简介：关键词硅片 线切割 钢线1、引言硅片多线切割技术是目前世界上先进的硅片切割加工方法之一，它是与传统的切割方式，如刀锯、砂轮片等不同的， 也与先进比较先进的切割技术，如 激光切割 或是内圆切割有差别。总体来讲，它是用一根高速传动的钢丝线来带动附着在其上的切割刃料高速的走动，使得与待切割硅棒进行摩擦，从而完成切割。下文将详细介绍其原理和简单工作流程。2、硅片线切割技术原理简介2.1 宏观机理从硅片多线切割设备的宏观机理简图看待切割的晶棒由玻璃板固定于不锈钢的工件上，然后放在切割机的相应部位上， 导轮经过开槽工艺来对对精密线槽进行处理， 钢线有序的缠绕在四个导轮上形成了上下两个互相平行的线网。

简介：硅片生产培训资料Page 1 of 24 培训目的1、 确定硅片生产过程整个目标；2、 为工艺过程确定一典型流程；3、 描述每个工艺步骤的目的；4、 在硅片生产过程中，硅片性能的三个主要关系的确定。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的

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简介：1 请将电子版打印出来，仔细阅读，不懂之处用笔标记上，这样才算写了预习报告。老师将根据认真程度给预习分红外激光测量硅片的折射率和厚度实验类型近代光学设计性实验实验地点实训中心 2 号楼 1 楼 2123 教室实验日期第 9-12 周（第一轮） ，每周 （例如周 五 ）节次 （例如 34 节）学生姓名 学号 手机号 Email一 . 目的要求用光波导法测量硅片的折射率和厚度。实验要求达到1、了解 Au-Si-Au 三层平板波导结构，理解导模的激发原理2、掌握导模测量的衰减全反射实验方法3、计算硅片的折射率和厚度二 . 仪器设备光纤激光器、小孔、 Au-Si-Au 波导、 ω -

简介：硅片质量对太阳能电池性能的影响尚德电力控股有限公司 张光春1. 引言2007年全球商业化光伏电池市场中，由单晶硅和多晶硅组成的晶体硅太阳能电池的市场份额达 87.4，是光伏市场的绝对主流产品，而且在可见的未来几年内，这种局面不会改变。1999 年 -2007 年全球商业化光伏电池市场份额硅片作为晶体硅太阳能电池的基础材料， 其质量对电池性能具有很重要的影响。 一方面， 硅片的内部缺陷和杂质会直接影响电池的效率和稳定性； 另一方面，硅片的外观缺陷和表面质量对电池的制造和外观等也具有很重要的影响。只有通过硅片供应商和电池片制造商的共同努力，不断改善和提高硅片质量，才能更好地为我们的客户提供高质

简介：Page 1 of 36 培训目的1、 确定硅片生产过程整个目标；2、 为工艺过程确定一典型流程；3、 描述每个工艺步骤的目的；4、 在硅片生产过程中，硅片性能的三个主要关系的确定。简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。 所有的步骤概括为三个主要种类 能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少

简介：硅片规格 硅片厚度 硅片理论重量（克）0.2 11.1300.195 10.8520.19 10.5740.185 10.2960.18 10.017硅片规格 硅片厚度 硅片理论重量（克）0.2 7.2120.195 7.0310.19 6.8510.185 6.6710.18 6.4900.175 6.3100.17 6.1300.2 11.3360.195 11.0520.19 10.7690.185 10.4860.18 10.2020.175 9.9190.17 9.635125x125mm单晶硅片156x156mm多晶硅片156x156mm单晶硅片

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简介：硅片研磨和研磨液作用的分析作者 张伟 ， ZHANG Wei作者单位 河北工业大学 ,微电子研究所 ,天津 ,300130刊名 微纳电子技术英文刊名 MICRONANOELECTRONIC TECHNOLOGY年，卷 期 2007,444被引用次数 1次参考文献 15条1. 刘玉岭 ;李薇薇 ;周建伟 微电子化学基础技术 20052. 张胜利 超精密磨削硅片表面损伤检测的试验研究 20053. 曹来发 ;朱正堂 中国集成电路现状 [期刊论文] -科技情报开发与经济 2004024. 吴明明 单晶硅片的超精密加工技术研究 20055. 骆伟明 ;叶青妍 ;

简介：硅片行业术语大全Acceptor - An element, such as boron, indium, and gallium used to create a free hole in a semiconductor. The acceptor atoms are required to have one less valence electron than the semiconductor. 受主 - 一种用来在半导体中形成空穴的元素，比如硼、铟和镓。受主原子必须比半导体元素少一价电子Alignment Precision - Displacement of patterns th

简介：硅片线痕分析分类线痕按表现形式分为杂质线痕、划伤线痕、密布线痕、错位线痕、边缘线痕等。各种线痕产生的原因如下1、杂质线痕由多晶硅锭内杂质引起，在切片过程中无法完全去除，导致硅片上产生相关线痕。表现形式（ 1）线痕上有可见黑点，即杂质点。（ 2）无可见杂质黑点，但相邻两硅片线痕成对，即一片中凹入，一片凸起，并处同一位置。（ 3）以上两种特征都有。（ 4）一般情况下，杂质线痕比其它线痕有较高的线弓。改善方法（ 1）改善原材料或铸锭工艺，改善 IPQC 检测手段。（ 2）改善切片工艺，采用粗砂、粗线、降低台速、提高线速等。其它相关硅锭杂质除会产生杂质线痕外，还会导致切片过程中出现 “

简介：硅片生产流程小组成员 吴国栋 徐浩 王汉杰 王超简介硅片的准备过程从硅单晶棒开始，到清洁的抛光片结束，以能够在绝好的环境中使用。期间，从一单晶硅棒到加工成数片能满足特殊要求的硅片要经过很多流程和清洗步骤。除了有许多工艺步骤之外，整个过程几乎都要在无尘的环境中进行。硅片的加工从一相对较脏的环境开始，最终在 10 级净空房内完成。工艺过程综述硅片加工过程包括许多步骤。所有的步骤概括为三个主要种类能修正物理性能如尺寸、形状、平整度、或一些体材料的性能；能减少不期望的表面损伤的数量；或能消除表面沾污和颗粒。硅片加工的主要的步骤如表 1.1 的典型流程所示。工艺步骤的顺序是很重要的，因为这些步骤的

简介：技术电话 4000-717-999 硅片清洗水处理的经验分享一、应用范围概述电解电容器生产铝箔及工作件的清洗电子管生产 电子管阴极涂敷碳酸盐配液显像管和阴极射线管生产配料用纯水 黑白显像管荧光屏生产 玻壳清洗、沉淀、湿润、洗膜、管颈清洗用纯水 液晶显示器的生产屏面需用纯水清洗和用纯水配液晶体管生产中主要用于清洗硅片， 另有少量用于药液配制集成电路生产中高纯水清洗硅片。二、典型工艺流程预处理系统 - 反渗透系统 - 中间水箱 - 粗混合床 - 精混合床 - 纯水箱 - 纯水泵 - 紫外线杀菌器 - 抛光混床 - 精密过滤器 - 用水对象 ≥ 18MΩ .CM 传统工艺 预处理 -

简介： 转载 半导体硅片的化学清洗技术对太阳能级硅片有借鉴作用一 . 硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后， 其表面已受到严重沾污， 一般讲硅片表面沾污大致可分在三类 A. 有机杂质沾污 可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。 C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到