硅晶片的超精密加工	2018-08-15
	硅晶片的超精密加工摘要 归纳总结了硅晶片的加工原理、加工方法，分析加工硅晶片的技术要求其精密制造过程，并通过对国外技术装备的分析，指出硅晶片高效精密加工技术的发展趋势。关键词 硅晶片 超精密加工 磨削 抛光前言硅是具有金刚石晶体结构，原子以共价键结合的硬脆材料，其硬度达到 1000HV ，但断裂强度很低， 所以超精密加工晶体硅有一定的难度。 同时， 硅又是一种很好的材料， 构成集成电路半导
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	硅NPN三极管的设计与平面工艺的研究	2018-08-15
	硅 NPN 三极管的设计与平面工艺的研究摘要 本文介绍根据所要求的设计目标设计出 NPN 三极管的工艺参数和各区参数，用抛光好的硅片通过氧化、 扩散、 光刻这三个最基本的平面工序， 制备出能用晶体管特性测试仪测试放大特性和击穿特性的硅平面 npn 晶体管管芯。 通过对所制备管芯特性的测试分析， 理解工艺条件对硅 NPN平面晶体管的参数的影响关键词 双极晶体管，工艺，放大倍数，击穿电压一、引言
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	光刻胶显影和先进的光刻工艺	2018-08-15
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	光刻工艺讲义	2018-08-15
	1第六章 光刻工艺（ Photolithography原理和工艺第六章 光刻工艺引言（基本概念）光刻胶的化学性质与作用光学光刻光学光刻的限制及技术展望第一节 引言 --- 集成电路中的图形2集成电路发展趋势特征尺寸不断缩小 硅圆片直径不断增大提高电路性能 降低生产成本引言 --- 基本概念（ 1）光刻 Lithography 用照相复印的方法将光刻版上的图案转移到硅片表面的光刻胶上，以实现
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	硅片CMP抛光工艺技术研究	2018-08-15
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	硅碇开方的最新工艺	2018-08-15
	硅碇开方的最新工艺太阳能电池材料单晶硅太阳能电池简介目 录第一章 单晶硅太阳能电池简介 1 太阳能电池组件生产工艺基本流程概述 1 1、化学减薄、制绒和清洗 . 1 2、 扩散制 PN 结 . 2 3、 等离子刻蚀去边 . 2 4、 扩散后清洗 . 2 5、 制减反射膜 . 2 6、 丝网印刷电极 . 2 7、 烧结 . 3 8、 电池测试 . 3 9、 组件生产 . 3 第二章 太阳能电池
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	硅的酸腐蚀	2018-08-15
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	光刻胶知识	2018-08-15
	感谢所有的原文作者，这里我只是略作整理，希望能对新手有所帮助。光刻工艺光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。 主要作用是将掩膜板上的图形复制到硅片上， 为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。 光刻的成本约为整个硅片制造工艺的 1/3，耗费时间约占整个硅片工艺的 40～ 60。光刻机是生产线上最贵的机台， 5～ 15 百万美元 / 台。主要是贵在成像系统（由15～ 20 个直 径为
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	光刻过程图片解说(20180720151103)	2018-08-15
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	光刻技术的发展与应用	2018-08-15
	第 1 页1 绪论在微电子制造技术中，最为关键的是用于电路图形生产和复制的光刻技术，光刻技术的研究与开发，在每一代集成电路技术的更新中都扮演着技术先导的角色。目前国际微电子领域最引人关注的热点，就是即将到来的光刻技术变革，这一变革将对整个微电子制造技术的发展产生深远的影响。从目前的发展趋势判断， 0.13μ m 光刻仍将采用光学光源，其中问题只在于是将 248nm 技术继续推进到 0.13μ m
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