n型硅太阳能电池的副本

n 型硅太阳能电池 .txt 当你以为自己一无所有时，你至少还有时间，时间能抚平一切创伤，所以请不要流泪。能满足的期待，才值得期待；能实现的期望，才有价值。保持青春的秘诀，是有一颗不安分的心。不是生活决定何种品位，而是品位决定何种生活。 本文由888ronglin 贡献pdf 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。４加工参数的选择加工参数的选择推荐用：刀具线速度Ｖ＝８０～１２０ｍ／ｍｉｎ，刀具进给速度Ｖ，一７２～１３６ ｒａｍ／ｒａｉｎ，落刀具粗镗时的切深ａ，一２～３ ｍｍ，滚柱精滚时的过 盈量Ａｔ＝０．０６～０．１５ ｍｍ。５加工效果使用镗滚复合刀具加工大中直径液压缸体孑Ｌ，图１原设计落灰方式 图２改进后的落灰方式不同管坯的加工效果为： １） 余量较均匀的管坯， 直接镗滚后， 尺寸精度 可达ＩＴ７～ＩＴ８，表面粗糙度Ｒａ ０．２～０．４ ｇｍ，圆 度、圆柱度不大于０．０２ ｍｍ，直线度不大于０．０４／１ ０００ ｍｍ。加工图１所示的１个缸体，机动时改进后，当落灰累积达到一定重量后，翻板自动 下翻，使积灰一次落下。积灰落下后，在重锤作用下， 翻板又自动复位，封住上部落灰口，防止漏风复燃。 这种落灰方式的优点是： １） 把连续落灰变为间歇落灰， 可由重锤的重量 和位置来决定落灰量和落灰次数。 ２）实现自动密封，防止漏风，有效杜绝了锅炉 二次燃烧现象。 ３）落灰管下部空间增大，增大了散热量，降低 了温度，也有利于减少粘灰量。 图２中设计的自动翻板装置见图３，在实际使 用中效果良好。间为８～１３．２ ｍｉｎ，刃磨一次镗刀，可加工４个缸体 （使用寿命￡一４０～５０ ｍｉｎ） 。 ２）余量不均的管坯（壁厚差大于１．５～２．０ ｒａｍ） ，经粗镗１次后再镗滚，尺寸精度可达ＩＴ６～ ＩＴ７，表面粗糙度Ｒ盘０．１５～０．３２ ｐ．ｍ，圆度、圆柱度 不大于０．０１５ ｍｍ，直线度小于０．０４／１０００ｍｍ。加工１个缸体机动时间为１６～２０ ｍｉｎ （２道工序共 计） ， 刃磨一次镗滚复合刀具中的镗刀，可加工４～５ 个缸体（使用寿命￡一４０～５０ ｍｉｎ） 。 ３）精密镗滚复合刀具的加工效率与珩磨相比， 可提高６倍以上；与目前的镗、滚加珩磨补救工艺比 较，至少可提高２倍以上；与粗镗、半精镗、滚压工艺 比较，至少可提高３倍以上。 责任编缉周守清密封盖墙泛泛湮∑醚彝Ｆ圆病板连杆密封盖锅炉尾部落灰管技术改造新疆哈密石油基地哈密物业公司（３９００９） 李晓娟图３自动翻板结构示意图我中心锅炉房ＤＺＬ角管式热水锅炉尾部落灰， 经渣斗、 落灰管到框链除渣机槽的溢流水中，沉淀后 灰渣由除渣机带走，落灰的通道原设计见图１。 但在运行中，锅炉尾部的高温落灰落入溢流水 中时会产生大量水汽上升，使落灰管管壁潮湿，然后 落下的高温灰粉就会黏附在落灰管管壁上，一层一 层累积，管壁上越积越多，导致落灰管内局部落灰停 留时间延长，使管壁烧得通红，甚至使某些部位烧 穿，产生漏风，引发锅炉尾部二次燃烧，威胁锅炉安 全和平稳地运行。 针对上述存在问题， 我们对落灰管进行了改装， 改装后的设计如图２所示。责任编缉周守清ｎ型硅太阳能电池北京理工大学信息科学技术学院（１０００８１） 田东【摘要】 论述了ｎ型硅做衬底的异质结太阳能电 池的ＨＩＴ结构和生产该电池必备的工艺装备，并通 过当前世界研究实例和发展动态，阐述了该技术在 我国的应用前景和意义。太阳能可以认为是取之不尽、用之不竭的清洁 ２００６年 第３期６１ ? 万 方数据《新技术新工艺》 ?实用技术与工艺装备能源， 当前的太阳能工业主要有两大支柱产业： 即太 阳能热利用产业和太阳能光伏制造产业。其中光伏 制造产业是世界上增长最快的高新技术产业之一， 世界光伏市场呈几何级速度迅猛发展，如何将太阳 能转换为实际能源的供应，是光伏制造产业链中最 为关键的一环，而衬底为ｎ型硅做的异质结太阳能 电池具有领先地位。１的氧化导电体（ＴＣＯ） ，再采用丝网印刷方法在两面 构成银电极。电极氧化透明导电层ＴＣ Ｐ型氢化非氢硅层 本征氢化非晶硅层Ｊｊ～１０ｎｍｔ０Ｉ～２００斗ｍｎ型硅太阳能电池的优点ｎ型氢化非氢硅层）￣２０“Ｐ型硅太阳能电池具有转换效率高， 生产技术 成熟等优点， 占有太阳能电池世界产量的绝大部分。 但由于在制造中，扩散制结工艺要在温度约１氧化透明导电层ＴＣ图１ＨＩＴ电池的结构示意图０００℃进行， 工艺复杂， 成品率低， 限制了它的大 ｎ型硅太阳能电池的优点是： 其生产工艺可在所有上述工艺过程都是在２００℃以下进行的。 避免了高温对硅片造成的损伤和复杂操作过程引起 的成本提高。正是这一工艺优势，就可以使用很薄 的硅片（厚２００ Ｕｒｎ）做衬底，也能使其产生很高的光 电转换效率。同时，由其结构决定其两面皆可吸收 光能。即使光线幅射正面电池板产生电能， 同时也 可通过２片电池间的缝隙穿过电池板射到背面产生规模生产。２００℃以下进行，便于大规模生产，符合低成本、高 产量、高效率的要求，因此受到世界各国的普遍 重视。２ｎ型硅太阳能电池硅材料依据掺杂元素的不同分为２类，即掺杂电能， 提高了太阳能的利用率， 使电池能源输出最大 化。 所以ＨＩＴ太阳能电池的大面积电池的光电转 换效率比常规的太阳能电池有了很大的提高，是商 业化太阳能电池光电转换效率很高的一种新型 电池。 综上所述， 制造ＨＩＴ电池所具备的条件为： １） 金属导电膜的制造所具备的条件。采用射 频磁控溅射系统，用Ａｒ离子轰击氧化铟锡靶沉积 而成。２） 本征氢化非晶硅层和掺杂的非晶硅层的制 造所具备的条件。 采用ＰＥ—ＣＶＤ系统或直流磁控 溅射系统沉积而成，工艺参数要求严格。 ３）衬底晶体硅的制造所具备的条件。多采用 太阳能级直拉单晶硅片作衬底。 ４） 电极的制造所具备的条件： 采用丝网印刷银 电极、烧结。 根据国家 《可再生能源中长期发展规划》 ， ２０１０ 年， 我国太阳能光伏发电总容量将达到４０万千瓦， ２０２０年达到２２０万千瓦。为此，ＨＩＴ太阳能电池生 产制造技术的研究和开发是很有发展前途的。 可以 预期， 这类太阳能电池将会得到迅速发展， 这标志了 太阳能光伏发电正由补充能源向替代能源转变，在 人类能源变革中具有重要意义。并有望在研究和生 产实际中取得更大突破。 责任编缉周守清三价元素如硼（Ｂ）的Ｐ型硅和掺杂五价元素如锑 （Ｓｂ） ，磷（Ｐ） ，砷（Ａｓ）等的ｎ型硅。ｎ型硅太阳能电 池，最早出现的是用非晶硅层作缓冲层所构成的ｎ 型单晶硅太阳能电池。 为了解决Ｐ型硅太阳能电池高温工艺带来的 不良影响，人们提出了用ｎ型硅做衬底，采用氢化非 晶硅（ａ—Ｓｉｌｌ）做缓冲层的太阳能电池，但最初由于 光致退化效应及转换效率未能得到很好解决，因此 未能大规模推广。 ２０００年日本三洋公司研制出１０ ｃｍ２采用ＨＩＴ 结构异质结太阳能电池，解决了以往的缺陷。所谓ＨＩＴ （Ｈｅｔｅｒｏｉｕｎｃｔｉｏｎ ｗｉｔｈ ｉｎｔｒｉｎｓｉｃ Ｔｈｉｎｌａｙｅｒ）结构就是在Ｐ型氢化非晶硅和ｎ型氢化非晶硅与ｎ型 硅衬底之间增加一层非掺杂 （本征） 氢化非晶硅薄 膜， 采取该工艺措施后， 改变了ＰＮ结的性能。 因而 使转换效率达到２０． ７％，开路电压达到７１９ ｍＶ， 并 且全部工艺可以在２００。 Ｃ以下实现。 ＨＩＴ太阳能电池的结构示意图见图１，为对称 结构。先将１个非常薄的本征氢化非晶硅层和１个 Ｐ型氢化非晶硅层 （Ｐ型ａ～Ｓｉｌｌ） 用等离子ＣＶＤ法 沉淀在ｎ型晶硅片 （Ｃ—Ｓｉ） 前表面上；同时，将非常 薄的本征氢化非晶硅层和ｎ型氢化非晶硅层淀积在 同一晶硅片的背面，这就构成了所谓异质结，起窗口 作用。在此基础上制作导电膜，即通过溅射系统，用 氩（Ａｒ）离子轰击氧化铟锡靶沉积在两面，形成透明６２ ? 万 方数据《新技术新工艺》 ?实用技术与工艺装备２００６年第３期1