n型高效TOPCon技术与产业化进展.pdf

n 型高效TOPCon 技术与产业化进展 n 型TOPCon 市 场 发 展 趋 势  中来TOPCon 技术进展  TOPCon 技术挑战： 持续的 降本增效  总结 目 录n 型TOPCon 市场发展趋势 3 n 型TOPCon 市场发展趋势 4   n 型TOPCon 市场发展趋势 5   P-545W N-565W W 545 570 70% 80% 2% 1% 0.45% 0.40% / C -0.34% -0.30% kWh 1064 1105 /W 1.95 2.16 BOS /W 1.85 1.80 /W 3.79 3.96 LCOE /kWh 0.235 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 PERC M10 155um TOPCon M10 140um 硅片成本 电池非硅成本 组件非硅成本 M10 72 片双玻版型 +0.03~0.1 元/W中来TOPCon 技术进展 6 T exturing Boron diffusion LPCVD SiO x /i-Poly Single side etch P diffusion Poly Wrap-around Removal Front passivation Rear passivation Metallization LPCVD SiO x /i-Poly PECVD SiO x /n + -Poly IMP ANN ANN PVD SiO x /n + -Poly ANN Cleaning7    中来TOPCon 技术进展8 Existing Technology Future Technology 研发并将n 型技术 应用至量产 中来TOPCon 技术进展9   TOPCon 未来技术挑战- 效率提 升10 TOPCon 未来技术挑战- 效率提 升 n-Si n-Si11  TOPCon 未来技术挑战- 效率提 升 n-Cz wafer SiO x /p + poly SiO x /n + poly12 Electricity only Scenario    TOPCon 未来技术挑战- 持续降 本13  • • • TOPCon 未来技术挑战- 持续降 本_ 薄片化  • •14  • • • •  TOPCon 未来技术挑战- 持续降 本_ 少银15   • • • • • n-Cz wafer TOPCon 未来技术挑战- 持续降 本_ 去银16 中来TOPCon 组件产品17 总结   THANK YOU Leader of n-type bifacial technology www.jolywood.cn