简介：第二章扩散工艺作业1、 1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散，直到磷的固溶度极限。扩散时间为20 分钟。预淀积后，硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μ m的结深，推进时间应为多少假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多少 （已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 1021cm-3， 磷的扩散系数为 1.39 10-14cm2/s， 1100℃时磷的扩散系数为 1.56 10-13 cm2/s ）2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃， 11分钟预淀积扩散；再进行 1180℃， 40分钟推进扩散。请问，在该工艺中，对硼起掩蔽

简介：非晶硅薄膜太阳能电池及制造工艺内容提纲一、非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介二、非晶硅太阳能电池制造工艺三、非晶硅电池封装工艺一、 非晶硅薄膜太阳能电池结构、制造技术简介1、电池结构分为单结、双结、三结2、制造技术三种类型①单室，多片玻璃衬底制造技术该技术主要以美国 Chronar 、 APS、 EPV 公司为代表②多室，双片（或多片）玻璃衬底制造技该技术主要以日本 KANEKA 公司为代表③卷绕柔性衬底制造技术（衬底不锈钢、聚酰亚胺 该技术主要以美国 Uni-Solar 公司为代表所谓 “ 单室，多片玻璃衬底制造技术 ” 就 是指在一个真空室内，完成 P、 I、 N 三层非晶

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简介：湖南红太阳光电科技有限公司 文件编号 UMGD/ZLPG-DJ-26-2012 等离子刻蚀设备操作规程版号 A 修改第 0 次页 码第 1 页 共 2 页编制宇树光 审核 批准 / 日期1 1. 目的确保刻蚀机处于良好的运行状态。2. 适用范围刻蚀机操作及保养。3. 参考设备管理程序。4. 责任由设备工程师及工艺工程师负责。5. 内容5.1 开机5.1.1 合上墙上电控柜中的断路器开关，按下“电源”，此时将自动登录初始画面，用户登录名和密码，然后点击“进入”，输入相应的密码，进入操作界面（手动模式）；点击“真空泵”图标按钮，等待 10 秒钟真空泵完全启动；5.1.2 旋动射频

简介：摘要随着世界经济的迅速发展,对能源的需求越来越大,地球化石资源的大量开采与消耗,使石油、煤炭等自然资源日趋短缺,同时也给环境造成了严重污染。因此大力发展太阳能成为了当务之急。光伏电池的输出特性具有强烈的非线性,且受外界环境因素影响大,所以,如何有效的利用、提高太阳能转换效率,成为太阳能利用中一个迫切需要解决的问题。本文通过电力电子技术和控制技术实现太阳能光伏发电的最大功率跟踪（MPPT） ，本文采用了电导增量法跟踪最大功率点。以光伏发电系统为研究对象,以最大限度利用太阳能为主要目标,展开了光伏发电系统效率最优化的理论和实验研究。本文对其进行了基于 PSCAD 的仿真实验。实验结果表明很好的实

简介：355nm全固态紫外激光切割硅片的研究 张菲， 杨焕， 段军， 曾晓雁 （ 华中科技大学武汉光电国家实验室 ，湖北武汉 430074） 摘要 近年来，激光微加工硅和蓝宝石等半导体材料已经吸引越来越多的关注。高精度激光切割和钻孔加工已经成功用于半导体、光电子、光机电系统（ MEMS ）行业，包括晶圆切割、划线、直接成型通孔和三维微结构。利用自主研发的紫外激光微加工设备，系统研究了激光功率密度、重复频率、扫描次数、单脉冲能量等工艺参数对切割 0.18mm厚多晶硅片和 0.38mm厚单晶硅片的缝宽和效率的影响规律。结果表明，采用扫描振镜加远心扫描透镜系统，当需要得到最大的切割深度时，优化

简介：1.鍗庡钩鑲′唤 鍥藉唴棰嗗厛鐨勫 濯掍綋閫氫俊绯荤粺鎻愪緵鍟� �2.鏁板瓧鏀块€ 鍥藉唴鏁板瓧鍖栧煄甯傜鐞嗛 鍩熼緳澶� � �3.瀹佹尝GQY 鍥藉唴棰嗗厛鐨勪笓涓氳 璁骇鍝佸埗閫犲晢�4.鍥芥皯鎶€鏈 鍥藉唴� USBKEY棰嗗煙榫欏ご浼佷笟5.涓 憺鎬濆垱 鍥藉唴鐢靛瓙闃茬洍鍗锋爣琛屼笟榫欏ご浼佷笟6.鏂板ぇ鏂版潗 鍥藉唴鏅剁 鐗囧垏鍓插垉鏂欓 鍩熼緳澶翠紒涓� � �7.濂ュ厠鑲′唤 鍥藉唴鐜 哀涔欑兎绮剧粏鍖栧伐琛屼笟榫欏ご8.娴烽粯绉戞妧 鍥藉唴娌圭敯澶氱浉璁￠噺棰嗗煙棰嗗厛浼佷笟9.閾 鍥藉唴閾  棰嗗煙棰嗗厛浼佷笟� �

简介：实验一 加工方法及加工装备的归纳与调研一．车削加工1. 车削概述在车床上，工件做旋转运动，刀具做平面直线或曲线运动，完成机械零件切削加工的过程，称为车削加工。其中工件的旋转为主运动，刀具的移动为进给运动。车削适合加工回转零件， 其切削过程连续平稳， 可以加工各种内外回转体表面及端平面。所用刀具主要是车刀，还可以用钻头，铰刀，丝锥，滚花刀等。图 1.1 车削加工主要应用范围车削加工的尺寸精度较宽，一般可达 it12 ～ it7 ，精车时可达 it6 ～ it5 。表面粗糙度 ra数值的范围一般是 6.3 ～ 0.8

简介：本文由米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 整理推荐米尔自动化网 http//www.mirautomation.com/ 大尺寸硅片背面磨削技术的应用与发展摘要 集成电路芯片不断向高密度、 高性能和轻薄短小方向发展， 发满足 IC 封装要求，图形硅片的背面减薄成为半导体后半制程中的重要工序。 随着大直径硅片的应用， 硅片的厚度相应增大， 而先进的封装技术则要求更薄的芯片， 超精密磨削作为硅片背面减薄主要工艺得到广泛应用。 本文分析了几种常用的硅片背面减薄技术， 论述了的基于自旋转磨削法的硅片背面磨削的加工原理、 工艺特点和关键技术， 介绍了硅片背面磨

简介：鍙戣〃锛氶 琛� �1.纭呯墖琛ㄩ潰鍑虹幇鍗曚竴鐨勪竴鏉￠槾鍒荤嚎锛堝嚬妲斤級銆佷竴鏉￠槼鍒荤嚎锛堝嚫鍑猴級锛屽苟涓嶆槸鐢变簬纰冲寲纭呭井绮夌殑澶ч�绮掗€犳垚鐨勶紝鍗曟櫠纭呫€佸 鏅剁 鍦ㄦ媺鍒惰繃绋嬩腑鍑虹幇� �鐨勭‖璐ㄧ偣閫犳垚璺崇嚎锛岃€屽舰鎴愮殑绾跨棔锛�2.纭呯墖琛ㄩ潰闆嗕腑鍦ㄥ悓涓€浣嶇疆鐨勭嚎鐥曪紝寰堜贡涓斾笉瑙勫垯锛涒憼鏈烘 鍘熷洜銆佲憽瀵艰疆�蹇冮渿杩囧ぇ銆佲憿澶氭櫠纭呴摳閿 殑澶 у潡纭 鏅 锛 3.纭呯墖鍒囧 竴鍒€鍑虹幇绾跨棔锛 〃 澶 苟涓 锛 憼 绮 涓 銆 寰 绮 ¡嚎¢£€佸⁄

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简介：单晶硅太阳电池单晶硅太阳电池是当前开发得最快的一种太阳电池， 它的构成和生产工艺已定型， 产品已广泛用于宇宙空间和地面设施。 这种太阳电池以高纯的单晶硅棒为原料，纯度要求 99.999 ％。为了降低生产成本， 现在地面应用的太阳电池等采用太阳能级的单晶硅棒， 材料性能指标有所放宽。 有的也可使用半导体器件加工的头尾料和废次单晶硅材料，经过复拉制成太阳电池专用的单晶硅棒。将单晶硅棒切成片，一般片厚约 0.3 毫米。硅片经过成形、抛磨、清洗等工序，制成待加工的原料硅片。加工太阳电池片，首先要在硅片上掺杂和扩散，一般掺杂物为微量的硼、磷、锑等。扩散是在石英管制成的高温扩散炉中进行。这样就在硅片上

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