异常情况。4．其它配液过程中，加 NaOH， HF， HCl 方法不当，且没有佩带防护用具，使液体溅到衣服或皮肤上。机械臂挂钩松动，提篮时花篮偏移导致翻篮。二线设备在手动打到自动时，若 2号机械臂在 11 号槽， 且 11号槽时间已经到时， 按复位开关将会导致 2 号和 3 号机械臂相撞。槽内的挡板螺丝松动，机械臂放篮时，花篮碰到挡板，导致花篮倾斜。5．现象描述电池效率出现批量整体性降低。原因分析将清洗工序的重新清洗后，再投产，效率恢复正常，可能存在的原因有检查花篮发现， 花篮已经破损； 喷淋槽槽盖中的活塞被腐蚀， 有铁锈溶液调入喷淋槽中污染了硅片。总结重视和加强工艺设备卫生检查， 提高员工的洁净度意识； 对有铁制品的设备要格外小心，避免因其破损而污染硅片。6．现象描述检验后的硅片被重新放入原硅片盒内，和正常片一同转入扩散工序。原因分析员工对硅片的洁净度认识不够，工艺卫生的培训和宣传力度不够。总结重视工艺卫生培训，提高员工的洁净度意识。7．现象描述甩干后的洁净硅片，长时间停留在清洗间内，没有及时转入扩散工序。原因分析员工对空气的洁净度认识不够， 认为空气对硅片表面的洁净度没有影响， 工艺卫生的培训和宣传力度不够。总结重视工艺卫生培训，提高员工的洁净度意识。8．其它槽内的挡板螺丝松动，机械臂放篮时，花篮碰到挡板，导致花篮倾斜压篮。甩干机的密封圈脱落， 导致不能甩干。甩干机内放入的片盒有碎片， 甩干后会造成更多的碎片。甩干机氮气管脱落，导致不能甩干。甩干机内的皮带脱落，导致不能甩干。扩散1．事故现象 方块电阻偏小事故原因更换片源，由于炉管温度漂移，当前工艺已经不适用。设备故障，舟无法退出，舟在炉管的滞留时间过长。环境温度变化，气流变化。事故总结为了避免事故发生，更换片源时，必须先做少量的跟踪试验，调试好后方可批量生产，工艺运行时， 工序长必须密切注意设备运行情况， 及时找工程人员维修， 外围设施工作人员尽量保障扩散间抽风、环境温度的稳定性。4．事故现象方块电阻偏大事故原因更换片源，由于炉管温度漂移，当前工艺已经不能使用。设备故障，石英门损坏或没有关紧。环境温度变化，外围尾气抽风变化，气流不稳定。设备加热速度太慢，无法达到工艺温度。炉管清洗后，设备没有安装到位。设备或软件故障，工艺工程中出现扩散小氮（三氯氧磷）断气。事故总结为了避免事故发生， 应该在更换片源时， 必须先做少量的跟踪试验， 调试好方可批量生产。工艺运行时，工序长必须密切注意设备云行情况，及时找工程人员维修。工序长必须密切关注扩散间抽风与环境温度变化， 及时反映给领班， 同时外围设施工作人员尽量保障扩散间抽风，环境温度的稳定性。二次清洗1．现象描述转入 PECVD 工序的硅片，在镀膜之后表面有白色的线痕。原因分析硅片表面的线痕是由于水造成的， 主要是员工没有按工艺要求在规定的时间内对硅片进行甩干。总结提高员工对公艺的认识，提高工艺的执行力度。2．现象描述转入 PECVD 工序的硅片，在上篮时出现两片叠放的现象， ，造成返工。原因分析员工在插片时，两片硅片插放在了同一个片槽中。总结 ; 加强员工的责任心，提高员工的自检意识。3．现象描述硅片转入测试分选后出现批量效率低，漏电流大。原因分析造成效率低， 漏电流大的原因多比较复杂， 但对于二次清洗如果扩散面与非扩散面放反后，也会出现效率低，漏电流大的现象。总结加强员工的责任心，提高员工的自检意识。在 PECVD 工序抽检方块电阻。4．其他 配液过程中，加 HF 方法不当，且没有佩戴防护用具，使液体溅到衣服或皮肤上。机械臂挂钩松动，提篮时花篮偏移导致翻篮。 槽内的挡板螺丝松动，机械臂放篮时，花篮碰到挡板，导致花篮倾斜压篮。甩干机的密封圈脱落，导致不能甩干。甩干机内的放入的片盒有碎片， 甩干后造成更多的碎片。 甩干机氮气管脱落， 导致不能甩干。 甩干机内的皮带脱落，导致不能甩干。5．事故描述刻蚀不透硅片表面不光滑，不平整。表面成蜂窝状，部分成黑白相间。用冷热探针检验显示N 型。事故原因在刻蚀过程中，由于中途断 CF4 、 O2 气体。在刻蚀过程中， CF4 、 O2 气体流量不够。辉光颜色非乳白色或辉光颜色不均匀。腔体内有异物、粉尘影响刻蚀效果。总结在工艺开始运行前，必须先确认设备及气体流量是否正常，如 CF4 、 O2 流量达到工艺要求，辉光是否异常。每班用酒精擦拭石英罩。PECVD 1．镀膜颜色偏离对比板调整带速。 镀膜颜色越深代表膜的厚度越小， 此时应减小带速来增加镀膜厚度； 镀膜颜色越浅则与之相反。2．设备调整（如更换石英管，微波头，流量计）上述设备调整会影响淡化硅膜的折射率和厚度，此时应用抛光片检验。丝网印刷1． 现象描述 粘片在印刷硅片的时候，硅片脱离工作台而粘到丝网上导致印刷故障原因分析硅片与工作台之间的力小于丝网与硅片之间的力就会导致粘片，主要原因是浆料变稠， 可能是网板的张力变小， 也有可能是印刷工艺参数的零点漂移造成的。总结首先先确定浆料是否太稠， 如果不是很稠， 用调墨刀把网板底部的浆料铲出去，添加新浆料试印刷， 不能解决换新网板， 新网板也不能解决可以调工艺参数 snap off 和 down stop ；如果网板上的浆料很稠，重新换网板和浆料。2． 现象描述弯曲片烧结后出来的电池片的弯曲片大于 1.5。原因分析一是由于本身硅片太薄，二是由于烧结温度过高，三十由于印刷的背场过厚。总结首先检查烧结工艺是否正常，正常的情况下测量镀膜后硅片的厚度，如果厚度小于 180um,Ferro53-102 浆料还不适合做，要换别的浆料；厚度在 180-200um之间，调小背电极的 snap off 和 down stop，增大压力，调慢印刷速度。3． 现象描述烧结出来的电池片，经测试串联电阻高到 10um 以上，效率比较低。原因分析一是烧结温度与正电极浆料不匹配，二是正电极浆料被污染，三是由于正电极印刷不良。总结首先停止正电极印刷后硅片流出，检查烧结工艺是否有报警，然后用调墨刀把正电极网板底部的浆料铲出去，添加新浆料试印 5 片下去看效果，如果串联电阻还比较高，重新换掉网板试印刷 5 片留下去看效果，问题还没解决的话重新开一瓶新浆料。测试分选1． 测试数据不稳定，及时反馈信息重要参数正常范围Uoc（ V） Isc（ A） RsmΩ RshΩ Irev1 0.610-0.620 5.2-5.3 5-7 20-100 0.5-1 2． Isc 偏小观察绒面质量（反光越小越好） ；观察淡化硅膜的颜色（于对照板一致最好） ; 观察背电场 （在不弯曲的前提下， 颜色越淡越好； 观察是否有铝珠、 铝球、 漏印，烧结形成的背场是否光滑） ；观察正面电极印刷是否连续，栅线宽度是否正常；检查少子寿命是否正常。3． Rs 偏大丝网印刷正面电极银浆是否搅拌均匀；扩散方块电阻是否有漂移；烧结温度是否漂移（换线检验） 。4． Irevl 偏大重金属污染（一次清洗，二次清洗花篮损坏） ；水质污染（检查一、二次清洗入水口水质） ；隐裂（观察 Error 档位电池是否增多，里面是否混有隐裂片（；等离子刻蚀是否刻透（打磨周边对比数据） 。5． 突然出现光强偏低导致的 Error 片，且电池效率很高。检查测试台旁边的小电池上是否有碎片、灰尘。6． 测试台出现空测（没有电池片，但仍然闪光测试）用无尘布沾酒精擦拭测试台处的感应器。7． 测试数据不能存储打开当天存储的 Datebase，查看数据库中是否有 result 项，如果没有，新建数据库。