简介：第 45 卷 第 2 期 人 工 晶 体 学 报 Vol ． 45 No． 22016 年 2 月 JOUＲ NAL OF SYNTHETIC CＲ YSTALS February， 2016清洗工艺对金属辅助刻蚀制备黑硅及其光伏器件的影响罗旌旺 1， 蒲 天 1， 2， 吴 兢 1， 芮春保 1， 孔凡建 1 ， 沈鸿烈 2（ 1． 江苏辉伦太阳能科技有限公司新能源研究中心 ， 南京 210061 ； 2． 南京航空航天大学材料科学与技术学院 ， 南京 210016 ）摘要 为了减少黑硅表面缺陷对黑硅太阳电池性能的影响 ， 本文以金属纳米颗粒辅助刻蚀制备的 156 mm

简介：势垒层对黑硅光电探测器性能影响的研究苏元捷 ＊ ， 蒋亚东 ， 吴志明 ， 赵国栋（ 电子科技大学 光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室 ， 四川 成都 ６ １ ０ ０ ５ ４ ）摘要 讨论势垒层 Ｓ ｉ ３ Ｎ ４ 的引入对黑硅光电探测器光电性能的影响 。 探测器采用金属 － 半导体 － 金属 （ Ｍ Ｓ Ｍ ） 器件结构在黑硅层和电极间增加一层势垒层以提高肖特基势垒 ， 从而减低器件的暗电流 。 实验表明 ， 在相同的光照情况下 ， 有势垒层的探测器暗电流比无势垒层的探测器暗电流至少低 １ 个数量级 ， 且势垒层厚度增加 ３ ０ｎ ｍ 其暗电流降低约 １ 个数量级 ， 而光电

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简介：云南师范大学学报 （ 自然科学版 ）２ ０ １ ４ 年 ９ 月 － ３ ４ 卷 ５ 期 （ Ｖ ｏ ｌ ． ３ ４ Ｎ ｏ ． ５ ）Ｊ ｏ ｕ ｒ ｎ ａ ｌ ｏ ｆ Ｙ ｕ ｎ ｎ ａ ｎ Ｎ ｏ ｒ ｍ ａ ｌ Ｕ ｎ ｉ ｖ ｅ ｒ ｓ ｉ ｔ ｙＤ Ｏ Ｉ １ ０ ． ７ ６ ９ ９ ／ ｊ ． ｙ ｎ ｎ ｕ ． ｎ ｓ － ２ ０ １ ４ － ０ ６ ３一 种在弱酸溶液 中 采用 金 属辅助湿法化学 刻 蚀 黑 硅 的 新方法 ＊廖承菌 ， 李学铭 ， 杨培志 ＊（ １ ． 可 再 生 能 源 材料 先进 技术 与 制 备 教 育部 重 点 实 验

简介：1 晶体硅表面 Ag 纳米颗粒形貌控制及其对黑硅性能的影响贾淑婷，王苏尧，韩志达，夏金威，薛丹丹，张磊常熟理工学院 物理与电子工程学院，江苏 常熟 215500 摘要 采用湿法化学法在太阳能级 Si100 表面沉积 Ag 纳米颗粒，并对 Ag 颗粒进行了退火处理。利用扫描电子显微镜研究了不同沉积时间及退火工艺对硅片表面 Ag 纳米颗粒形貌的影响规律。在此基础上采用退火前后的 Ag 纳米颗粒辅助化学腐蚀法制备了黑硅减反射结构，并用扫描电子显微镜观察了所制备黑硅的微结构，用紫外 -可见分光光度计研究了所制备黑硅的反射率。研究表明，制备的 Ag 颗粒为不规则片状结构，并且随 Ag 沉积时

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简介：泓域咨询丨规划设计·投资分析 http//www.macrohy.com 1 / 78湿法黑硅技术改造项目可行性研究报告报告摘要该项目可行性研究报告对项目所涉及的主要问题， 例如 项目资源条件、项目原辅材料、项目燃料和动力的供应、项目交通运输条件、项目建设规模、项目投资规模、项目产工艺和设备选型、项目产品类别、项目节能技术和措施、环境影响评价和劳动卫生保障等，从技术、经济和环境保护等多个方面进行较为详细的调查研究。 通过分析比较方案， 并对项目建成后可能取得的技术经济效果进行预测，从而为投资决策提供可靠的依据，作为该项目进行下一步环境评价及工程设计的基础文件。根据谨慎财务测算，

简介：PERC 和黑硅电池产能调查2016-12-4 申剑波一、 成本1、 在现有产线的技术上， PERC电池是相当容易改造的，只需要加 23 个步骤，就能够实现技改的升级， 而且投入也比较低， 相对来说每 100 兆瓦的投入大概会在 2200w2800w 之间，这个取决于各家技术路线的选择。电池效率的提升多晶会在 0.50.8，单晶会在0.81.0，同样组件功率也会有相应的提升。举例选用氧化铝＋氮化硅的技术路线，在常规电池的基础上只需要增加背面的氧化铝＋氮化硅的工艺＋激光开槽的工艺就能够实现 PERC电池的制造。2、 干法除了需要增加黑硅设备外，还需要一台槽式清洗机和匹配的甩

简介：物质名称 浓度 密度 g/ml 分子量 浓度 Mol/L 物质重量g 体积 ml 水用量 时间sAgNO3 100 10.53 169.87 0.01 1.6987 0.16 999.84HF 40 1.12 20.0 4 80 71.43 928.57NaCL101mg/ml1g/L[1g/36.5g/mol]/L0.027mol/L 。硝酸银浓度 M/L 沉积时间s 纳米银团粒径 nm0.02 10 5030 10060 15090 200-250120 300硝酸银浓度 M/L 刻蚀时间 min 纳米线深度 nm0.02 2 2003 300-4004 400-500扩孔前

简介：第 34卷 第 6期Vol1 34 No16稀 有 金 属CHINESE JOURNAL OF RARE M ETALS2010年 11 月Nov. 2010收稿日期 2010- 09- 12; 修订日期 2010- 10- 28基金项目 国家自然科学基金 60706001 资助项目作者简介 徐文婷 1983- , 女 , 宁夏人 , 博士研究生 ; 研究方向 半导体材料* 通讯联系人 E - m ail tuh l m ai.l grinm. com. cn黑硅制备技术及其应用的研究进展徐文婷 1, 2, 屠海令 1* , 常 青 2, 肖清华 2